晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IPP77N06S3-09	-	询价	9050	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP77N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		55V	77A（温度）	10V	9.1毫欧@39A，10V	4V@55μA	10V时为103nC	±20V	5335pF@25V	-	107W（温度）
IKW40N65H5FKSA1	5.5400	询价	2877	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW40N65	标准		255W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，20A，15欧姆，15V											62纳秒	-	650伏	74A	120A	2.1V@15V，40A	390μJ（开），120μJ（关）	95℃	22纳秒/165纳秒
IPP80N06S407AKSA1	-	询价	7039	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		60V	80A（温度）	10V	7.4毫欧@80A，10V	4V@40μA	56nC@10V	±20V	4500pF@25V	-	79W（温度）
IRL1404SPBF	-	询价	9563	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		40V	160A（温度）	4.3V、10V	4mOhm@95A，10V	3V@250μA	140nC@5V	±20V	6600pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
IRF2805SPBF	-	询价	3081	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		55V	135A（温度）	10V	4.7毫欧@104A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V	5110pF@25V	-	200W（温度）
AIKW50N60CTXKSA1	10.2500	询价	9147	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、TrenchStop™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AIKW50	标准		333 W		PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，50A，7欧姆，15V												沟渠场站	600伏	80A	150A	2V@15V，50A	1.2mJ（开），1.4mJ（关）	310℃	26纳秒/299纳秒
BSC205N10LSG	1.0000	询价	9423	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100伏	7.4A（Ta）、45A（Tc）	4.5V、10V	20.5毫欧@45A，10V	2.4V@43μA	41nC@10V	±20V	2900pF@50V	-	76W（温度）
IMBG65R048M1HXTMA1	13.7500	询价	34	英飞凌科技	酷碳化硅™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBG65		SiCFET（碳化硅）			PG-TO263-7-12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	45A（温度）	18V	64毫欧@20.1A，18V	5.7V@6mA	33nC@18V	+23V，-5V	1118 pF @ 400 V	-	183W（温度）
SGP04N60XKSA1	-	询价	3021	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SGP04N	标准		50W		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			400V，4A，67欧姆，15V												不扩散条约	600伏	9.4A	19A	2.4V@15V，4A	131μJ	24nC	22纳秒/237纳秒
SPB80N06S2L-05	-	询价	7356	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		55V	80A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@80A，10V	2V@250μA	230nC@10V	±20V	7530pF@25V	-	300W（温度）
IRF7342PBF	-	询价	6799	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF734		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001571984	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 P 沟道（双）			55V	3.4A		105mOhm@3.4A，10V	1V@250μA	38nC@10V		690pF@25V	逻辑电平门
AUIRFR2407	-	询价	1923年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-PAK (TO-252AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001520320	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		75V	42A（温度）	10V	26毫欧@25A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	110W（温度）
DDB6U134N16RRB80BPSA1	159.9700	询价	15	英飞凌科技	*	托盘	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15
FS450R12KE4BDSA1	734.6700	询价	1	英飞凌科技	经济包装™	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块				2250W	标准	AG-ECONOPP-1-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	全桥														沟渠场站	1200伏	第675章		2.1V@15V，450A				3毫安	是的	28nF@25V
FZ1600R17KE3NOSA1	1.0000	询价	4	英飞凌科技	-	托盘	不适合新设计	-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块	FZ1600			8950W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	天线塔														不扩散条约	1700伏	2300A		2.45V@15V，600A				5毫安	是的	145nF@25V
AUIRGP4066D1	-	询价	7462	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AUIRGP4066	标准		454 W		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400			400V，75A，10欧姆，15V											240纳秒	沟	600伏	140A	第225章	2.1V@15V，75A	4.24mJ（开），2.17mJ（关）	225℃	50纳秒/200纳秒
IPW90R120C3FKSA1	-	询价	2826	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW90R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		900伏	36A（温度）	10V	120毫欧@26A，10V	3.5V@2.9mA	270nC@10V	±20V	6800pF@100V	-	417W（温度）
SPI80N08S2-07R	-	询价	6020	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		75V	80A（温度）	10V	7.3毫欧@80A，10V	4V@250μA	185nC@10V	±20V	5830pF@25V	-	300W（温度）
IPD03N03LA G	1.4900	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD03N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	90A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@60A，10V	2V@70μA	41nC@5V	±20V	5200pF@15V	-	115W（温度）
IRG7PH42UD-EPBF	-	询价	第1463章	英飞凌科技	-	管子	过时的				IRG7PH						下载		不适用	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
IRG4BC15UD-S	-	询价	9591	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		49 W		D2PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			480V，7.8A，75欧姆，15V											28纳秒	-	600伏	14A	42A	2.4V@15V，7.8A	240μJ（开），260μJ（关）	23nC	17纳秒/160纳秒
IRFS4410PBF	-	询价	9954	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001573484	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	88A（温度）	10V	10毫欧@58A，10V	4V@150μA	180nC@10V	±20V	5150pF@50V	-	200W（温度）
BC847PNH6727XTSA1	0.1029	询价	2217	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BC847			250毫W		PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN、PNP	650mV@5mA、100mA	200@2mA，5V	250兆赫
IPI05N03LA	-	询价	3001	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI05N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		25V	80A（温度）	4.5V、10V	4.9毫欧@55A，10V	2V@50μA	25nC@5V	±20V	15V时为3110pF	-	94W（温度）
BS7067N06LS3G	-	询价	2846	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	14A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	6.7毫欧@20A，10V	2.2V@35μA	62nC@10V	±20V	4800pF@30V	-	2.1W（Ta）、78W（Tc）
FF800R12KE7EHPSA1	355.7000	询价	4	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块					标准	AG-62MMHB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥逆变器														沟渠场站	1200伏	800A		1.75V@15V，800A				100微安	不	122nF@25V
IRLB8314PBF	1.0400	询价	第591章	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRLB8314		MOSFET（金属O化物）			TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		30V	171A（TC）	4.5V、10V	2.4毫欧@68A，10V	2.2V@100μA	60nC@4.5V	±20V	5050pF@15V	-	125W（温度）
FF100R12RT4HOSA1	72.9100	询价	10	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF100R12			555W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立														沟渠场站	1200伏	100A		2.15V@15V，100A				1毫安	不	630nF@25V
IPP80P04P407AKSA1	-	询价	8186	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80P		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000842044	EAR99	8541.29.0095	500		P沟道		40V	80A（温度）	10V	7.7毫欧@80A，10V	4V@150μA	89nC@10V	±20V	6085pF@25V	-	88W（温度）
BCX56E6327HTSA1	-	询价	8954	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX56			2W		PG-SOT89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																80V	1A						100nA（ICBO）			NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²