晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
BCP5316H6327XTSA1	0.2968	询价	3529	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP53			2W		PG-SOT223-4-24	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															80V	1A						100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	125兆赫
SPW11N60CFDFKSA1	-	询价	9689	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW11N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		650伏	11A（温度）	10V	440毫欧@7A，10V	5V@500μA	64nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
SPB16N50C3ATMA1	-	询价	7074	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB16N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		560伏	16A（温度）	10V	280毫欧@10A，10V	3.9V@675μA	66nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	160W（温度）
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	询价	第490章	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA80R1		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		800V	3.9A（温度）	10V	1.4欧姆@2.3A，10V	3.9V@240μA	23nC@10V	±20V	570 pF @ 100 V	-	31W（温度）
IRL3705ZSTRLPBF	2.0500	询价	927	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRL3705		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		55V	75A（温度）	4.5V、10V	8毫欧@52A，10V	3V@250μA	60nC@5V	±16V	2880pF@25V	-	130W（温度）
BCX6925H6327XTSA1	0.3105	询价	7967	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX6925			3W		PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															20V	1A						100nA（ICBO）			国民党	500mV@100mA，1A	160@500mA，1V	100兆赫兹
BSS119 E6433	-	询价	9138	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		100V	170毫安（塔）	4.5V、10V	6欧姆@170mA，10V	2.3V@50μA	10V时为2.5nC	±20V	78pF@25V	-	360毫W（塔）
IRLR3717TRPBF	-	询价	8613	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001553200	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		20V	120A（温度）	4.5V、10V	4mOhm@15A，10V	2.45V@250μA	31nC@4.5V	±20V	10V时为2830pF	-	89W（温度）
IRF7805ATR	-	询价	4346	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		30V	13A（塔）	4.5V	11毫欧@7A，4.5V	3V@250μA	31nC@5V	±12V		-	2.5W（塔）
IPI80P03P405AKSA1	-	询价	5044	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80P		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000396316	EAR99	8541.29.0095	500		P沟道		30V	80A（温度）	10V	5毫欧@80A，10V	4V@253μA	130nC@10V	±20V	10300pF@25V	-	137W（温度）
IRF540ZSTRL	-	询价	4899	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100V	36A（温度）	10V	26.5毫欧@22A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	92W（温度）
BSP320S E6327	-	询价	6029	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	2.9A（塔）	10V	120毫欧@2.9A，10V	4V@20μA	12nC@10V	±20V	340pF@25V	-	1.8W（塔）
SPD07N20GBTMA1	-	询价	1932年	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SPD07N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		200V	7A（温度）	10V	400mOhm@4.5A，10V	4V@1mA	10V时为31.5nC	±20V	530pF@25V	-	40W（温度）
IRFS4610TRRPBF	-	询价	1037	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001573460	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100V	73A（温度）	10V	14毫欧@44A，10V	4V@100μA	140nC@10V	±20V	3550pF@50V	-	190W（温度）
BSR302KL6327	0.0900	询价	4943	英飞凌科技	-	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
BCW61BE6327HTSA1	0.0529	询价	8915	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCW61			330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															32V	100毫安						20nA（ICBO）			国民党	550mV@1.25mA、50mA	180@2mA，5V	250兆赫
BCP5516H6327XTSA1	0.2968	询价	6485	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP55			2W		PG-SOT223-4-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															60V	1A						100nA（ICBO）			NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	100兆赫兹
SPI20N60CFDHKSA1	-	询价	3820	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI20N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		650伏	20.7A（温度）	10V	220毫欧@13.1A，10V	5V@1mA	124nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	208W（温度）
AUIRFR6215TRL	3.0000	询价	1119	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR6215		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		150伏	13A（温度）	10V	295毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	66nC@10V	±20V	860pF@25V	-	110W（温度）
IRF9520NS	-	询价	6501	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF9520NS	EAR99	8541.29.0095	50		P沟道		100V	6.8A（温度）	10V	480毫欧@4A，10V	4V@250μA	27nC@10V	±20V	350pF@25V	-	3.8W（Ta）、48W（Tc）
FS75R12KE3BOSA1	-	询价	5014	英飞凌科技	-	大部分	SIC停产	150°C（太焦）	安装结构	模块	FS75R12			350W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔													不扩散条约	1200伏	105A		2.15V@15V，75A				5毫安	是的	5.3nF@25V
SGB07N120ATMA1	2.7031	询价	6161	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SGB07N	标准		125W		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			800V，8A，47欧姆，15V											不扩散条约	1200伏	16.5安	27A	3.6V@15V，8A	1毫焦耳	70℃	27纳秒/440纳秒
BSP135H6433XTMA1	1.5900	询价	22	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP135		MOSFET（金属O化物）			SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		600伏	120mA（塔）	0V、10V	45欧姆@120mA，10V	1V@94μA	5V时为4.9nC	±20V	146pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
IRF7473TRPBF	1.7100	询价	6	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7473		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		100V	6.9A（塔）	10V	26毫欧@4.1A，10V	5.5V@250μA	61nC@10V	±20V	3180pF@25V	-	2.5W（塔）
IPD50N03S2L06ATMA1	2.6300	询价	2	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距50		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	50A（温度）	4.5V、10V	6.4毫欧@50A，10V	2V@85μA	68nC@10V	±20V	1900pF@25V	-	136W（温度）
IPD60R750E6BTMA1	-	询价	6531	英飞凌科技	CoolMOS™ E6	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	5.7A（温度）	10V	750mOhm@2A，10V	3.5V@170μA	17.2nC@10V	±20V	100V时为373pF	-	48W（温度）
SPP15N65C3XKSA1	1.8100	询价	6	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		650伏	15A（温度）	10V	280毫欧@9.4A，10V	3.9V@675μA	63nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	156W（温度）
IPP052N06L3GHKSA1	-	询价	9518	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP052M		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000453616	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		60V	80A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@80A，10V	2.2V@58μA	50nC@4.5V	±20V	8400pF@30V	-	115W（温度）
SPA20N60CFDXKSA1	3.9983	询价	3369	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SPA20N60		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-31	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		600伏	20.7A（温度）	10V	220毫欧@13.1A，10V	5V@1mA	124nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	35W（温度）
IRFH5020TRPBF	2.3900	询价	第568章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	IRFH5020		MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		200V	5.1A（塔）	10V	55mOhm@7.5A，10V	5V@150μA	54nC@10V	±20V	100V时为2290pF	-	3.6W（Ta）、8.3W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²