SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (amp) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试
IPW60R125CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R125CPFKSA1 5.4657
RFQ
ECAD 1478 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IPW60R125 MOSFET (金属 o化物) PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240 n通道 600 v 25A(TC) 10V 125mohm @ 16a,10v 3.5V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 100 V - 208W(TC)
BSS225 Infineon Technologies BSS225 -
RFQ
ECAD 7489 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) PG-SOT89 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 90mA(ta) 4.5V,10V 45ohm @ 90mA,10v 2.3V @ 94µA 5.8 NC @ 10 V ±20V 131 PF @ 25 V - 1W(ta)
BSS84PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS84PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 8052 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 60 V 170mA(TA) 4.5V,10V 8ohm @ 170mA,10v 2V @ 20µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 19 pf @ 25 V - 360MW(TA)
BTS110E3045ANTMA1 Infineon Technologies BTS110E3045ANTMA1 -
RFQ
ECAD 1830年 0.00000000 Infineon技术 tempfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 10A(TC) 200mohm @ 5A,10V 3.5V @ 1mA 600 pf @ 25 V - -
BUZ31L E3044A Infineon Technologies BUZ31L E3044A -
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 200 v 13.5A(TC) 5V 200mohm @ 7a,5v 2V @ 1mA ±20V 1600 pf @ 25 V - 95W(TC)
PTF080101S V1 Infineon Technologies PTF080101S V1 -
RFQ
ECAD 7761 0.00000000 Infineon技术 Goldmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 H-32259-2 960MHz ldmos H-32259-2 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 1µA 150 ma 10W 18.5db - 28 V
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies SPD15N06S2L-64 -
RFQ
ECAD 9274 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SPD15N MOSFET (金属 o化物) PG-TO252-3-11 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 19a(tc) 4.5V,10V 64mohm @ 8a,10v 2V @ 14µA 13 NC @ 10 V ±20V 445 pf @ 25 V - 47W(TC)
SPI16N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI16N50C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 5671 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SPI16N MOSFET (金属 o化物) pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 560 v 16A(TC) 10V 280mohm @ 10a,10v 3.9V @ 675µA 66 NC @ 10 V ±20V 1600 pf @ 25 V - 160W(TC)
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies SPP100N08S2L-07 -
RFQ
ECAD 6925 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SPP100N MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 75 v 100A(TC) 10V 6.8mohm @ 68a,10v 2V @ 250µA 246 NC @ 10 V ±20V 7130 PF @ 25 V - 300W(TC)
SN7002W E6433 Infineon Technologies SN7002W E6433 -
RFQ
ECAD 3147 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 SN7002W MOSFET (金属 o化物) PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 230ma(ta) 4.5V,10V 5ohm @ 230mA,10v 1.8V @ 26µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 45 pf @ 25 V - 500MW(TA)
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies SPB100N04S2L-03 -
RFQ
ECAD 6802 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SPB100N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 100A(TC) 4.5V,10V 3mohm @ 80a,10v 2V @ 250µA 230 NC @ 10 V ±20V 8000 PF @ 25 V - 300W(TC)
SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA11N65C3XKSA1 4.2700
RFQ
ECAD 5306 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SPA11N65 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11A(TC) 10V 380MOHM @ 7A,10V 3.9V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 1200 pf @ 25 V - 33W(TC)
IRGS4065PBF Infineon Technologies IRGS4065pbf -
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 178 w D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 180v,25a,10ohm 300 v 70 a 2.1V @ 15V,70a - 62 NC 30NS/170NS
IRFS5620PBF Infineon Technologies IRFS5620pbf -
RFQ
ECAD 2922 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001565120 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 24A(TC) 10V 77.5MOHM @ 15A,10V 5V @ 100µA 38 NC @ 10 V ±20V 1710 PF @ 50 V - 144W(TC)
IRFU2607ZPBF Infineon Technologies IRFU2607ZPBF -
RFQ
ECAD 1103 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) IPAK(TO-251AA) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001576352 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 75 v 42A(TC) 10V 22mohm @ 30a,10v 4V @ 50µA 51 NC @ 10 V ±20V 1440 pf @ 25 V - 110W(TC)
IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies IRF520NSTRLPBF -
RFQ
ECAD 2099 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRF520 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 9.7a(TC) 10V 200mohm @ 5.7a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 330 pf @ 25 V - 3.8W(ta),48W(tc)
IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies IRFS4321TRLPBF 3.8500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFS4321 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 85A(TC) 10V 15mohm @ 33a,10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±30V 4460 pf @ 25 V - 350W(TC)
IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies IRFS3806TRLPBF 1.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IRFS3806 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 43A(TC) 10V 15.8mohm @ 25a,10v 4V @ 50µA 30 NC @ 10 V ±20V 1150 PF @ 50 V - 71W(TC)
IRLR7843CTRPBF Infineon Technologies IRLR7843CTRPBF -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6,000 n通道 30 V 161a(TC) 4.5V,10V 3.3mohm @ 15a,10v 2.3V @ 250µA 50 NC @ 4.5 V ±20V 4380 pf @ 15 V - 140W(TC)
IPB038N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB038N12N3GATMA1 6.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB038 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 120 v 120A(TC) 10V 3.8mohm @ 100a,10v 4V @ 270µA 211 NC @ 10 V ±20V 13800 PF @ 60 V - 300W(TC)
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP600N25N3GXKSA1 3.2000
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ipp600 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 25A(TC) 10V 60mohm @ 25a,10v 4V @ 90µA 29 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 100 V - 136W(TC)
IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R280C6XKSA1 2.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IPP60R280 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13.8A(TC) 10V 280MOHM @ 6.5a,10V 3.5V @ 430µA 43 NC @ 10 V ±20V 950 pf @ 100 V - 104W(TC)
IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R099C6FKSA1 8.1900
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IPW60R099 MOSFET (金属 o化物) PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 37.9a(TC) 10V 99mohm @ 18.1a,10v 3.5V @ 1.21MA 119 NC @ 10 V ±20V 2660 pf @ 100 V - 278W(TC)
SGI02N120XKSA1 Infineon Technologies SGI02N120XKSA1 -
RFQ
ECAD 1818年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA SGI02N 标准 62 W pg-to262-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 800V,2a,91ohm,15V npt 1200 v 6.2 a 9.6 a 3.6V @ 15V,2A 220µJ 11 NC 23NS/260NS
SGP07N120XKSA1 Infineon Technologies SGP07N120XKSA1 3.0067
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SGP07N 标准 125 w pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 800V,8a,47ohm,15V npt 1200 v 16.5 a 27 a 3.6V @ 15V,8a 1MJ 70 NC 27NS/440NS
SGP10N60AXKSA1 Infineon Technologies SGP10N60AXKSA1 -
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SGP10N60 标准 92 w pg-to220-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 400V,10a,25ohm,15V npt 600 v 20 a 40 a 2.4V @ 15V,10a 320µJ 52 NC 28NS/178NS
BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1 1.6900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSZ520 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 150 v 21a(TC) 8V,10V 52MOHM @ 18A,10V 4V @ 35µA 12 nc @ 10 V ±20V 890 pf @ 75 V - 57W(TC)
IGW08T120FKSA1 Infineon Technologies IGW08T120FKSA1 3.6300
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon技术 Trechstop® 管子 不适合新设计 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IGW08T120 标准 70 W PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,8a,81ohm,15V NPT,沟渠场停止 1200 v 16 a 24 a 2.2V @ 15V,8a 1.37MJ 53 NC 40NS/450NS
IHW30N90R Infineon Technologies IHW30N90R -
RFQ
ECAD 1409 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 454 w PG-TO247-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000209140 Ear99 8541.29.0095 240 600V,30a,15ohm,15V 沟渠场停止 900 v 60 a 90 a 1.7V @ 15V,30a 1.46mj 200 NC - /511NS
IKA10N60TXKSA1 Infineon Technologies IKA10N60TXKSA1 2.3200
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 Infineon技术 Trechstop® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 ika10n 标准 30 W pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,10a,23ohm,15V 115 ns 沟渠场停止 600 v 11.7 a 30 a 2.05V @ 15V,10A 430µJ 62 NC 12NS/215NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库