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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (amp) | 测试条件 | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW60R125CPFKSA1 | 5.4657 | ![]() | 1478 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IPW60R125 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 125mohm @ 16a,10v | 3.5V @ 1.1mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSS225 | - | ![]() | 7489 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT89 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 90mA(ta) | 4.5V,10V | 45ohm @ 90mA,10v | 2.3V @ 94µA | 5.8 NC @ 10 V | ±20V | 131 PF @ 25 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84PL6327HTSA1 | - | ![]() | 8052 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 170mA(TA) | 4.5V,10V | 8ohm @ 170mA,10v | 2V @ 20µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | 19 pf @ 25 V | - | 360MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BTS110E3045ANTMA1 | - | ![]() | 1830年 | 0.00000000 | Infineon技术 | tempfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 10A(TC) | 200mohm @ 5A,10V | 3.5V @ 1mA | 600 pf @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ31L E3044A | - | ![]() | 7256 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 200 v | 13.5A(TC) | 5V | 200mohm @ 7a,5v | 2V @ 1mA | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 95W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTF080101S V1 | - | ![]() | 7761 | 0.00000000 | Infineon技术 | Goldmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | H-32259-2 | 960MHz | ldmos | H-32259-2 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 1µA | 150 ma | 10W | 18.5db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD15N06S2L-64 | - | ![]() | 9274 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SPD15N | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 19a(tc) | 4.5V,10V | 64mohm @ 8a,10v | 2V @ 14µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 445 pf @ 25 V | - | 47W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SPI16N50C3HKSA1 | - | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SPI16N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 560 v | 16A(TC) | 10V | 280mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 675µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 1600 pf @ 25 V | - | 160W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SPP100N08S2L-07 | - | ![]() | 6925 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SPP100N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 75 v | 100A(TC) | 10V | 6.8mohm @ 68a,10v | 2V @ 250µA | 246 NC @ 10 V | ±20V | 7130 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SN7002W E6433 | - | ![]() | 3147 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | SN7002W | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 60 V | 230ma(ta) | 4.5V,10V | 5ohm @ 230mA,10v | 1.8V @ 26µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | 45 pf @ 25 V | - | 500MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SPB100N04S2L-03 | - | ![]() | 6802 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SPB100N | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 80a,10v | 2V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ±20V | 8000 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SPA11N65C3XKSA1 | 4.2700 | ![]() | 5306 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SPA11N65 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 3.9V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1200 pf @ 25 V | - | 33W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS4065pbf | - | ![]() | 6670 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 178 w | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 180v,25a,10ohm | 沟 | 300 v | 70 a | 2.1V @ 15V,70a | - | 62 NC | 30NS/170NS | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS5620pbf | - | ![]() | 2922 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001565120 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 24A(TC) | 10V | 77.5MOHM @ 15A,10V | 5V @ 100µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1710 PF @ 50 V | - | 144W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU2607ZPBF | - | ![]() | 1103 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | IPAK(TO-251AA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001576352 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 75 v | 42A(TC) | 10V | 22mohm @ 30a,10v | 4V @ 50µA | 51 NC @ 10 V | ±20V | 1440 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF520NSTRLPBF | - | ![]() | 2099 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRF520 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 9.7a(TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 330 pf @ 25 V | - | 3.8W(ta),48W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4321TRLPBF | 3.8500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFS4321 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 150 v | 85A(TC) | 10V | 15mohm @ 33a,10v | 5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±30V | 4460 pf @ 25 V | - | 350W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3806TRLPBF | 1.4100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IRFS3806 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | 43A(TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a,10v | 4V @ 50µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1150 PF @ 50 V | - | 71W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR7843CTRPBF | - | ![]() | 2871 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n通道 | 30 V | 161a(TC) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 15a,10v | 2.3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±20V | 4380 pf @ 15 V | - | 140W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB038N12N3GATMA1 | 6.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IPB038 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 120 v | 120A(TC) | 10V | 3.8mohm @ 100a,10v | 4V @ 270µA | 211 NC @ 10 V | ±20V | 13800 PF @ 60 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPP600N25N3GXKSA1 | 3.2000 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ipp600 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 25A(TC) | 10V | 60mohm @ 25a,10v | 4V @ 90µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R280C6XKSA1 | 2.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IPP60R280 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 13.8A(TC) | 10V | 280MOHM @ 6.5a,10V | 3.5V @ 430µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R099C6FKSA1 | 8.1900 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IPW60R099 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 37.9a(TC) | 10V | 99mohm @ 18.1a,10v | 3.5V @ 1.21MA | 119 NC @ 10 V | ±20V | 2660 pf @ 100 V | - | 278W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SGI02N120XKSA1 | - | ![]() | 1818年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SGI02N | 标准 | 62 W | pg-to262-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V,2a,91ohm,15V | npt | 1200 v | 6.2 a | 9.6 a | 3.6V @ 15V,2A | 220µJ | 11 NC | 23NS/260NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SGP07N120XKSA1 | 3.0067 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SGP07N | 标准 | 125 w | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V,8a,47ohm,15V | npt | 1200 v | 16.5 a | 27 a | 3.6V @ 15V,8a | 1MJ | 70 NC | 27NS/440NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | SGP10N60AXKSA1 | - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SGP10N60 | 标准 | 92 w | pg-to220-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V,10a,25ohm,15V | npt | 600 v | 20 a | 40 a | 2.4V @ 15V,10a | 320µJ | 52 NC | 28NS/178NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ520N15NS3GATMA1 | 1.6900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSZ520 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSDSON-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 150 v | 21a(TC) | 8V,10V | 52MOHM @ 18A,10V | 4V @ 35µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 890 pf @ 75 V | - | 57W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IGW08T120FKSA1 | 3.6300 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trechstop® | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IGW08T120 | 标准 | 70 W | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,8a,81ohm,15V | NPT,沟渠场停止 | 1200 v | 16 a | 24 a | 2.2V @ 15V,8a | 1.37MJ | 53 NC | 40NS/450NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | IHW30N90R | - | ![]() | 1409 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 454 w | PG-TO247-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000209140 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 600V,30a,15ohm,15V | 沟渠场停止 | 900 v | 60 a | 90 a | 1.7V @ 15V,30a | 1.46mj | 200 NC | - /511NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IKA10N60TXKSA1 | 2.3200 | ![]() | 4364 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trechstop® | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | ika10n | 标准 | 30 W | pg-to220-3-31 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,10a,23ohm,15V | 115 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 11.7 a | 30 a | 2.05V @ 15V,10A | 430µJ | 62 NC | 12NS/215NS |
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