SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB042N10N3GATMA1 3.0600
RFQ
ECAD 82 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB042 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 100A(TC) 6V,10V 4.2MOHM @ 50a,10v 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 V ±20V 8410 PF @ 50 V - 214W(TC)
IPB054N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB054N08N3GATMA1 2.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB054 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 80 V 80A(TC) 6V,10V 5.4mohm @ 80a,10v 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 V ±20V 4750 PF @ 40 V - 150W(TC)
IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB067N08N3GATMA1 2.7800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB067 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 80 V 80A(TC) 6V,10V 6.7MOHM @ 73A,10V 3.5V @ 73µA 56 NC @ 10 V ±20V 3840 pf @ 40 V - 136W(TC)
IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPB072N15N3GATMA1 6.9500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB072 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 150 v 100A(TC) 8V,10V 7.2MOHM @ 100A,10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 V ±20V 5470 pf @ 75 V - 300W(TC)
IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB083N10N3GATMA1 1.6900
RFQ
ECAD 960 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB083 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 80A(TC) 6V,10V 8.3MOHM @ 73A,10V 3.5V @ 75µA 55 NC @ 10 V ±20V 3980 pf @ 50 V - 125W(TC)
IPB093N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB093N04LGATMA1 -
RFQ
ECAD 4676 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB093N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 50A(TC) 4.5V,10V 9.3MOHM @ 50a,10v 2V @ 16µA 28 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 20 V - 47W(TC)
IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB100N04S2L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 8882 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB100N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 100A(TC) 4.5V,10V 3mohm @ 80a,10v 2V @ 250µA 230 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 300W(TC)
IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1 -
RFQ
ECAD 8535 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB100N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 100A(TC) 4.5V,10V 4.4mohm @ 80a,10v 2V @ 250µA 230 NC @ 10 V ±20V 5660 pf @ 25 V - 300W(TC)
IPB114N03L G Infineon Technologies IPB114N03L g -
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB114N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 30A(TC) 4.5V,10V 11.4mohm @ 30a,10v 2.2V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 15 V - 38W(TC)
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB147N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB147N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 14.7mohm @ 20a,10v 2.2V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 1000 pf @ 15 V - 31W(TC)
IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S203ATMA1 -
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB160N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 160a(TC) 10V 2.9MOHM @ 60a,10v 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPB160N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies IPB160N04S2L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 5621 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB160N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 160a(TC) 4.5V,10V 2.7MOHM @ 80A,10V 2V @ 250µA 230 NC @ 5 V ±20V 6000 pf @ 15 V - 300W(TC)
IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPB200N15N3GATMA1 3.1500
RFQ
ECAD 109 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB200 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 150 v 50A(TC) 8V,10V 20mohm @ 50a,10v 4V @ 90µA 31 NC @ 10 V ±20V 1820 PF @ 75 V - 150W(TC)
IPB34CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPB34CN10NGATMA1 -
RFQ
ECAD 7110 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB34C MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 27a(TC) 10V 34mohm @ 27a,10v 4V @ 29µA 24 NC @ 10 V ±20V 1570 pf @ 50 V - 58W(TC)
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies IPB47N10SL26ATMA1 -
RFQ
ECAD 2155 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB47N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 47A(TC) 4.5V,10V 26mohm @ 33a,10v 2V @ 2mA 135 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 25 V - 175W(TC)
IPB60R125CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R125CPATMA1 7.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™CP 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB60R125 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 25A(TC) 10V 125mohm @ 16a,10v 3.5V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 100 V - 208W(TC)
IPB60R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R199CPATMA1 4.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™CP 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB60R199 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 16A(TC) 10V 199mohm @ 9.9a,10V 3.5V @ 660µA 43 NC @ 10 V ±20V 1520 PF @ 100 V - 139W(TC)
IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R299CPATMA1 -
RFQ
ECAD 4761 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™CP 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB60R MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 11A(TC) 10V 299MOHM @ 6.6a,10V 3.5V @ 440µA 29 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 96W(TC)
IPB60R385CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R385CPATMA1 -
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 Infineon技术 Coolmos™CP 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB60R MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 9A(TC) 10V 385MOHM @ 5.2A,10V 3.5V @ 340µA 22 NC @ 10 V ±20V 790 pf @ 100 V - 83W(TC)
IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB80N03S4L02ATMA1 1.5551
RFQ
ECAD 3456 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 2.4mohm @ 80a,10v 2.2V @ 90µA 140 NC @ 10 V ±16V 9750 PF @ 25 V - 136W(TC)
IPB80N04S204ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S204ATMA1 -
RFQ
ECAD 2325 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 80A(TC) 10V 3.4mohm @ 80a,10v 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPB80N04S2H4ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S2H4ATMA1 -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 80A(TC) 10V 3.7MOHM @ 80A,10V 4V @ 250µA 148 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPB80N06S205ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S205ATMA1 -
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 4.8mohm @ 80a,10v 4V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 5110 PF @ 25 V - 300W(TC)
IPB80N06S207ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1 -
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 6.3MOHM @ 68A,10V 4V @ 180µA 110 NC @ 10 V ±20V 3400 PF @ 25 V - 250W(TC)
IPB80N06S209ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA1 -
RFQ
ECAD 7122 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 8.8mohm @ 50a,10v 4V @ 125µA 80 NC @ 10 V ±20V 2360 pf @ 25 V - 190w(TC)
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1 -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 6mohm @ 69a,10v 2V @ 180µA 150 NC @ 10 V ±20V 3800 PF @ 25 V - 250W(TC)
IPB80N06S2L11ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA1 -
RFQ
ECAD 4839 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 10.7MOHM @ 60a,10v 2V @ 93µA 80 NC @ 10 V ±20V 2075 PF @ 25 V - 158W(TC)
IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies IPB80N06S2L-H5 -
RFQ
ECAD 5213 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB80N MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 4.5V,10V 4.7mohm @ 80a,10v 2V @ 250µA 190 NC @ 10 V ±20V 5000 pf @ 25 V - 300W(TC)
IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD031N06L3GATMA1 2.9100
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD031 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A(TC) 4.5V,10V 3.1MOHM @ 100A,10V 2.2V @ 93µA 79 NC @ 4.5 V ±20V 13000 PF @ 30 V - 167W(TC)
IPD034N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD034N06N3GATMA1 1.8300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IPD034 MOSFET (金属 o化物) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A(TC) 10V 3.4mohm @ 100a,10v 4V @ 93µA 130 NC @ 10 V ±20V 11000 PF @ 30 V - 167W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库