晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
AUIRFS3207Z-INF	-	询价	5796	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	100		N沟道						75V	120A（温度）		4.1毫欧@75A，10V	4V@150μA	170nC@10V	±20V	6920pF@50V	-	300W（温度）
SPP80N06S2L-11	-	询价	5782	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SPP80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						55V	80A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@40A，10V	2V@93μA	80nC@10V	±20V	2650pF@25V	-	158W（温度）
FZ2400R17HE4B9NPSA1	967.5700	询价	1	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块					15500W	标准	-	下载					EAR99	8541.29.0095	1	单开关																			-	1700伏	2400A		2.3V@15V，2.4kA					5毫安	不	195nF@25V
BSC011N03LSIATMA1	1.9400	询价	63	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC011			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	37A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1.1毫欧@30A，10V	2V@250μA	68nC@10V	±20V	4300pF@15V	-	2.5W（Ta）、96W（Tc）
BC856S E6433	0.0300	询价	8372	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BC856				250毫W		SOT-363	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,666																					65V	100毫安							15nA（ICBO）			2 PNP（双）	650mV@5mA、100mA	200@2mA，5V	250兆赫
IRF7756GTRPBF	-	询价	3304	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	IRF775			MOSFET（金属O化物）	1W		8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）							12V	4.3A		40毫欧@4.3A，4.5V	900mV@250μA	18nC@4.5V		1400pF@10V	逻辑电平门
DDB6U134N16RRB11BPSA2	107.6700	询价	15	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	DDB6U134				400W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	单斩波器																			-	1200伏	125A		2.6V@15V，75A					1毫安	是的	5.1nF@25V
IPP16CNE8N G	-	询价	1111	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP16C			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						85V	53A（温度）	10V	16.5毫欧@53A，10V	4V@61μA	48nC@10V	±20V	3230pF@40V	-	100W（温度）
IRLR3303TRL	-	询价	6441	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	=94-4007	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						30V	35A（温度）	4.5V、10V	31毫欧@21A，10V	1V@250μA	26nC@4.5V	±16V	870pF@25V	-	68W（温度）
2ED300C17STROHSBPSA1	188.1400	询价	9443	英飞凌科技	EiceDriver™	托盘	的积极		-40℃～85℃	通孔	模块	2ED300					标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8543.70.9860	12	2 独立																			-	1700伏			-						不
IRF3704L	-	询价	1012	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3704L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						20V	77A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1996pF@10V	-	87W（温度）
IPI60R199CPXKSA1	2.8798	询价	7604	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI60R199			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						600伏	16A（温度）	10V	199毫欧@9.9A，10V	3.5V@660μA	43nC@10V	±20V	1520 pF @ 100 V	-	139W（温度）
FS75R12KE3BPSA1	143.2800	询价	4271	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS75R12				350W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	全桥景观器																			-	1200伏	105A		2.15V@15V，75A					5毫安	是的	5.3nF@25V
BSC0924NDIATMA1	1.3500	询价	79	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC0924			MOSFET（金属O化物）	1W		PG-TISON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道（双）不定价							30V	17A、32A		5毫欧@20A，10V	2V@250μA	10nC@4.5V		1160pF@15V	逻辑电平门，4.5V驱动
IPB80N04S3-04	1.4200	询价	225	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-4、D²Pak（3引脚+接片）、TO-263AA				MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	225		N沟道						40V	80A（温度）		4.1毫欧@80A，10V	4V@90μA	80nC@10V	±20V	5200pF@25V	-	136W（温度）
IPC300N20N3X7SA1	-	询价	7433	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	过时的		-	表面贴装	死	工控机300N			MOSFET（金属O化物）			死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001155558	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						200V	-	10V	100mOhm@2A，10V	4V@270μA		-		-	-
IKB40N65EF5ATMA1	5.0200	询价	8020	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IKB40N65	标准			250W		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V，40A，15欧姆，15V															83纳秒	沟渠场站	650伏	74A	160A	2.1V@15V，40A	420μJ（开），100μJ（关）	95℃	22纳秒/160纳秒
SGW15N120FKSA1	-	询价	5765	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SGW15N	标准			198 W		PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240				800V，15A，33欧姆，15V																不扩散条约	1200伏	30A	52A	3.6V@15V，15A	1.9毫焦耳	130 纳克	18纳秒/580纳秒
FP15R12W2T4BOMA1	52.8400	询价	14	英飞凌科技	EasyPIM™	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP15R12				145W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																			沟渠场站	1200伏	30A		2.25V@15V，15A					1毫安	是的	890pF@25V
IPB34CN10NGATMA1	-	询价	7110	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB34C			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	27A（温度）	10V	34mOhm@27A，10V	4V@29μA	24nC@10V	±20V	1570pF@50V	-	58W（温度）
IPB45N06S3-16	-	询价	5970	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB45N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						55V	45A（温度）	10V	15.4毫欧@23A，10V	4V@30μA	57nC@10V	±20V	2980pF@25V	-	65W（温度）
BF 5030R E6327	-	询价	3326	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	SOT-143R	BF 5030		800兆赫	场效应管			PG-SOT-143R-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		25毫安		10毫安	-	24分贝											1.3分贝										3V
FS50R12KT3BOSA1	67.3700	询价	5	英飞凌科技	*	大部分	的积极												下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-FS50R12KT3BOSA1-448			5
SPP04N50C3XKSA1	-	询价	7142	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP04N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000681022	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						560伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	22nC@10V	±20V	470pF@25V	-	50W（温度）
IRFH5210TR2PBF	-	询价	5309	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	8-PowerVDFN				MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道						100伏	10A（Ta）、55A（Tc）		14.9毫欧@33A，10V	4V@100μA	59nC@10V		25V时为2570pF	-
IGB50N65S5ATMA1	3.9100	询价	3	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IGB50	标准			270W		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V，50A，8.2欧姆，15V																沟渠场站	650伏	80A	200A	1.7V@15V，50A	1.23mJ（开），740μJ（关）	120℃	20纳秒/139纳秒
IRG4IBC10UD	-	询价	4177	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准			25W		PG-TO220-FP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4IBC10UD	EAR99	8541.29.0095	50				480V，5A，100欧姆，15V															28纳秒	-	600伏	6.8安	27A	2.6V@15V，5A	140μJ（开），120μJ（关）	15纳克	40纳秒/87纳秒
IRF5800TRPBF	-	询价	3140	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6				MOSFET（金属O化物）			Micro6™(TSOP-6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						30V	4A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@4A，10V	1V@250μA	17nC@10V	±20V	535pF@25V	-	2W（塔）
IPU060N03L G	-	询价	3721	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU060N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						30V	50A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	23nC@10V	±20V	2400pF@15V	-	56W（温度）
IRFU120ZPBF	-	询价	第1739章	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA				MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						100伏	8.7A（温度）	10V	190毫欧@5.2A，10V	4V@250μA	10nC@10V	±20V	310pF@25V	-	35W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²