晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
ISZ0804NLSATMA1	1.5000	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	ISZ0804N		MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8-26	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			100伏	11A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、10V	11.5毫欧@20A，10V	2.3V@28μA	24nC@10V	±20V	1600pF@50V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）
FF2MR12KM1HHPSA1	906.9900	询价	7065	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-	安装结构	模块	FF2MR12				标准	AG-62MMHB	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥															沟渠场站	1200伏			-					不
FF450R07ME4BOSA1	208.7800	询价	8785	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF450R07			20毫W	标准	AG-ECONOD-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立															沟渠场站	650伏	450A		1.95V@15V，450A				1毫安	是的	27.5nF@25V
IRL3714STR	-	询价	1091	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
IRFR3710ZTRRPBF	-	询价	5763	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001567124	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			100伏	42A（温度）	10V	18毫欧@33A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	2930pF@25V	-	140W（温度）
FF3MR20KM1HSHPSA1	1.0000	询价	3324	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-	安装结构	模块					标准	AG-62MMHB	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥															沟渠场站	2000伏			-					不
IPI110N20N3GAKSA1	-	询价	6005	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI110		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			200V	88A（温度）	10V	11毫欧@88A，10V	4V@270μA	87nC@10V	±20V	7100pF@100V	-	300W（温度）
IRFR18N15DTRL	-	询价	1076	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			150伏	18A（温度）	10V	125毫欧@11A，10V	5.5V@250μA	43nC@10V	±30V	900pF@25V	-	110W（温度）
IPDD60R080G7XTMA1	8.0100	询价	6142	英飞凌科技	CoolMOS™ G7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PowerSOP模块	IPDD60		MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-10-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,700		N沟道			600伏	29A（温度）	10V	80毫欧@9.7A，10V	4V@490μA	42nC@10V	±20V	1640 pF @ 400 V	-	174W（温度）
IPI120P04P404AKSA1	-	询价	1023	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI120P		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000842274	EAR99	8541.29.0095	500		P沟道			40V	120A（温度）	10V	3.8毫欧@100A，10V	4V@340μA	205nC@10V	±20V	14790pF@25V	-	136W（温度）
IPB65R225C7ATMA1	-	询价	2290	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			650伏	11A（温度）	10V	225毫欧@4.8A，10V	4V@240μA	20nC@10V	±20V	996 pF @ 400 V	-	63W（温度）
IPC26N12NX1SA1	3.4959	询价	6050	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-	表面贴装	死	IPC26N		MOSFET（金属O化物）			锯片在铝箔上	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			120V	1A（Tj）	10V	100mOhm@2A，10V	4V@244μA		-		-	-
SPU04N60C3BKMA1	-	询价	6382	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SPU04N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			650伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	25nC@10V	±20V	490pF@25V	-	50W（温度）
IRFR3710ZTRL	-	询价	4916	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			100伏	42A（温度）	10V	18毫欧@33A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	2930pF@25V	-	140W（温度）
BSO4804T	-	询价	9227	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO4804		MOSFET（金属O化物）	2W		PG-DSO-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）				30V	8A		20毫欧@8A，10V	2V@30μA	17nC@5V		870pF @ 25V	逻辑电平门
FP15R12W1T7BOMA1	48.8700	询价	18	英飞凌科技	EasyPIM™	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FP15R12			20毫W	东部桥式调整器	AG-EASY1B-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	天线塔															沟渠场站	1200伏	15A		-				3微安	是的	2.82nF@25V
IRF9362PBF	-	询价	4953	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF9362		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001566534	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 P 沟道（双）				30V	8A		21毫欧@8A，10V	2.4V@25μA	39nC@10V		1300pF@25V	逻辑电平门
BC 807-16 E6433	-	询价	9489	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计807年			330毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																	45V	500毫安						100nA（ICBO）			国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	200兆赫
IPT65R080CFD7XTMA1	3.3605	询价	6407	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	8-PowerSFN			-			PG-HSOF-8-3	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		-			650伏	-	-	-	-		-		-	-
IRF7402PBF	-	询价	1765	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7402		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001551318	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			20V	6.8A（塔）	2.7V、4.5V	35毫欧@4.1A，4.5V	700mV @ 250μA（极低）	22nC@4.5V	±12V	650pF@15V	-	2.5W（塔）
IRGS4065PBF	-	询价	6670	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		178 W		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			180V，25A，10欧姆													沟	300伏	70A		2.1V@15V，70A	-	62纳克	30纳秒/170纳秒
IPG20N10S4L22AATMA1	1.7600	询价	5357	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerVDFN	IPG20N		MOSFET（金属O化物）	60W		PG-TDSON-8-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）				100V	20A		22毫欧@17A，10V	2.1V@25μA	27nC@10V		1755pF@25V	逻辑电平门
FF450R12KE7EHPSA1	259.0180	询价	3379	英飞凌科技	-	托盘	的积极										-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10
IPP200N15N3GHKSA1	-	询价	9922	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP200N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000414714	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			150伏	50A（温度）	8V、10V	20毫欧@50A，10V	4V@90μA	31nC@10V	±20V	75V时为1820pF	-	150W（温度）
SPA03N60C3XK	1.0000	询价	8162	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			600伏	3.2A（温度）	10V	1.4欧姆@2A，10V	3.9V@135μA	17nC@10V	±20V	400pF@25V	-	29.7W（温度）
IPP05CN10NGXKSA1	2.2352	询价	第1488章	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP05CN10		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			100伏	100A（温度）	10V	5.4毫欧@100A，10V	4V@250μA	181nC@10V	±20V	12000pF@50V	-	300W（温度）
SKB06N60ATMA1	-	询价	8352	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SKB06N	标准		68W		PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，6A，50欧姆，15V												200纳秒	不扩散条约	600伏	12A	24A	2.4V@15V，6A	215μJ	32nC	25纳秒/220纳秒
IRL6372PBF	-	询价	5176	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRL6372		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001568406	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 N 沟道（双）				30V	8.1A		17.9毫欧@8.1A，4.5V	1.1V@10μA	11nC@4.5V		1020pF@25V	逻辑电平门
BFR 92W E6327	-	询价	1242	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	SC-70、SOT-323	溴化阻燃剂92			280毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				11.5分贝～17分贝													15V	45毫安									NPN		70@15mA，8V	5GHz	1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF8910TRPBF-1	-	询价	1715	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF89		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）		8-SO	-			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				20V	10A（塔）		13.4毫欧@10A、10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V		960pF@10V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²