晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
FF450R12ME4PB11BOSA1	239.7200	询价	6	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF450R12				标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6	2 独立															沟渠场站	1200伏	450A		2.1V@15V，450A				3毫安	是的	28nF@25V
BCP69-16	-	询价	6851	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				3W		PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																	20V	1A						100nA（ICBO）				500mV@100mA，1A	100@500mA，1V	100兆赫兹
IRLSL4030PBF	4.5600	询价	7490	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRLSL4030		MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100伏	180A（温度）	4.5V、10V	4.3毫欧@110A，10V	2.5V@250μA	130nC@4.5V	±16V	11360pF@50V	-	370W（温度）
AUIRF1010EZ	-	询价	4224	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			60V	75A（温度）		8.5毫欧@51A，10V	4V@250μA	86nC@10V		2810pF@25V	-	140W（温度）
AUIRFS3107-7P	-	询价	7617	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）			D2PAK（7导联）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			75V	240A（温度）	10V	2.6毫欧@160A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	9200pF@50V	-	370W（温度）
AIMZH120R120M1TXKSA1	10.1405	询价	5639	英飞凌科技	*	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-AIMZH120R120M1TXKSA1			240
IPI70P04P409AKSA1	-	询价	2561	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI70P		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000735974	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			40V	72A（温度）	10V	9.4毫欧@70A，10V	4V@120μA	70nC@10V	±20V	4810pF@25V	-	75W（温度）
SPD30N06S2-15	-	询价	3523	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器30N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			55V	30A（温度）	10V	14.7毫欧@30A，10V	4V@80μA	52nC@10V	±20V	2070pF@25V	-	136W（温度）
IRF7805A	-	询价	6820	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF7805A	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			30V	13A（塔）	4.5V	11毫欧@7A，4.5V	3V@250μA	31nC@5V	±12V		-	2.5W（塔）
IRFSL4321PBF	-	询价	5953	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001550194	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			150伏	85A（温度）	10V	15毫欧@33A，10V	5V@250μA	110nC@10V	±30V	4460pF@25V	-	350W（温度）
BCX69-25E6327HTSA1	0.1400	询价	5	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				3W		PG-SOT89	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,077																	20V	1A						100nA（ICBO）			国民党	500mV@100mA，1A	160@500mA，1V	100兆赫兹
IRG5K75HF06A	-	询价	5067	英飞凌科技	-	盒子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	POWIR® 34 模块	IRG5K75			330W	标准	POWIR®34	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001548060	EAR99	8541.29.0095	20	半桥															-	600伏	140A		2.1V@15V，75A				1毫安	不	3.6nF@25V
IPB80N03S4L02ATMA1	1.5551	询价	3456	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			30V	80A（温度）	4.5V、10V	2.4毫欧@80A，10V	2.2V@90μA	140nC@10V	±16V	9750pF@25V	-	136W（温度）
IFS200B12N3E4B37BPSA1	434.9280	询价	2379	英飞凌科技	MIPAQ™	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	IFS200			20毫W	标准	AG-ECONO3B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥															沟渠场站	1200伏	200A		2.1V@15V，200A				1毫安	是的	14nF@25V
IPB80N04S2H4ATMA1	-	询价	第1275章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			40V	80A（温度）	10V	3.7毫欧@80A，10V	4V@250μA	148nC@10V	±20V	4400pF@25V	-	300W（温度）
FF600R17ME4BOSA1	471.1900	询价	3348	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FF600R17				标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立															沟渠场站	1700伏			2.3V@15V，600A				1毫安	是的	48nF@25V
BCR183WE6327	-	询价	9196	英飞凌科技	-	大部分	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR183			250毫W		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安						100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
IRLL024NPBF-INF	-	询价	2619	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			SOT-223	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	181		N沟道			55V	3.1A（塔）		65毫欧@3.1A，10V	2V@250μA	15.6nC@5V	±16V	510pF@25V	-	1W（塔）
IPD031N06L3GATMA1	2.9100	询价	52	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD031		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			60V	100A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@100A，10V	2.2V@93μA	79nC@4.5V	±20V	13000pF@30V	-	167W（温度）
F4100R06KL4BOSA1	-	询价	5490	英飞凌科技	-	托盘	过时的	-40℃～125℃	安装结构	模块	F4100R			430W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥															-	600伏	130A		2.55V@15V，100A				5毫安	是的	4.3nF@25V
AUXAKF1405ZS-7P	-	询价	2794	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK（7导联）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			55V	120A（温度）	10V	4.9毫欧@88A，10V	4V@150μA	230nC@10V	±20V	5360pF@25V	-	230W（温度）
IPP50R299CP	1.0000	询价	5655	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			500V	12A（温度）	10V	299毫欧@6.6A，10V	3.5V@440μA	31nC@10V	±20V	1190 pF @ 100 V	-	104W（温度）
BSM50GX120DN2BOSA1	162.1200	询价	8104	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买				BSM50G						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10
IPP80N08S207AKSA1	2.3890	询价	8676	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N08		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			75V	80A（温度）	10V	7.4毫欧@80A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	4700pF@25V	-	300W（温度）
BFP 620F E7764	-	询价	8847	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，写入	BFP 620			185毫W		4-TSFP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				21分贝													2.8V	80毫安									NPN		110@50mA，1.5V	65GHz			0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
AUIRGP65A40D0	-	询价	3050	英飞凌科技	CooliRIGBT™	管子	过时的		通孔	TO-247-3	AUIRGP65					TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400
IRGPC50U	-	询价	5961	英飞凌科技	-	包	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		200W		TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25																-	600伏	55A		3V@15V，27A
IRGIB4630DPBF	-	询价	3864	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包		标准		206W		PG-TO220-FP	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001548140	EAR99	8541.29.0095	50			400V，18A，22欧姆，15V												100纳秒	不扩散条约	600伏	47一个	54A	1.95V@15V，18A	95μJ（开），350μJ（关）	35nC	40纳秒/105纳秒
AIKW20N60CTXKSA1	6.5600	询价	4944	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、TrenchStop™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AIKW20	标准		166 W		PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001346790	EAR99	8541.29.0095	30			400V，20A，12欧姆，15V													沟渠场站	600伏	40A	60A	2.05V@15V，20A	310μJ（开），460μJ（关）	120℃	18纳秒/199纳秒
BC 847B B5003	-	询价	9485	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计847年			330毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	45V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	250兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²