晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
FZ1200R33KF2CNOSA1	-	询价	4152	英飞凌科技	-	托盘	过时的		-40℃～125℃	安装结构	模块	FZ1200				14500W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	全桥																		-	3300伏	2000A		4.25V@15V，1200A					12毫安	不	150nF@25V
FF600R17KF6CB2NOSA1	-	询价	1801	英飞凌科技	IHM-B	托盘	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块					4800W	标准	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	2 独立																		-	1700伏			3.1V@15V，600A					5毫安	不	40nF@25V
BF 5030R E6327	-	询价	3326	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	SOT-143R	BF 5030		800兆赫	场效应管			PG-SOT-143R-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		25毫安		10毫安	-	24分贝											1.3分贝									3V
FS75R12KE3BPSA1	143.2800	询价	4271	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS75R12				350W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	全桥景观器																		-	1200伏	105A		2.15V@15V，75A					5毫安	是的	5.3nF@25V
IRF5800TRPBF	-	询价	3140	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6				MOSFET（金属O化物）			Micro6™(TSOP-6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						30V	4A（塔）	4.5V、10V	85毫欧@4A，10V	1V@250μA	17nC@10V	±20V	535pF@25V	-	2W（塔）
SPD14N06S2-80	-	询价	1611	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器14N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						55V	17A（温度）	10V	80mOhm@7A，10V	4V@14μA	10nC@10V	±20V	400pF@25V	-	30W（温度）
BCV48H6327XTSA1	0.2669	询价	7280	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCV48				1W		PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																				60V	500毫安							100nA（ICBO）			PNP-达林顿	1V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	200兆赫
IRF6635TRPBF	-	询价	7644	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX				MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道						30V	32A（Ta）、180A（Tc）	4.5V、10V	1.8毫欧@32A，10V	2.35V@250μA	71nC@4.5V	±20V	5970pF@15V	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
IPB45N06S3-16	-	询价	5970	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB45N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						55V	45A（温度）	10V	15.4毫欧@23A，10V	4V@30μA	57nC@10V	±20V	2980pF@25V	-	65W（温度）
IRFH5210TR2PBF	-	询价	5309	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	8-PowerVDFN				MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道						100伏	10A（Ta）、55A（Tc）		14.9毫欧@33A，10V	4V@100μA	59nC@10V		25V时为2570pF	-
BF 775 E6327	-	询价	4238	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					280毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000							10.5分贝～16分贝													15V	45毫安										NPN		70@15mA，8V	5GHz			1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRG4BH20K-SPBF	-	询价	8802	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRG4BH20	标准			60W		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				960V，5A，50欧姆，15V															-	1200伏	11A	22A	4.3V@15V，5A	450μJ（开），440μJ（关）	28nC	23纳秒/93纳秒
IRFR3412PBF	-	询价	9817	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRFR3412PBF	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						100伏	48A（温度）	10V	25毫欧@29A，10V	5.5V@250μA	89nC@10V	±20V	3430pF@25V	-	140W（温度）
IPW65R019C7FKSA1	2000年26月	询价	第324章	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW65R019			MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						650伏	75A（温度）	10V	19毫欧@58.3A，10V	4V@2.92mA	215nC@10V	±20V	9900 pF @ 400 V	-	446W（温度）
IPU060N03L G	-	询价	3721	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU060N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						30V	50A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	23nC@10V	±20V	2400pF@15V	-	56W（温度）
FS100R07N2E4BPSA1	136.6000	询价	5677	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS100R07				335W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																		沟渠场站	650伏	100A		1.95V@15V，100A					1毫安	是的	6.2nF@25V
BCR 103T E6327	-	询价	6860	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产			表面贴装	SC-75、SOT-416	BCR 103				250毫W		PG-SC75-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安							100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@1mA、20mA	20@20mA，5V	140兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
BSL215CH6327XTSA1	0.6600	询价	5826	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL215			MOSFET（金属O化物）	500毫W		PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道互补							20V	1.5A		140毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@3.7μA	0.73nC@4.5V		143pF@10V	逻辑电平门，2.5V驱动
BCX70HE6327HTSA1	0.0492	询价	6876	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCX70				330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				45V	100毫安							20nA（ICBO）			NPN	550mV@1.25mA、50mA	180@2mA，5V	250兆赫
IPB34CN10NGATMA1	-	询价	7110	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB34C			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	27A（温度）	10V	34mOhm@27A，10V	4V@29μA	24nC@10V	±20V	1570pF@50V	-	58W（温度）
IPI60R199CPXKSA1	2.8798	询价	7604	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI60R199			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						600伏	16A（温度）	10V	199毫欧@9.9A，10V	3.5V@660μA	43nC@10V	±20V	1520 pF @ 100 V	-	139W（温度）
SPW11N60S5	1.8800	询价	15	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						600伏	11A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	5.5V@500μA	54nC@10V	±20V	1460pF@25V	-	125W（温度）
SGP20N60HS	1.2500	询价	520	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SGP20N	标准			178 W		PG-TO220-3-1	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1				400V，20A，16欧姆，15V															不扩散条约	600伏	36A	80A	3.15V@15V，20A	690μJ	100纳克	18纳秒/207纳秒
SPP04N50C3XKSA1	-	询价	7142	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP04N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000681022	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						560伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	22nC@10V	±20V	470pF@25V	-	50W（温度）
IAUT300N08S5N014ATMA1	6.2900	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	IAUT300			MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						80V	300A（直流）	6V、10V	1.4毫欧@100A，10V	3.8V@230μA	187nC@10V	±20V	13178pF@40V	-	300W（温度）
IPI08CN10N G	-	询价	2169	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI08C			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						100伏	95A（温度）	10V	8.5毫欧@95A，10V	4V@130μA	100nC@10V	±20V	6660pF@50V	-	167W（温度）
BSB280N15NZ3GXUMA1	1.3572	询价	5254	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	3-WDSON	BSB280			MOSFET（金属O化物）			MG-WDSON-2、CanPAK M™	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						150伏	9A（Ta）、30A（Tc）	10V	28毫欧@30A，10V	4V@60μA	21nC@10V	±20V	1600pF@75V	-	2.8W（Ta）、57W（Tc）
IPD60R280P7ATMA1	2.1100	询价	8005	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						600伏	12A（温度）	10V	280毫欧@3.8A，10V	4V@190μA	18nC@10V	±20V	761 pF @ 400 V	-	53W（温度）
BCR185SE6327	0.0300	询价	6018	英飞凌科技	-	大部分	的积极												下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	9,000
IPB80N04S3-04	1.4200	询价	225	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-4、D²Pak（3引脚+接片）、TO-263AA				MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	225		N沟道						40V	80A（温度）		4.1毫欧@80A，10V	4V@90μA	80nC@10V	±20V	5200pF@25V	-	136W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²