晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRLR7833CPBF	-	询价	3467	英飞凌科技	-	管子	过时的	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		30V	140A（塔）	4.5V、10V	-	-		±20V		-	140W（温度）
IKP40N65H5XKSA1	4.6200	询价	7444	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IKP40N65	标准		255W		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			400V，20A，15欧姆，15V											62纳秒	-	650伏	74A	120A	2.1V@15V，40A	390μJ（开），120μJ（关）	95℃	22纳秒/165纳秒
BSZ088N03MSGATMA1	-	询价	1768	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ088		MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	11A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2V@250μA	27nC@10V	±20V	2100pF@15V	-	2.1W（Ta）、35W（Tc）
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1	1.0000	询价	1	英飞凌科技	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块				10500W	标准	AG-IHMB130-2-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	单开关														沟渠场站	1700伏	1600A		2.25V@15V，1.6kA				5毫安	不	130nF@25V
FZ2400R17HE4B9NPSA1	967.5700	询价	1	英飞凌科技	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块				15500W	标准	-	下载					EAR99	8541.29.0095	1	单开关														-	1700伏	2400A		2.3V@15V，2.4kA				5毫安	不	195nF@25V
BC856S E6433	0.0300	询价	8372	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BC856			250毫W		SOT-363	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,666																65V	100毫安						15nA（ICBO）			2 PNP（双）	650mV@5mA、100mA	200@2mA，5V	250兆赫
IRLR3303TRL	-	询价	6441	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	=94-4007	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	35A（温度）	4.5V、10V	31毫欧@21A，10V	1V@250μA	26nC@4.5V	±16V	870pF@25V	-	68W（温度）
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	询价	9105	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	F3L11MR12			20毫W	标准	AG-EASY2BM-2	下载			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	三层平面遮阳板														沟	1200伏	100A		2.1V@15V，100A				40微安	是的	7.36nF@800V
FS50R12KT3BOSA1	67.3700	询价	5	英飞凌科技	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-FS50R12KT3BOSA1-448			5
FS20R06XL4BOMA1	-	询价	8880	英飞凌科技	-	托盘	过时的	-40℃～125℃	安装结构	模块	FS20R06			89 W	标准	AG-EASY750-1	-		供应商未定义	REACH 不出行	SP000100283	EAR99	8541.29.0095	1	天线塔														-	600伏	26A		2.55V@15V，20A				5毫安	是的	900pF@25V
BSC011N03LSIATMA1	1.9400	询价	63	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC011		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	37A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1.1毫欧@30A，10V	2V@250μA	68nC@10V	±20V	4300pF@15V	-	2.5W（Ta）、96W（Tc）
2ED300C17STROHSBPSA1	188.1400	询价	9443	英飞凌科技	EiceDriver™	托盘	的积极	-40℃～85℃	通孔	模块	2ED300				标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8543.70.9860	12	2 独立														-	1700伏			-					不
SPB80N04S2-H4	-	询价	3858	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	80A（温度）	10V	4mOhm@80A，10V	4V@250μA	148nC@10V	±20V	5890pF@25V	-	300W（温度）
IRF7707	-	询价	9685	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		P沟道		20V	7A（塔）	2.5V、4.5V	22毫欧@7A，4.5V	1.2V@250μA	47nC@4.5V	±12V	15V时为2361pF	-	1.5W（塔）
IPS12CN10LGBKMA1	-	询价	2495	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	IPS12C		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		100伏	69A（温度）	4.5V、10V	11.8毫欧@69A，10V	2.4V@83μA	58nC@10V	±20V	5600pF@50V	-	125W（温度）
IGW75N60H3FKSA1	8.0400	询价	240	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IGW75N60	标准		428 W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，75A，5.2欧姆，15V												沟渠场站	600伏	140A	第225章	2.3V@15V，75A	3mJ（开），1.7mJ（关）	470℃	31纳秒/265纳秒
IRGBC30UD2	-	询价	8046	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		100W		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50															-	600伏	23A		3V@15V，12A
ICA32V07X1SA1	-	询价	6989	英飞凌科技	*	大部分	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000960548	过时的	0000.00.0000	1
SPA20N65C3XK	3.5900	询价	165	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		650伏	20.7A（温度）	10V	190毫欧@13.1A，10V	3.9V@1mA	114nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	34.5W（温度）
IRFS59N10DPBF	-	询价	4841	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	59A（TC）	10V	25毫欧@35.4A，10V	5.5V@250μA	114nC@10V	±30V	2450pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
64-4060PBF	-	询价	3087	英飞凌科技	-	管子	的积极	-			64-4060		-				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		-			-	-	-	-		-		-	-
BCR141E6327HTSA1	0.0517	询价	4863	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR141			250毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	130兆赫	22欧姆	22欧姆
FS225R17OE4BOSA1	678.7700	询价	3	英飞凌科技	经济包装™+	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FS225R17			1450W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4	天线塔														沟渠场站	1700伏	350A		2.3V@15V，225A				3毫安	是的	600pF@25V
FD1200R17KE3KB2NOSA1	-	询价	1695	英飞凌科技	IHM-B	托盘	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块				6600W	标准	模块	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	单斩波器														-	1700伏	1700A		2.45V@15V，1.2kA				5毫安	不	110nF@25V
IPC300N20N3X7SA1	-	询价	7433	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	过时的	-	表面贴装	死	工控机300N		MOSFET（金属O化物）			死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001155558	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	-	10V	100mOhm@2A，10V	4V@270μA		-		-	-
IRF3805STRLPBF	4.4300	询价	2	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF3805		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		55V	75A（温度）	10V	3.3毫欧@75A，10V	4V@250μA	290nC@10V	±20V	7960pF@25V	-	300W（温度）
IRFR8314TRPBF	1.7000	询价	6	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR8314		MOSFET（金属O化物）			D-PAK (TO-252AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		30V	90A（温度）	4.5V、10V	2.2毫欧@90A，10V	2.2V@100μA	54nC@4.5V	±20V	15V时为4945pF	-	125W（温度）
BFN26E6433HTMA1	-	询价	5452	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFN26			360毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000																300伏	200毫安						100nA（ICBO）			NPN	500mV@2mA、20mA	30@30mA，10V	70兆赫
IRFB4212PBF	-	询价	3892	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001555992	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	18A（温度）	10V	72.5毫欧@13A，10V	5V@250μA	23nC@10V	±20V	550pF@50V	-	60W（温度）
IRF630NSTRRPBF	-	询价	4324	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001561818	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		200V	9.3A（温度）	10V	300mOhm@5.4A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	575pF@25V	-	82W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²