晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPP50R299CP	1.0000	询价	5655	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						500V	12A（温度）	10V	299毫欧@6.6A，10V	3.5V@440μA	31nC@10V	±20V	1190 pF @ 100 V	-	104W（温度）
BSL307SP	-	询价	第1739章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6				MOSFET（金属O化物）			PG-TSOP6-6	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道						30V	5.5A（塔）	4.5V、10V	43毫欧@5.5A，10V	2V@40μA	29nC@10V	±20V	805pF@25V	-	2W（塔）
FF600R12IP4VBOSA1	573.6367	询价	7599	英飞凌科技	PrimePACK™2	托盘	不适合新设计		-40℃～150℃	安装结构	模块	FF600R12				3350W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3	2 独立																			沟渠场站	1200伏	600A		2.05V@15V，600A					5毫安	是的	37nF@25V
IRG7PH42UD-EP	-	询价	4986	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG7PH	标准			320W		TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400				600V，30A，10欧姆，15V															153纳秒	沟	1200伏	85A	90A	2V@15V，30A	2.11mJ（开）、1.18mJ（关）	157 纳克	25纳秒/229纳秒
IPC26N10NRX1SA1	-	询价	1997年	英飞凌科技	-	大部分	过时的					IPC26N							下载					过时的		1
FS200R12KT4RBOSA1	333.9900	询价	第1257章	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS200R12				1000W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			不扩散条约	1200伏	280A		2.15V@15V，200A					1毫安	是的	14nF@25V
IRGPC50U	-	询价	5961	英飞凌科技	-	包	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准			200W		TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25																				-	600伏	55A		3V@15V，27A
IRF7342PBF	-	询价	6799	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF734			MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001571984	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 P 沟道（双）							55V	3.4A		105mOhm@3.4A，10V	1V@250μA	38nC@10V		690pF@25V	逻辑电平门
BSO303SPHXUMA1	-	询价	3035	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道						30V	7.2A（塔）	4.5V、10V	21毫欧@9.1A，10V	2V@100μA	54nC@10V	±20V	2330pF@25V	-	1.56W（塔）
FF800R12KE7EHPSA1	355.7000	询价	4	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	托盘	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块						标准	AG-62MMHB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																			沟渠场站	1200伏	800A		1.75V@15V，800A					100微安	不	122nF@25V
FF2MR12KM1H	-	询价	6393	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-	安装结构	模块	FF2MR12					标准	AG-62MM	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	448-FF2MR12KM1H	EAR99	8541.29.0095	1	半桥																			沟渠场站	1200伏			-						不
IMBG65R048M1HXTMA1	13.7500	询价	34	英飞凌科技	酷碳化硅™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBG65			SiCFET（碳化硅）			PG-TO263-7-12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						650伏	45A（温度）	18V	64毫欧@20.1A，18V	5.7V@6mA	33nC@18V	+23V，-5V	1118 pF @ 400 V	-	183W（温度）
FS50R12KT4B15BOSA1	-	询价	2902	英飞凌科技	经济包装™2	大部分	SIC停产		-40℃～150℃	安装结构	模块	FS50R12				280W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	1200伏	50A		2.15V@15V，50A					1毫安	是的	2.8nF@25V
IPTC020N13NM6ATMA1	4.5336	询价	4576	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPTC020N13NM6ATMA1TR			1,800
IRL3502STRLPBF	-	询价	1629	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						20V	110A（温度）	4.5V、7V	7毫欧@64A，7V	700mV @ 250μA（极低）	110nC@4.5V	±10V	4700pF@15V	-	140W（温度）
IRGIB4630DPBF	-	询价	3864	英飞凌科技	-	管子	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包		标准			206W		PG-TO220-FP	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001548140	EAR99	8541.29.0095	50				400V，18A，22欧姆，15V															100纳秒	不扩散条约	600伏	47一个	54A	1.95V@15V，18A	95μJ（开），350μJ（关）	35nC	40纳秒/105纳秒
IRG5K75HF06A	-	询价	5067	英飞凌科技	-	盒子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	POWIR® 34 模块	IRG5K75				330W	标准	POWIR®34	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001548060	EAR99	8541.29.0095	20	半桥																			-	600伏	140A		2.1V@15V，75A					1毫安	不	3.6nF@25V
IPP80N06S205AKSA1	-	询价	8983	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						55V	80A（温度）	10V	5.1毫欧@80A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	5110pF@25V	-	300W（温度）
IRF7210PBF	-	询价	5350	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001554134	EAR99	8541.29.0095	95		P沟道						12V	16A（塔）	2.5V、4.5V	7毫欧@16A，4.5V	600mV@500μA（最低）	212nC@5V	±12V	17179pF@10V	-	2.5W（塔）
BCX5310E6327	0.0900	询价	19号	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					2W		PG-SOT89-4-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					80V	1A							100nA（ICBO）				500毫伏@50毫安，500毫安	40@50mA，2V	125兆赫
IPB016N08NF2SATMA1	4.3600	询价	第393章	英飞凌科技	强IRFET™2	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB016N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPB016N08NF2SATMA1CT	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						80V	170A（温度）	6V、10V	1.65毫欧@100A，10V	3.8V@267μA	255nC@10V	±20V	12000pF@40V	-	300W（温度）
SP000687556	1.0000	询价	9287	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载						0000.00.0000	1		N沟道						600伏	37.9A（温度）	10V	99毫欧@18.1A，10V	3.5V@1.21mA	119nC@10V	±20V	100V时为2660pF	-	35W（温度）
BCR108SE6433HTMA1	-	询价	3900	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR108				250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000																					50V	100毫安							-			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
DD800S17K3B2NOSA1	842.7200	询价	86	英飞凌科技	*	大部分	的积极												下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-DD800S17K3B2NOSA1-448			1
FF4MR12W2M1HB11BPSA1	263.3300	询价	1912年	英飞凌科技	酷碳化硅™	托盘	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FF4MR12			碳化硅（SiC）	20毫W		模块	-	符合ROHS3标准			448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1	EAR99	8542.39.0001	15	2个N沟道（半桥）							1200V	170A（Tj）		4毫欧@200A，18V	5.15V@80mA	594nC@18V		17600pF@800V	碳化硅（SiC）
BF2040WH6814XTSA1	-	询价	1018	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF2040		800兆赫	场效应管			PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		40毫安		15毫安	-	23分贝											1.6分贝										5V
IPLK60R1K5PFD7ATMA1	1.2200	询价	92	英飞凌科技	CoolMOS™ PFD7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	IPLK60			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-52	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						600伏	3.8A（温度）	10V	1.5欧姆@700mA，10V	4.5V@40μA	4.6nC@10V	±20V	169 pF @ 400 V	-	25W（温度）
IPS80R1K4P7	0.5800	询价	2173	英飞凌科技	CoolMOS P7™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak				MOSFET（金属O化物）			PG-TO251	下载					EAR99	8542.39.0001	第375章		N沟道						800V	4A（Tj）	10V	1.4欧姆@1.4A，10V	3.5V@700μA	10nC@10V	±20V	250 pF @ 500 V	-	32W（温度）
IPB020N04NGATMA1	3.0800	询价	6	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB020			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						40V	140A（温度）	10V	2mOhm@100A，10V	4V@95μA	120nC@10V	±20V	9700pF@20V	-	167W（温度）
IPB038N12N3GATMA1	6.7100	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB038			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						120V	120A（温度）	10V	3.8毫欧@100A，10V	4V@270μA	211nC@10V	±20V	13800pF@60V	-	300W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²