晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2	94.6200	询价	15	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS3L30				20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																		沟渠场站	650伏	30A		1.9V@15V，30A					1毫安	是的	1.65nF@25V
BCR 164F E6327	-	询价	9186	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产			表面贴装	SOT-723	BCR 164				250毫W		PG-TSFP-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安							100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	160兆赫	4.7欧姆	10欧姆
AURFB8405	6.2200	询价	1	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AURFB8405			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						40V	120A（温度）	10V	2.5毫欧@100A，10V	3.9V@100μA	161nC@10V	±20V	5193pF@25V	-	163W（温度）
IRLU024NPBF	1.0600	询价	8933	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRLU024			MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						55V	17A（温度）	4V、10V	65mOhm@10A，10V	2V@250μA	15nC@5V	±16V	480pF@25V	-	45W（温度）
IRL3102STRR	-	询价	7324	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						20V	61A（温度）	4.5V、7V	13毫欧@37A，7V	700mV @ 250μA（极低）	58nC@4.5V	±10V	2500pF@15V	-	89W（温度）
IPD200N15N3GATMA1	3.0600	询价	57	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距200			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						150伏	50A（温度）	8V、10V	20毫欧@50A，10V	4V@90μA	31nC@10V	±20V	75V时为1820pF	-	150W（温度）
BCP5310E6327HTSA1	-	询价	9111	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP53				2W		PG-SOT223-4-10	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																				80V	1A							100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	125兆赫
IRL2910STRL	-	询价	6192	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						100伏	55A（温度）	4V、10V	26毫欧@29A，10V	2V@250μA	140nC@5V	±16V	3700pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
BSM75GAL120DN2HOSA1	-	询价	5287	英飞凌科技	-	托盘	过时的		150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM75GAL120				625W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单开关																		-	1200伏	105A		3V@15V，75A					1.4毫安	不	5.5nF@25V
PTFA070601FV4R250XTMA1	-	询价	8978	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA070601		760兆赫	LDMOS			H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-		600毫安	60W	19.5分贝											-									28V
IRLR6225TRPBF	1.1800	询价	1	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRLR6225			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						20V	100A（温度）	2.5V、4.5V	4毫欧@21A，4.5V	1.1V@50μA	72nC@4.5V	±12V	10V时为3770pF	-	63W（温度）
IRFR3706TRPBF	-	询价	1712	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						20V	75A（温度）	2.8V、10V	9毫欧@15A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2410pF	-	88W（温度）
IGP40N65H5	-	询价	7844	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		标准			250W		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1				400V，20A，15欧姆，15V															沟渠场站	650伏	74A	120A	2.1V@15V，40A	390μJ（开），120μJ（关）	95℃	22纳秒/165纳秒
BCV28E6327HTSA1	0.1100	询价	16	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					1W		PG-SOT89-4-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																				30V	500毫安							100nA（ICBO）			PNP-达林顿	1V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	200兆赫
IRFR3704TR	-	询价	3357	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001573372	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						20V	75A（温度）	10V	9.5毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1996pF@10V	-	90W（温度）
IRF7702	-	询价	4582	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		P沟道						12V	8A（温度）	1.8V、4.5V	14mOhm@8A，4.5V	1.2V@250μA	81nC@4.5V	±8V	10V时为3470pF	-	1.5W（温度）
IRG4BC20SPBF	-	询价	8625	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准			60W		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				480V，10A，50欧姆，15V															-	600伏	19A	38A	1.6V@15V，10A	120μJ（开），2.05mJ（关）	27nC	27纳秒/540纳秒
AUIRFS3207Z-INF	-	询价	5796	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	100		N沟道						75V	120A（温度）		4.1毫欧@75A，10V	4V@150μA	170nC@10V	±20V	6920pF@50V	-	300W（温度）
FS500R17OE4DPBOSA1	1.0000	询价	9694	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FS500R17				20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4	全桥																		沟渠场站	1700伏	1000A		2.3V@15V，500A					3毫安	是的	40nF@25V
94-4849PBF	-	询价	2029年	英飞凌科技	-	管子	过时的												下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	75									-
IRF4905LPBF	2.9300	询价	12	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRF4905			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道						55V	42A（温度）	10V	20毫欧@42A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	3500pF@25V	-	170W（温度）
IMT65R107M1HXTMA1	-	询价	8797	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	SIC停产					IMT65R							-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				2,000
IRF3711Z	-	询价	2401	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3711Z	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						20V	92A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@15A，10V	2.45V@250μA	24nC@4.5V	±20V	2150pF@10V	-	79W（温度）
IRF3710STRRPBF	-	询价	7095	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF3710			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						100伏	57A（温度）	10V	23毫欧@28A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	3130pF@25V	-	200W（温度）
IRFR3707ZCTRLP	-	询价	9385	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						30V	56A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@15A，10V	2.25V@25μA	14nC@4.5V	±20V	1150pF@15V	-	50W（温度）
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	-	询价	4171	英飞凌科技	-	大部分	过时的					工控机60R							-		1（无限制）	REACH 不出行	SP000857778	过时的	0000.00.0000	1									-
IM241M6T2BAKMA1	11.0800	询价	4873	英飞凌科技	IM241、CIPOS™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔		IM241M6				13W	标准	23-DIP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔																		-	600伏			1.58V@15V，1A						是的
IPAN80R360P7XKSA1	2.8400	询价	7024	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPAN80			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						800V	13A（温度）	10V	360毫欧@5.6A，10V	3.5V@280μA	30nC@10V	±20V	930 pF @ 500 V	-	30W（温度）
IRFR3707Z	-	询价	4183	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFR3707Z	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						30V	56A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@15A，10V	2.25V@250μA	14nC@4.5V	±20V	1150pF@15V	-	50W（温度）
IRF7756GTRPBF	-	询价	3304	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	IRF775			MOSFET（金属O化物）	1W		8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）							12V	4.3A		40毫欧@4.3A，4.5V	900mV@250μA	18nC@4.5V		1400pF@10V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²