SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
BSC200P03LSGAUMA1 Infineon Technologies BSC200P03LSGAUMA1 -
RFQ
ECAD 1921年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 9.9a(ta),12.5a tc) 10V 20mohm @ 12.5a,10v 2.2V @ 100µA 48.5 NC @ 10 V ±25V 2430 pf @ 15 V - 2.5W(TA),63W(tc)
BSC883N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC883N03MSGATMA1 -
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 34 v (19a(ta),98a(tc) 4.5V,10V 3.8mohm @ 30a,10v 2V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 15 V - 2.5W(TA),57W(TC)
BSC889N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC889N03MSGATMA1 -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V (12A)(TA)44A (TC) 4.5V,10V 9.1mohm @ 30a,10v 2V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±20V 1500 pf @ 15 V - 2.5W(TA),28W(tc)
BSD214SN L6327 Infineon Technologies BSD214SN L6327 -
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.5A(TA) 2.5V,4.5V 140MOHM @ 1.5A,4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8 NC @ 5 V ±12V 143 pf @ 10 V - 500MW(TA)
BSD223P L6327 Infineon Technologies BSD223P L6327 -
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BSD223 MOSFET (金属 o化物) 250MW PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 390mA 1.2OHM @ 390mA,4.5V 1.2V @ 1.5µA 0.62NC @ 4.5V 56pf @ 15V 逻辑级别门
BSD235N L6327 Infineon Technologies BSD235N L6327 -
RFQ
ECAD 3190 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™2 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BSD235 MOSFET (金属 o化物) 500MW PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 950mA 350MOHM @ 950mA,4.5V 1.2V @ 1.6µA 0.32NC @ 4.5V 63pf @ 10V 逻辑级别门
BSL302SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL302SNL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 BSL302 MOSFET (金属 o化物) PG-TSOP6-6 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 7.1a(ta) 4.5V,10V 25mohm @ 7.1a,10v 2V @ 30µA 6.6 NC @ 5 V ±20V 750 pf @ 15 V - 2W(TA)
BSO051N03MS G Infineon Technologies BSO051N03MS g 0.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) PG-DSO-8 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 14A(TA) 4.5V,10V 5.1MOHM @ 18A,10V 2V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 15 V - 1.56W(TA)
BSO130N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO130N03MSGXUMA1 -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) PG-DSO-8 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 9a(9a) 4.5V,10V 13mohm @ 11.1a,10v 2V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 15 V - 1.56W(TA)
BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO150N03MDGXUMA1 1.2300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) BSO150 MOSFET (金属 o化物) 1.4W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 8a 15mohm @ 9.3a,10v 2V @ 250µA 17NC @ 10V 1300pf @ 15V 逻辑级别门
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MDGXUMA1 0.9300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) BSO220 MOSFET (金属 o化物) 1.4W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 6a 22mohm @ 7.7a​​,10v 2.1V @ 250µA 10NC @ 10V 800pf @ 15V 逻辑级别门
BSO330N02KGFUMA1 Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1 -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) BSO330N02 MOSFET (金属 o化物) 1.4W PG-DSO-8 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 20V 5.4a 30mohm @ 6.5a,4.5V 1.2V @ 20µA 4.9nc @ 4.5V 730pf @ 10V 逻辑级别门
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS119L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 100 v 170mA(TA) 4.5V,10V 6ohm @ 170mA,10v 2.3V @ 50µA 2.5 NC @ 10 V ±20V 78 pf @ 25 V - 360MW(TA)
BSS138W L6327 Infineon Technologies BSS138W L6327 -
RFQ
ECAD 7521 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 280mA(TA) 4.5V,10V 3.5OHM @ 220mA,10V 1.4V @ 26µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 43 pf @ 25 V - 500MW(TA)
BSS138W L6433 Infineon Technologies BSS138W L6433 -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 60 V 280mA(TA) 4.5V,10V 3.5OHM @ 220mA,10V 1.4V @ 26µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 43 pf @ 25 V - 500MW(TA)
BSS205NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS205NL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4235 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 2.5a(ta) 2.5V,4.5V 50mohm @ 2.5a,4.5V 1.2V @ 11µA 3.2 NC @ 4.5 V ±12V 419 pf @ 10 V - 500MW(TA)
BSS214NW L6327 Infineon Technologies BSS214NW L6327 -
RFQ
ECAD 9654 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 1.5A(TA) 2.5V,4.5V 140MOHM @ 1.5A,4.5V 1.2V @ 3.7µA 0.8 NC @ 5 V ±12V 143 pf @ 10 V - 500MW(TA)
BSS84PW L6327 Infineon Technologies BSS84PW L6327 -
RFQ
ECAD 6861 0.00000000 Infineon技术 Sipmos® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 MOSFET (金属 o化物) PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 60 V 150mA(ta) 4.5V,10V 8ohm @ 150mA,10v 2V @ 20µA 1.5 NC @ 10 V ±20V 19.1 PF @ 25 V - 300MW(TA)
BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSZ086P03NS3EGATMA1 0.9700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSZ086 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 13.5A(TA),40a (TC) 6V,10V 8.6mohm @ 20a,10v 3.1V @ 105µA 57.5 NC @ 10 V ±25V 4785 pf @ 15 V - 2.1W(ta),69W(tc)
BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ160N10NS3GATMA1 1.6400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN BSZ160 MOSFET (金属 o化物) PG-TSDSON-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 8a(8a ta),40a tc(TC) 6V,10V 16mohm @ 20a,10v 3.5V @ 12µA 25 NC @ 10 V ±20V 1700 PF @ 50 V - 2.1W(TA),63W(tc)
IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA028N08N3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 7935 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA028 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-fp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 89A(TC) 6V,10V 2.8mohm @ 89a,10v 3.5V @ 270µA 206 NC @ 10 V ±20V 14200 PF @ 40 V - 42W(TC)
IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA057N08N3GXKSA1 2.5600
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA057 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-fp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 60a(TC) 6V,10V 5.7MOHM @ 60a,10v 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 V ±20V 4750 PF @ 40 V - 39W(TC)
IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R199CPXKSA1 2.4531
RFQ
ECAD 7110 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA50R199 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 17a(TC) 10V 199mohm @ 9.9a,10V 3.5V @ 660µA 45 NC @ 10 V ±20V 1800 PF @ 100 V - 139W(TC)
IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R299CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 6648 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA50R MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 550 v 12A(TC) 10V 299MOHM @ 6.6a,10V 3.5V @ 440µA 31 NC @ 10 V ±20V 1190 pf @ 100 V - 104W(TC)
IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R350CPXKSA1 1.5494
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA50R350 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 10A(TC) 10V 350MOHM @ 5.6A,10V 3.5V @ 370µA 25 NC @ 10 V ±20V 1020 PF @ 100 V - 32W(TC)
IPA50R399CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R399CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 9725 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA50R MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 500 v 9A(TC) 10V 399MOHM @ 4.9A,10V 3.5V @ 330µA 23 NC @ 10 V ±20V 890 pf @ 100 V - 83W(TC)
IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 2245 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA60R MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 12A(TC) 10V 250MOHM @ 7.8A,10V 3.5V @ 440µA 35 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 100 V - 33W(TC)
IPA60R520CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R520CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IPA60R MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-31 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 600 v 6.8A(TC) 10V 520MOHM @ 3.8A,10V 3.5V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 630 PF @ 100 V - 30W(TC)
IPB009N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB009N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 1709年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB009 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 180a(TC) 4.5V,10V 0.95MOHM @ 100A,10V 2.2V @ 250µA 227 NC @ 10 V ±20V 25000 pf @ 15 V - 250W(TC)
IPB011N04LGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04LGATMA1 5.4700
RFQ
ECAD 1539年 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) IPB011 MOSFET (金属 o化物) pg-to263-7-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 180a(TC) 4.5V,10V 1.1MOHM @ 100A,10V 2V @ 200µA 346 NC @ 10 V ±20V 29000 PF @ 20 V - 250W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库