晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
BCW61A	-	询价	4016	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	9,000																	32V	100毫安						20nA（ICBO）			国民党	550mV@1.25mA、50mA	120@2mA，5V	250兆赫
IGP01N120H2XKSA1036	-	询价	5008	英飞凌科技	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3		标准		28W		PG-TO220-3-1	下载					EAR99	8541.29.0095	1			800V，1A，241欧姆，15V													-	1200伏	3.2A	3.5安	2.8V@15V，1A	80μJ（开），60μJ（关）	8.6nC	13纳秒/370纳秒
BUZ30A E3045A	-	询价	8900	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			200V	21A（温度）	10V	130毫欧@13.5A，10V	4V@1mA		±20V	1900pF@25V	-	125W（温度）
AUXHMF1404ZSTRL	-	询价	5271	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的										-		1（无限制）	REACH 不出行	SP001518892	EAR99	8541.29.0095	1,000						-
IDYH50G200C5XKSA1	54.0924	询价	8695	英飞凌科技	-	管子	的积极										-	符合ROHS3标准			448-IDYH50G200C5XKSA1			30
SPP07N65C3HKSA1	-	询价	5296	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP07N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	3.9V@350μA	27nC@10V	±20V	790pF@25V	-	83W（温度）
IRFZ44NSPBF	-	询价	8130	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			55V	49A（温度）	10V	17.5毫欧@25A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1470pF@25V	-	3.8W（Ta）、94W（Tc）
BSP315PL6327HTSA1	-	询价	2553	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4-21	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道			60V	1.17A（塔）	4.5V、10V	800毫欧@1.17A，10V	2V@160μA	7.8nC@10V	±20V	160pF@25V	-	1.8W（塔）
SGP10N60AXKSA1	-	询价	2029年	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SGP10N60	标准		92W		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			400V，10A，25欧姆，15V													不扩散条约	600伏	20A	40A	2.4V@15V，10A	320μJ	52nC	28纳秒/178纳秒
AUIRF6218S	-	询价	2588	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道			150伏	27A（温度）	10V	150mOhm@16A，10V	5V@250μA	110nC@10V	±20V	2210pF@25V	-	250W（温度）
FF600R12ME4CPB11BPSA1	410.6367	询价	8391	英飞凌科技	EconoDUAL™3	托盘	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF600R12			4050W	标准	农业经济	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6	半桥逆变器															沟渠场站	1200伏	1060A		2.1V@15V，600A				3毫安	是的	37nF@25V
IPA60R160P7XKSA1	3.8000	询价	第420章	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220全包	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			600伏	20A（温度）	10V	160毫欧@6.3A，10V	4V@350μA	31nC@10V	±20V	1317 pF @ 400 V	-	26W（温度）
IRF7380QTRPBF	-	询价	8285	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7380		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）				80V	3.6A		73毫欧@2.2A，10V	4V@250μA	23nC@10V		660pF@25V	逻辑电平门
IPP06CN10NGXKSA1	-	询价	1053	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP06C		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000680822	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			100V	100A（温度）	10V	6.5毫欧@100A，10V	4V@180μA	139nC@10V	±20V	9200pF@50V	-	214W（温度）
AUIRLR3636TRL	1.5173	询价	4197	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRLR3636		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001520624	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			60V	50A（温度）		6.8毫欧@50A，10V	2.5V@100μA	49nC@4.5V		50V时为3779pF	-	143W（温度）
IPT65R190CFD7XTMA1	1.6315	询价	7495	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	8-PowerSFN			MOSFET（金属O化物）			收费	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			650伏	-	-	-	-		-		-	-
BSL207NH6327XTSA1	-	询价	1113	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	BSL207		MOSFET（金属O化物）	500毫W		PG-TSOP-6-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001100648	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	2.1A		70毫欧@2.1A，4.5V	1.2V@11μA	2.1nC@4.5V		419pF@10V	逻辑电平门，2.5V驱动
IPP60R040C7XKSA1	13.6500	询价	4	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP60R040		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			600伏	50A（温度）	10V	40毫欧@24.9A，10V	4V@1.24mA	107nC@10V	±20V	4340 pF @ 400 V	-	227W（温度）
IQFH99N06NM5ATMA1	2.4512	询价	1165	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准						3,000
IRLZ34NLPBF	-	询价	4590	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			55V	30A（温度）	4V、10V	35毫欧@16A，10V	2V@250μA	25nC@5V	±16V	880pF@25V	-	3.8W（Ta）、68W（Tc）
BFN18H6327XTSA1	0.2440	询价	5050	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BFN18			1.5W		PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																	300伏	200毫安						100nA（ICBO）			NPN	500mV@2mA、20mA	30@30mA，10V	70兆赫兹
IRF8707GTRPBF	-	询价	8387	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道			30V	11A（塔）	4.5V、10V	11.9毫欧@11A，10V	2.35V@25μA	9.3nC@4.5V	±20V	760pF@15V	-	2.5W（塔）
IPD122N10N3GBTMA1	-	询价	2648	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD122N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			100V	59A（TC）	6V、10V	12.2毫欧@46A，10V	3.5V@46μA	35nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	94W（温度）
BF776H6327XTSA1	0.6000	询价	927	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF776			200毫W		PG-SOT343-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				24分贝													4.7V	50毫安									NPN		180@30mA，3V	46GHz			0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
AIMZA75R008M1HXKSA1	23.4800	询价	6381	英飞凌科技	*	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-AIMZA75R008M1HXKSA1			240
IPB140N08S404ATMA1	-	询价	5051	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB140		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			80V	140A（温度）	10V	4.2毫欧@100A，10V	4V@100μA	80nC@10V	±20V	5500pF@25V	-	161W（温度）
IKW75N65ET7XKSA1	9.1500	询价	1061	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、TrenchStop™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW75N65	标准		333 W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，75A，4.7欧姆，15V												100纳秒	沟渠场站	650伏	80A	第225章	1.65V@15V，75A	2.17mJ（开），1.23mJ（关）	435nC	28纳秒/310纳秒
BCR129SH6327XTSA1	0.0975	询价	7342	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR129			250毫W		PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安						-			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	120@5mA，5V	150兆赫	10k欧姆	-
BSP320SL6433	0.2000	询价	7	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	2.9A（Tj）	10V	120毫欧@2.9A，10V	4V@20μA	12nC@10V	±20V	340pF@25V	-	1.8W（塔）
SPI70N10L	-	询价	1082	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI70N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP000014005	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			100V	70A（温度）	4.5V、10V	16毫欧@50A，10V	2V@2mA	240nC@10V	±20V	4540pF@25V	-	250W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²