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![]() | BSC200P03LSGAUMA1 | - | ![]() | 1921年 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | PG-TDSON-8-1 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 9.9a(ta),12.5a tc) | 10V | 20mohm @ 12.5a,10v | 2.2V @ 100µA | 48.5 NC @ 10 V | ±25V | 2430 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA),63W(tc) | |||||
![]() | BSC883N03MSGATMA1 | - | ![]() | 5447 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | PG-TDSON-8-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 34 v | (19a(ta),98a(tc) | 4.5V,10V | 3.8mohm @ 30a,10v | 2V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 3200 PF @ 15 V | - | 2.5W(TA),57W(TC) | |||||
![]() | BSC889N03MSGATMA1 | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | PG-TDSON-8-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | (12A)(TA)44A (TC) | 4.5V,10V | 9.1mohm @ 30a,10v | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 1500 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA),28W(tc) | |||||
![]() | BSD214SN L6327 | - | ![]() | 3793 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 140MOHM @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8 NC @ 5 V | ±12V | 143 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||||
![]() | BSD223P L6327 | - | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BSD223 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 390mA | 1.2OHM @ 390mA,4.5V | 1.2V @ 1.5µA | 0.62NC @ 4.5V | 56pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | BSD235N L6327 | - | ![]() | 3190 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,Optimos™2 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BSD235 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 950mA | 350MOHM @ 950mA,4.5V | 1.2V @ 1.6µA | 0.32NC @ 4.5V | 63pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | BSL302SNL6327HTSA1 | - | ![]() | 5720 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | BSL302 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSOP6-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7.1a(ta) | 4.5V,10V | 25mohm @ 7.1a,10v | 2V @ 30µA | 6.6 NC @ 5 V | ±20V | 750 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | ||||
![]() | BSO051N03MS g | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | PG-DSO-8 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 14A(TA) | 4.5V,10V | 5.1MOHM @ 18A,10V | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 4300 PF @ 15 V | - | 1.56W(TA) | |||||
![]() | BSO130N03MSGXUMA1 | - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | PG-DSO-8 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 9a(9a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 11.1a,10v | 2V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 15 V | - | 1.56W(TA) | |||||
![]() | BSO150N03MDGXUMA1 | 1.2300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | BSO150 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 8a | 15mohm @ 9.3a,10v | 2V @ 250µA | 17NC @ 10V | 1300pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
![]() | BSO220N03MDGXUMA1 | 0.9300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | BSO220 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | PG-DSO-8 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 6a | 22mohm @ 7.7a,10v | 2.1V @ 250µA | 10NC @ 10V | 800pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||
![]() | BSO330N02KGFUMA1 | - | ![]() | 6817 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | BSO330N02 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | PG-DSO-8 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 20V | 5.4a | 30mohm @ 6.5a,4.5V | 1.2V @ 20µA | 4.9nc @ 4.5V | 730pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | BSS119L6327HTSA1 | - | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 170mA(TA) | 4.5V,10V | 6ohm @ 170mA,10v | 2.3V @ 50µA | 2.5 NC @ 10 V | ±20V | 78 pf @ 25 V | - | 360MW(TA) | |||||
![]() | BSS138W L6327 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 280mA(TA) | 4.5V,10V | 3.5OHM @ 220mA,10V | 1.4V @ 26µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | 43 pf @ 25 V | - | 500MW(TA) | |||||
![]() | BSS138W L6433 | - | ![]() | 4984 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 60 V | 280mA(TA) | 4.5V,10V | 3.5OHM @ 220mA,10V | 1.4V @ 26µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | 43 pf @ 25 V | - | 500MW(TA) | |||||
![]() | BSS205NL6327HTSA1 | - | ![]() | 4235 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 2.5a(ta) | 2.5V,4.5V | 50mohm @ 2.5a,4.5V | 1.2V @ 11µA | 3.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 419 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||||
![]() | BSS214NW L6327 | - | ![]() | 9654 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1.5A(TA) | 2.5V,4.5V | 140MOHM @ 1.5A,4.5V | 1.2V @ 3.7µA | 0.8 NC @ 5 V | ±12V | 143 pf @ 10 V | - | 500MW(TA) | |||||
![]() | BSS84PW L6327 | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | Infineon技术 | Sipmos® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 60 V | 150mA(ta) | 4.5V,10V | 8ohm @ 150mA,10v | 2V @ 20µA | 1.5 NC @ 10 V | ±20V | 19.1 PF @ 25 V | - | 300MW(TA) | |||||
![]() | BSZ086P03NS3EGATMA1 | 0.9700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSZ086 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSDSON-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 13.5A(TA),40a (TC) | 6V,10V | 8.6mohm @ 20a,10v | 3.1V @ 105µA | 57.5 NC @ 10 V | ±25V | 4785 pf @ 15 V | - | 2.1W(ta),69W(tc) | |||
![]() | BSZ160N10NS3GATMA1 | 1.6400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | BSZ160 | MOSFET (金属 o化物) | PG-TSDSON-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 100 v | 8a(8a ta),40a tc(TC) | 6V,10V | 16mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 12µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 50 V | - | 2.1W(TA),63W(tc) | |||
![]() | IPA028N08N3GXKSA1 | - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA028 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-fp | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 80 V | 89A(TC) | 6V,10V | 2.8mohm @ 89a,10v | 3.5V @ 270µA | 206 NC @ 10 V | ±20V | 14200 PF @ 40 V | - | 42W(TC) | |||
![]() | IPA057N08N3GXKSA1 | 2.5600 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA057 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-fp | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 80 V | 60a(TC) | 6V,10V | 5.7MOHM @ 60a,10v | 3.5V @ 90µA | 69 NC @ 10 V | ±20V | 4750 PF @ 40 V | - | 39W(TC) | |||
![]() | IPA50R199CPXKSA1 | 2.4531 | ![]() | 7110 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA50R199 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 17a(TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a,10V | 3.5V @ 660µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1800 PF @ 100 V | - | 139W(TC) | |||
![]() | IPA50R299CPXKSA1 | - | ![]() | 6648 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA50R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 550 v | 12A(TC) | 10V | 299MOHM @ 6.6a,10V | 3.5V @ 440µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 100 V | - | 104W(TC) | ||||
![]() | IPA50R350CPXKSA1 | 1.5494 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA50R350 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 10A(TC) | 10V | 350MOHM @ 5.6A,10V | 3.5V @ 370µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1020 PF @ 100 V | - | 32W(TC) | |||
![]() | IPA50R399CPXKSA1 | - | ![]() | 9725 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA50R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 399MOHM @ 4.9A,10V | 3.5V @ 330µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 890 pf @ 100 V | - | 83W(TC) | ||||
![]() | IPA60R250CPXKSA1 | - | ![]() | 2245 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA60R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 250MOHM @ 7.8A,10V | 3.5V @ 440µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1300 pf @ 100 V | - | 33W(TC) | ||||
![]() | IPA60R520CPXKSA1 | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IPA60R | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3-31 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 6.8A(TC) | 10V | 520MOHM @ 3.8A,10V | 3.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 630 PF @ 100 V | - | 30W(TC) | ||||
![]() | IPB009N03LGATMA1 | - | ![]() | 1709年 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | IPB009 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-7-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 30 V | 180a(TC) | 4.5V,10V | 0.95MOHM @ 100A,10V | 2.2V @ 250µA | 227 NC @ 10 V | ±20V | 25000 pf @ 15 V | - | 250W(TC) | |||
![]() | IPB011N04LGATMA1 | 5.4700 | ![]() | 1539年 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | IPB011 | MOSFET (金属 o化物) | pg-to263-7-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 180a(TC) | 4.5V,10V | 1.1MOHM @ 100A,10V | 2V @ 200µA | 346 NC @ 10 V | ±20V | 29000 PF @ 20 V | - | 250W(TC) |
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