晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPP120N06NGAKSA1	-	询价	5715	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP120N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						60V	75A（温度）	10V	12毫欧@75A，10V	4V@94μA	62nC@10V	±20V	2100pF@30V	-	158W（温度）
IAUC120N06S5N017ATMA1	2.7900	询价	3964	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC120			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-43	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						60V	120A（Tj）		1.7毫欧@60A，10V	3.4V@94μA	95.9nC@10V	±20V	6952pF@30V	-	167W（温度）
F4100R17N3E4B80BPSA1	-	询价	第1362章	英飞凌科技	*	托盘	SIC停产					F4100R							-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10
IRFU3607-701PBF	-	询价	1295	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA				MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						75V	56A（温度）	10V	9毫欧@46A，10V	4V@100μA	84nC@10V	±20V	3070pF@50V	-	140W（温度）
BCR 192 B6327	-	询价	5333	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR 192				200毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	30,000																					50V	100毫安							100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
IPB80N06S2L05ATMA1	-	询价	第1643章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						55V	80A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@80A，10V	2V@250μA	230nC@10V	±20V	5700pF@25V	-	300W（温度）
IRF6648TR1	-	询价	9492	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MN				MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MN	下载	不符合 RoHS 指令	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	86A（温度）	10V	7毫欧@17A，10V	4.9V@150μA	50nC@10V	±20V	2120pF@25V	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
MMBT2907ALT1HTSA1	0.3800	询价	69	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT2907				330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					60V	600毫安							10nA（ICBO）			国民党	1.6V@50mA、500mA	100@150mA，10V	200兆赫
SIPC10S2N06LX2LA1	-	询价	1403	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-						-				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		-							-	-	-	-		-		-	-
IQD009N06NM5CGATMA1	4.3000	询价	4201	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	9-PowerTDFN	IQD009			MOSFET（金属O化物）			PG-TTFN-9-U02	-	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	5,000		N沟道						60V	42A（Ta）、445A（Tc）	6V、10V	0.9毫欧@50A，10V	3.3V@163μA	150nC@10V	±20V	12000pF@30V	-	3W（Ta）、333W（Tc）
BSO033N03MSGXUMA1	1.5600	询价	27	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO033			MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						30V	17A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@22A，10V	2V@250μA	124nC@10V	±20V	9600pF@15V	-	1.56W（塔）
BCW68E6359HTMA1	-	询价	3775	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	最后一次购买												下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000015038		0000.00.0000	3,000
AUIRF1404STRL	-	询价	2703	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRF1404			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001517298	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						40V	75A（温度）	10V	4mOhm@95A，10V	4V@250μA	200nC@10V	±20V	7360pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
IRFP150N	-	询价	7536	英飞凌科技	HEXFET®	包	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3				MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道						100伏	42A（温度）	10V	36毫欧@23A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	1900pF@25V	-	160W（温度）
BUZ73A	-	询价	4687	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						200V	5.5A（温度）	10V	600毫欧@4.5A，10V	4V@1mA		±20V	530pF@25V	-	40W（温度）
FZ1500R33HL3NPSA1	1.0000	询价	40	英飞凌科技	*	大部分	的积极												下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-FZ1500R33HL3NPSA1-448			1
FP35R12KT4B11BOSA1	74.5000	询价	26	英飞凌科技	EconoPIM™2	大部分	SIC停产		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP35R12				210W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	1200伏	35A		2.15V@15V，35A					1毫安	是的	2nF@25V
IRGC75B60UB	-	询价	8671	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-	表面贴装	死		标准					死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1				-																不扩散条约	600伏	75A		2.9V@15V，75A	-		-
IKB20N60H3ATMA1	2.7900	询价	990	英飞凌科技	TrenchStop®	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IKB20N60	标准			170W		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V，20A，14.6欧姆，15V															112纳秒	沟渠场站	600伏	40A	80A	2.4V@15V，20A	690μJ	120℃	16纳秒/194纳秒
SPI08N50C3XK	-	询价	9335	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						500V	7.6A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	3.9V@350μA	32nC@10V	±20V	750pF@25V	-	83W（温度）
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1	115.8100	询价	9526	英飞凌科技	酷碳化硅™	托盘	的积极		-	安装结构	模块	DF11MR12			MOSFET（金属O化物）	-		AG-EASY1B	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	-							1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
PTFA091503ELV4R0XTMA1	-	询价	4305	英飞凌科技	-	条	过时的	65V			2 箔封装、翅片安装、法兰式			920MHz～960MHz	LDMOS			H-33288-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001422954	EAR99	8541.29.0095	50			10微安		1.25安	150W	17分贝											-										30V
IPB80N04S403JEATMA1	-	询价	6150	英飞凌科技	OptiMOS®-T2	大部分	过时的		-55°C ~ 155°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	-			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						40V	80A（温度）	10V	3.7毫欧@80A，10V	4V@53μA	66nC@10V	±20V	5260pF@25V	-	94W（温度）
DF23MR12W1M1PB11BPSA1	88.2400	询价	24	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	DF23MR12			碳化硅（SiC）	20毫W		AG-EASY1B-2	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	2156-DF23MR12W1M1PB11BPSA1-448	EAR99	8541.21.0095	30	2 个 N 沟道（双）							1200V（1.2kV）	25A（Tj）		45毫欧@25A，15V	5.55V@10mA	62nC@15V		1840pF@800V	-
IPDQ65R099CFD7AXTMA1	3.5088	询价	3833	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	22-PowerBSOP模块				MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22-1	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				750		N沟道						650伏	29A（温度）	10V	99毫欧@9.7A，10V	4.5V@480μA	39nC@10V	±20V	1942 pF @ 400 V	-	186W（温度）
IRL5602	-	询价	7720	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的			通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道						20V	24A（温度）	2.5V、4.5V	42毫欧@12A，4.5V	1V@250μA	44nC@4.5V	±8V	1460pF@15V	-	-
IPD60R360P7SAUMA1	1.1600	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						600伏	9A（温度）	10V	360毫欧@2.7A，10V	4V@140μA	13nC@10V	±20V	555 pF @ 400 V	-	41W（温度）
IRFR2405TRPBF	1.6800	询价	82	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR2405			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						55V	56A（温度）	10V	16毫欧@34A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	2430pF@25V	-	110W（温度）
IKW30N65NL5	-	询价	4690	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			227 W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1				400V，30A，23欧姆，15V															59纳秒	沟渠场站	650伏	85A	120A	1.35V@15V，30A	560μJ（开），1.35mJ（关）	168nC	59纳秒/283纳秒
IPD038N06N3GATMA1	1.9100	询价	2	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD038			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						60V	90A（温度）	10V	3.8毫欧@90A，10V	4V@90μA	98nC@10V	±20V	8000pF@30V	-	188W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²