晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
AUIRGP65G40D0	-	询价	9215	英飞凌科技	CooliRIGBT™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AUIRGP65	标准		625W		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400			400V，20A，4.7欧姆，15V												41纳秒	-	600伏	62A	84A	2.2V@15V，20A	298μJ（开），147μJ（关）	270℃	35纳秒/142纳秒
IRGP4262DPBF	-	询价	4405	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		250W		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25			400V，24A，10欧姆，15V												170纳秒	-	650伏	60A	96A	2.1V@15V，24A	520μJ（开），240μJ（关）	70℃	24纳秒/73纳秒
BC 817K-25W E6433	-	询价	5468	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	估计817年			250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	40,000																	45V	500毫安						100nA（ICBO）			NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	170兆赫
BSC019N04NSG	-	询价	1784	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	-						0000.00.0000	1		N沟道			40V	29A（Ta）、204A（Tc）	10V	1.9毫欧@50A，10V	4V@85μA	108nC@10V	±20V	8800pF@20V	-	2.5W（Ta）、125W（Tc）
BFP540E6327BTSA1	-	询价	9855	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BFP540			250毫W		PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				21.5分贝													5V	80毫安									NPN		50@20mA，3.5V	30GHz			0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
IRLI520NPBF	-	询价	2431	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			100伏	8.1A（温度）	4V、10V	180mOhm@6A，10V	2V@250μA	20nC@5V	±16V	440pF@25V	-	30W（温度）
IRGP4063DPBF	-	询价	7067	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRGP4063	标准		330W		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25			400V，48A，10欧姆，15V												115纳秒	沟	600伏	96A	144 一个	2.14V@15V，48A	625μJ（开），1.28mJ（关）	95℃	60纳秒/145纳秒
IGW40N120H3FKSA1	7.1300	询价	1	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	不适合新设计	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IGW40N120	标准		483 W		PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			600V，40A，12欧姆，15V													沟渠场站	1200伏	80A	160A	2.4V@15V，40A	3.16毫焦耳	185nC	30纳秒/290纳秒
IPP024N08NF2SAKMA1	2.7900	询价	第388章	英飞凌科技	强IRFET™2	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP024N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			80V	28A（Ta）、182A（Tc）	6V、10V	2.4毫欧@100A，10V	3.8V@139μA	133nC@10V	±20V	6200 pF @ 40 V	-	3.8W（Ta）、214W（Tc）
SPU02N60S5BKMA1	-	询价	8147	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SPU02N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			600伏	1.8A（温度）	10V	3欧姆@1.1A，10V	5.5V@80μA	9.5nC@10V	±20V	240pF@25V	-	25W（温度）
IRFSL23N20D102P	-	询价	6325	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			200V	24A（温度）	10V	100毫欧@14A，10V	5.5V@250μA	86nC@10V	±30V	1960pF@25V	-	3.8W（Ta）、170W（Tc）
BFP405E6327BTSA1	-	询价	8574	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BFP405			75毫W		PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				23分贝													5V	25毫安									NPN		60@5mA，4V	25GHz			1.25dB@1.8GHz
ICA32V08X1SA1	-	询价	4951	英飞凌科技	*	大部分	过时的										下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000966884	过时的	0000.00.0000	1
BCR08PNB6327XT	-	询价	4117	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR08			250毫W		PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	30,000																	50V	100毫安						-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
IRF7504TR	-	询价	7810	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	IRF7504		MOSFET（金属O化物）	1.25W		微8™	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）				20V	1.7A		270毫欧@1.2A，4.5V	700mV@250μA	8.2nC@4.5V		240pF@15V	逻辑电平门
BC856SE6327BTSA1	-	询价	7566	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BC856			250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	65V	100毫安						15nA（ICBO）			2 PNP（双）	650mV@5mA、100mA	200@2mA，5V	250兆赫
IPP65R150CFDAAKSA1	6.2800	询价	6246	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP65R150		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	22.4A（温度）	10V	150mOhm@9.3A，10V	4.5V@900μA	86nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	195.3W（温度）
SIGC10T60EX1SA5	-	询价	9848	英飞凌科技	TrenchStop™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	死	SIGC10	标准				死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	1			-													沟渠场站	600伏	20A	60A	1.9V@15V，20A	-		-
IRGS6B60KTRLPBF	-	询价	5624	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRGS6B60	标准		90W		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			400V，5A，100欧姆，15V													不扩散条约	600伏	13A	26A	2.2V@15V，5A	110μJ（开），135μJ（关）	18.2nC	25纳秒/215纳秒
IPB50CN10NGATMA1	-	询价	1538	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			100伏	20A（温度）	10V	50毫欧@20A，10V	4V@20μA	16nC@10V	±20V	1090pF@50V	-	44W（温度）
AUIRFP1405	-	询价	2905	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001515966	EAR99	8541.29.0095	400		N沟道			55V	95A（温度）	10V	5.3毫欧@95A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	5600pF@25V	-	310W（温度）
BSC009N04LSSCATMA1	3.1100	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	BSC009		MOSFET（金属O化物）			PG-WSON-8-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道			40V	301A（TC）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2V@250μA	133nC@10V	±20V	9520pF@20V	-	167W（温度）
IRL3714SPBF	-	询价	9418	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRL3714SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
IRG8P25N120KD-EPBF	-	询价	4760	英飞凌科技	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRG8P	标准		180W		TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001544900	EAR99	8541.29.0095	25			600V，15A，10欧姆，15V												70纳秒	-	1200伏	40A	45A	2V@15V，15A	800μJ（开），900μJ（关）	135nC	20纳秒/170纳秒
BCR08PNE6327BTSA1	-	询价	8828	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR08			250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安						-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
BSO612CVGXUMA1	0.4700	询价	5973	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	最后一次购买										下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行				2,500人
IRL3714STRL	-	询价	6574	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
SPD50N03S2L06GBTMA1	-	询价	6631	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器50N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	50A（温度）	4.5V、10V	6.4毫欧@50A，10V	2V@85μA	68nC@10V	±20V	25V时为2530pF	-	136W（温度）
F3L150R07W2H3B11BPSA1	98.8900	询价	10	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	F3L150			20毫W	标准	AG-EASY2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	三层平面遮阳板															沟渠场站	650伏	85A		2V@15V，150A				9微安	是的	9.4nF@650V
IRF7524D1PBF	-	询价	3378	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			微8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		P沟道			20V	1.7A（塔）	2.7V、4.5V	270毫欧@1.2A，4.5V	700mV @ 250μA（极低）	8.2nC@4.5V	±12V	240pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.25W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²