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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB22N03S4L-15 | 1.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | PG-TO263-3-2 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N沟道 | 30V | 22A(温度) | 4.5V、10V | 14.9毫欧@22A,10V | 2.2V@10μA | 14nC@10V | ±16V | 980pF@25V | - | 31W(温度) | ||||||||||||||||||
![]() | SPP11N60C3XKSA1 | 4.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolMOS™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | SPP11N60 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-3-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 650伏 | 11A(温度) | 10V | 380毫欧@7A,10V | 3.9V@500μA | 60nC@10V | ±20V | 1200pF@25V | - | 125W(温度) | ||||||||||||||
![]() | IGB20N65S5ATMA1 | 2.4700 | ![]() | 7363 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | IGB20N65 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 808-40 B6327 | - | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 估计808年 | 330毫W | PG-SOT23 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 25V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 250@100mA,1V | 200兆赫 | |||||||||||||||||||
![]() | BCR 196F E6327 | - | ![]() | 9938 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SOT-723 | BCR 196 | 250毫W | PG-TSFP-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 70毫安 | 100nA(ICBO) | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 50@5mA,5V | 150兆赫 | 47欧姆 | 22欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | BSM100GB120DN2K | - | ![]() | 6727 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 大部分 | 的积极 | BSM100 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R600P7 | - | ![]() | 5114 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5210L | - | ![]() | 5011 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | TO-262 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IRF5210L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P沟道 | 100伏 | 40A(温度) | 10V | 60毫欧@24A,10V | 4V@250μA | 180nC@10V | ±20V | 2700pF@25V | - | 3.8W(Ta)、200W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | BFP540FESDH6327XTSA1 | 0.7400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 4-SMD,写入 | BFP540 | 250毫W | 4-TSFP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20分贝 | 5V | 80毫安 | NPN | 50@20mA,3.5V | 30GHz | 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||
![]() | ICD20V02X1SA1 | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP000946698 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPU80R600P7AKMA1 | 1.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolMOS™ P7 | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | IPU80R600 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO251-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | N沟道 | 800V | 8A(温度) | 10V | 600毫欧@3.4A,10V | 3.5V@170μA | 20nC@10V | ±20V | 570 pF @ 500 V | - | 60W(温度) | |||||||||||||||
![]() | BCR523E6327HTSA1 | 0.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BCR523 | 330毫W | PG-SOT23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 70@50mA,5V | 100兆赫 | 1欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S3-07 | - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | IPB80N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO263-3-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 55V | 80A(温度) | 10V | 6.5毫欧@51A,10V | 4V@80μA | 170nC@10V | ±20V | 7768pF@25V | - | 135W(温度) | |||||||||||||||
![]() | IPQC60R040S7AXTMA1 | 11.1000 | ![]() | 5127 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车、AEC-Q101、CoolMOS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 22-PowerBSOP模块 | MOSFET(金属O化物) | PG-HDSOP-22 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | N沟道 | 600伏 | 14A(温度) | 12V | 40毫欧@13A,12V | 4.5V@790μA | 12V时为83nC | ±20V | - | 272W(温度) | ||||||||||||||||||
![]() | IPI120N08S403AKSA1 | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车、AEC-Q101、OptiMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | IPI120 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO262-3-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N沟道 | 80V | 120A(温度) | 10V | 2.8毫欧@100A,10V | 4V@223μA | 167nC@10V | ±20V | 11550pF@25V | - | 278W(温度) | ||||||||||||||
![]() | BFP450H6433XTMA1 | 0.2940 | ![]() | 2509 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-82A、SOT-343 | BFP450 | 450毫W | PG-SOT343-3D | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 15.5分贝 | 5V | 100毫安 | NPN | 60@50mA,4V | 24GHz | 1.25dB@1.8GHz | ||||||||||||||||||
![]() | IRF840PBF | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 500V | 8A(温度) | 10V | 850毫欧@4.8A,10V | 4V@250μA | 63nC@10V | ±20V | 1300pF@25V | - | 125W(温度) | |||||||||||||||
![]() | BCR 512 B6327 | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BCR 512 | 330毫W | PG-SOT23 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 300毫伏@2.5毫安、50毫安 | 60@50mA,5V | 100兆赫 | 4.7欧姆 | 4.7欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | IPA60R400CEXKSA1 | 1.7000 | ![]() | 8891 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolMOS™ CE | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3全包 | IPA60R400 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-FP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 600伏 | 10.3A(温度) | 10V | 400毫欧@3.8A,10V | 3.5V@300μA | 32nC@10V | ±20V | 700 pF @ 100 V | - | 31W(温度) | ||||||||||||||
![]() | BC847SH6730XTMA1 | - | ![]() | 5463 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | BC847 | 250毫W | PG-SOT363-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001008360 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 2 NPN(双) | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 250兆赫 | |||||||||||||||||
![]() | BCR183WH6327XTSA1 | - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BCR183 | 250毫W | PG-SOT323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 30@5mA,5V | 200兆赫 | 10欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | IPW65R099C6FKSA1 | 9.0000 | ![]() | 8639 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | IPW65R099 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO247-3-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 650伏 | 38A(温度) | 10V | 99毫欧@12.8A,10V | 3.5V@1.2mA | 127nC@10V | ±20V | 2780pF@100V | - | 278W(温度) | ||||||||||||||
![]() | BDP948E6327HTSA1 | - | ![]() | 1616 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | BDP948 | 5W | PG-SOT223-4-10 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 3A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500mV@200mA,2A | 85@500mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907ALT1HTSA1 | 0.3800 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBT2907 | 330毫W | PG-SOT23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 600毫安 | 10nA(ICBO) | 国民党 | 1.6V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | 200兆赫 | ||||||||||||||||||
![]() | BSP149 E6327 | - | ![]() | 第1256章 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | SIPMOS® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | MOSFET(金属O化物) | PG-SOT223-4 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 200V | 660毫安(塔) | 0V、10V | 1.8欧姆@660mA,10V | 1V@400μA | 14nC@5V | ±20V | 430pF@25V | 成熟模式 | 1.8W(塔) | |||||||||||||||
![]() | IRLU014N | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | I-PAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IRLU014N | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N沟道 | 55V | 10A(温度) | 4.5V、10V | 140mOhm@6A,10V | 1V@250μA | 7.9nC@5V | ±16V | 265pF@25V | - | 28W(温度) | ||||||||||||||
![]() | IRF2807S | - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | D2PAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 75V | 82A(温度) | 10V | 13毫欧@43A,10V | 4V@250μA | 160nC@10V | ±20V | 3820pF@25V | - | 230W(温度) | |||||||||||||||
![]() | IPP057N08N3GXKSA1 | 2.5300 | ![]() | 9573 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | IPP057 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 80V | 80A(温度) | 6V、10V | 5.7毫欧@80A,10V | 3.5V@90μA | 69nC@10V | ±20V | 4750pF@40V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||
![]() | BCX51E6327HTSA1 | - | ![]() | 9233 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | BCX51 | 2W | PG-SOT89 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 40@150mA,2V | 125兆赫 | |||||||||||||||||||
![]() | BCX5116E6327HTSA1 | 0.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 2W | PG-SOT89-4-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 100@150mA,2V | 125兆赫 |

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