晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
IPB22N03S4L-15	1.1300	询价	1	英飞凌科技	*	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载					EAR99	8542.39.0001	1	N沟道		30V	22A（温度）	4.5V、10V	14.9毫欧@22A，10V	2.2V@10μA	14nC@10V	±16V	980pF@25V	-	31W（温度）
SPP11N60C3XKSA1	4.0000	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP11N60	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		650伏	11A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	3.9V@500μA	60nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
IGB20N65S5ATMA1	2.4700	询价	7363	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极				IGB20N65				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
BC 808-40 B6327	-	询价	8129	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计808年		330毫W	PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	30,000													25V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	200兆赫
BCR 196F E6327	-	询价	9938	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-723	BCR 196		250毫W	PG-TSFP-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	70毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	150兆赫	47欧姆	22欧姆
BSM100GB120DN2K	-	询价	6727	英飞凌科技	*	大部分	的积极				BSM100				下载						0000.00.0000	1
IPA60R600P7	-	询价	5114	英飞凌科技	*	大部分	的积极								下载						0000.00.0000	1
IRF5210L	-	询价	5011	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF5210L	EAR99	8541.29.0095	50	P沟道		100伏	40A（温度）	10V	60毫欧@24A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	2700pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
BFP540FESDH6327XTSA1	0.7400	询价	8	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，写入	BFP540		250毫W	4-TSFP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000		20分贝											5V	80毫安		NPN		50@20mA，3.5V	30GHz			0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
ICD20V02X1SA1	-	询价	4081	英飞凌科技	*	大部分	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000946698	过时的	0000.00.0000	1
IPU80R600P7AKMA1	1.9200	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU80R600	MOSFET（金属O化物）		PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人	N沟道		800V	8A（温度）	10V	600毫欧@3.4A，10V	3.5V@170μA	20nC@10V	±20V	570 pF @ 500 V	-	60W（温度）
BCR523E6327HTSA1	0.3900	询价	16	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR523		330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	70@50mA，5V	100兆赫	1欧姆	10欧姆
IPB80N06S3-07	-	询价	5218	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		55V	80A（温度）	10V	6.5毫欧@51A，10V	4V@80μA	170nC@10V	±20V	7768pF@25V	-	135W（温度）
IPQC60R040S7AXTMA1	11.1000	询价	5127	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	22-PowerBSOP模块		MOSFET（金属O化物）		PG-HDSOP-22	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	750	N沟道		600伏	14A（温度）	12V	40毫欧@13A，12V	4.5V@790μA	12V时为83nC	±20V		-	272W（温度）
IPI120N08S403AKSA1	-	询价	5708	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI120	MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道		80V	120A（温度）	10V	2.8毫欧@100A，10V	4V@223μA	167nC@10V	±20V	11550pF@25V	-	278W（温度）
BFP450H6433XTMA1	0.2940	询价	2509	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BFP450		450毫W	PG-SOT343-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		15.5分贝											5V	100毫安		NPN		60@50mA，4V	24GHz			1.25dB@1.8GHz
IRF840PBF	-	询价	8650	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		500V	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
BCR 512 B6327	-	询价	6158	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR 512		330毫W	PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	30,000													50V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	60@50mA，5V	100兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
IPA60R400CEXKSA1	1.7000	询价	8891	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA60R400	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		600伏	10.3A（温度）	10V	400毫欧@3.8A，10V	3.5V@300μA	32nC@10V	±20V	700 pF @ 100 V	-	31W（温度）
BC847SH6730XTMA1	-	询价	5463	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BC847		250毫W	PG-SOT363-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001008360	EAR99	8541.21.0075	3,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	2 NPN（双）	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	250兆赫
BCR183WH6327XTSA1	-	询价	8402	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR183		250毫W	PG-SOT323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
IPW65R099C6FKSA1	9.0000	询价	8639	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW65R099	MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30	N沟道		650伏	38A（温度）	10V	99毫欧@12.8A，10V	3.5V@1.2mA	127nC@10V	±20V	2780pF@100V	-	278W（温度）
BDP948E6327HTSA1	-	询价	1616	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BDP948		5W	PG-SOT223-4-10	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000													45V	3A	100nA（ICBO）	国民党	500mV@200mA，2A	85@500mA，1V	100兆赫兹
MMBT2907ALT1HTSA1	0.3800	询价	69	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT2907		330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													60V	600毫安	10nA（ICBO）	国民党	1.6V@50mA、500mA	100@150mA，10V	200兆赫
BSP149 E6327	-	询价	第1256章	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		200V	660毫安（塔）	0V、10V	1.8欧姆@660mA，10V	1V@400μA	14nC@5V	±20V	430pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
IRLU014N	-	询价	6850	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRLU014N	EAR99	8541.29.0095	75	N沟道		55V	10A（温度）	4.5V、10V	140mOhm@6A，10V	1V@250μA	7.9nC@5V	±16V	265pF@25V	-	28W（温度）
IRF2807S	-	询价	5063	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		75V	82A（温度）	10V	13毫欧@43A，10V	4V@250μA	160nC@10V	±20V	3820pF@25V	-	230W（温度）
IPP057N08N3GXKSA1	2.5300	询价	9573	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP057	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道		80V	80A（温度）	6V、10V	5.7毫欧@80A，10V	3.5V@90μA	69nC@10V	±20V	4750pF@40V	-	150W（温度）
BCX51E6327HTSA1	-	询价	9233	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX51		2W	PG-SOT89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000													45V	1A	100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	125兆赫
BCX5116E6327HTSA1	0.0900	询价	13	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			2W	PG-SOT89-4-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000													45V	1A	100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	125兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²