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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 测试条件 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 集电极脉冲电流(Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | NTC热敏电阻 | 输入电容 (Cies) @ Vce | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRGP65G40D0 | - | ![]() | 9215 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CooliRIGBT™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | AUIRGP65 | 标准 | 625W | TO-247AC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V,20A,4.7欧姆,15V | 41纳秒 | - | 600伏 | 62A | 84A | 2.2V@15V,20A | 298μJ(开),147μJ(关) | 270℃ | 35纳秒/142纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4262DPBF | - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 250W | TO-247AC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,24A,10欧姆,15V | 170纳秒 | - | 650伏 | 60A | 96A | 2.1V@15V,24A | 520μJ(开),240μJ(关) | 70℃ | 24纳秒/73纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 817K-25W E6433 | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 估计817年 | 250毫W | PG-SOT323 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 40,000 | 45V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,1V | 170兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC019N04NSG | - | ![]() | 1784 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™3 | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | PG-TDSON-8-1 | - | 0000.00.0000 | 1 | N沟道 | 40V | 29A(Ta)、204A(Tc) | 10V | 1.9毫欧@50A,10V | 4V@85μA | 108nC@10V | ±20V | 8800pF@20V | - | 2.5W(Ta)、125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP540E6327BTSA1 | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-82A、SOT-343 | BFP540 | 250毫W | PG-SOT343-3D | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 21.5分贝 | 5V | 80毫安 | NPN | 50@20mA,3.5V | 30GHz | 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLI520NPBF | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB全包 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N沟道 | 100伏 | 8.1A(温度) | 4V、10V | 180mOhm@6A,10V | 2V@250μA | 20nC@5V | ±16V | 440pF@25V | - | 30W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4063DPBF | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | IRGP4063 | 标准 | 330W | TO-247AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,48A,10欧姆,15V | 115纳秒 | 沟 | 600伏 | 96A | 144 一个 | 2.14V@15V,48A | 625μJ(开),1.28mJ(关) | 95℃ | 60纳秒/145纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGW40N120H3FKSA1 | 7.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | TrenchStop® | 管子 | 不适合新设计 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | IGW40N120 | 标准 | 483 W | PG-TO247-3-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,40A,12欧姆,15V | 沟渠场站 | 1200伏 | 80A | 160A | 2.4V@15V,40A | 3.16毫焦耳 | 185nC | 30纳秒/290纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP024N08NF2SAKMA1 | 2.7900 | ![]() | 第388章 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 强IRFET™2 | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | IPP024N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 80V | 28A(Ta)、182A(Tc) | 6V、10V | 2.4毫欧@100A,10V | 3.8V@139μA | 133nC@10V | ±20V | 6200 pF @ 40 V | - | 3.8W(Ta)、214W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPU02N60S5BKMA1 | - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | SPU02N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO251-3-21 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N沟道 | 600伏 | 1.8A(温度) | 10V | 3欧姆@1.1A,10V | 5.5V@80μA | 9.5nC@10V | ±20V | 240pF@25V | - | 25W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL23N20D102P | - | ![]() | 6325 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | TO-262 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 200V | 24A(温度) | 10V | 100毫欧@14A,10V | 5.5V@250μA | 86nC@10V | ±30V | 1960pF@25V | - | 3.8W(Ta)、170W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP405E6327BTSA1 | - | ![]() | 8574 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-82A、SOT-343 | BFP405 | 75毫W | PG-SOT343-3D | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 23分贝 | 5V | 25毫安 | NPN | 60@5mA,4V | 25GHz | 1.25dB@1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA32V08X1SA1 | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP000966884 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR08PNB6327XT | - | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | BCR08 | 250毫W | PG-SOT363-PO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 30,000 | 50V | 100毫安 | - | 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) | 300mV@500μA,10mA | 70@5mA,5V | 170兆赫 | 2.2k欧姆 | 47k欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7504TR | - | ![]() | 7810 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | IRF7504 | MOSFET(金属O化物) | 1.25W | 微8™ | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 个 P 沟道(双) | 20V | 1.7A | 270毫欧@1.2A,4.5V | 700mV@250μA | 8.2nC@4.5V | 240pF@15V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856SE6327BTSA1 | - | ![]() | 7566 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | BC856 | 250毫W | PG-SOT363-PO | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | 2 PNP(双) | 650mV@5mA、100mA | 200@2mA,5V | 250兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R150CFDAAKSA1 | 6.2800 | ![]() | 6246 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车、AEC-Q101、CoolMOS™ | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | IPP65R150 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 650伏 | 22.4A(温度) | 10V | 150mOhm@9.3A,10V | 4.5V@900μA | 86nC@10V | ±20V | 100V时为2340pF | - | 195.3W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC10T60EX1SA5 | - | ![]() | 9848 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | TrenchStop™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 死 | SIGC10 | 标准 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场站 | 600伏 | 20A | 60A | 1.9V@15V,20A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS6B60KTRLPBF | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | IRGS6B60 | 标准 | 90W | D2PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V,5A,100欧姆,15V | 不扩散条约 | 600伏 | 13A | 26A | 2.2V@15V,5A | 110μJ(开),135μJ(关) | 18.2nC | 25纳秒/215纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB50CN10NGATMA1 | - | ![]() | 1538 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | PG-TO263-3-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 100伏 | 20A(温度) | 10V | 50毫欧@20A,10V | 4V@20μA | 16nC@10V | ±20V | 1090pF@50V | - | 44W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP1405 | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001515966 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N沟道 | 55V | 95A(温度) | 10V | 5.3毫欧@95A,10V | 4V@250μA | 180nC@10V | ±20V | 5600pF@25V | - | 310W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC009N04LSSCATMA1 | 3.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | BSC009 | MOSFET(金属O化物) | PG-WSON-8-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N沟道 | 40V | 301A(TC) | 4.5V、10V | 1.24毫欧@50A,10V | 2V@250μA | 133nC@10V | ±20V | 9520pF@20V | - | 167W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714SPBF | - | ![]() | 9418 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IRL3714SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 20V | 36A(温度) | 4.5V、10V | 20毫欧@18A,10V | 3V@250μA | 9.7nC@4.5V | ±20V | 670pF@10V | - | 47W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG8P25N120KD-EPBF | - | ![]() | 4760 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | IRG8P | 标准 | 180W | TO-247AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001544900 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V,15A,10欧姆,15V | 70纳秒 | - | 1200伏 | 40A | 45A | 2V@15V,15A | 800μJ(开),900μJ(关) | 135nC | 20纳秒/170纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR08PNE6327BTSA1 | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | BCR08 | 250毫W | PG-SOT363-PO | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) | 300mV@500μA,10mA | 70@5mA,5V | 170兆赫 | 2.2k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO612CVGXUMA1 | 0.4700 | ![]() | 5973 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 2,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714STRL | - | ![]() | 6574 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | D2PAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 20V | 36A(温度) | 4.5V、10V | 20毫欧@18A,10V | 3V@250μA | 9.7nC@4.5V | ±20V | 670pF@10V | - | 47W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD50N03S2L06GBTMA1 | - | ![]() | 6631 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 防雷器50N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO252-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 50A(温度) | 4.5V、10V | 6.4毫欧@50A,10V | 2V@85μA | 68nC@10V | ±20V | 25V时为2530pF | - | 136W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L150R07W2H3B11BPSA1 | 98.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EasyPACK™ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | F3L150 | 20毫W | 标准 | AG-EASY2B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 三层平面遮阳板 | 沟渠场站 | 650伏 | 85A | 2V@15V,150A | 9微安 | 是的 | 9.4nF@650V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7524D1PBF | - | ![]() | 3378 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | FETKY™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 微8™ | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | P沟道 | 20V | 1.7A(塔) | 2.7V、4.5V | 270毫欧@1.2A,4.5V | 700mV @ 250μA(极低) | 8.2nC@4.5V | ±12V | 240pF@15V | 肖特基分散(隔离) | 1.25W(塔) |

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