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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
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BSC240N12NS3 g	-	RFQ	8862	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		120 v	37A（TC）	10V	24mohm @ 31a，10v	4V @ 35µA	27 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 60 V	-	66W（TC）
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IRF7834pbf	-	RFQ	3599	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565546	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		30 V	（19a ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
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ipd50r500ceatma1	-	RFQ	8908	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	7.6A（TC）	13V	500mohm @ 2.3a，13v	3.5V @ 200µA	18.7 NC @ 10 V	±20V	433 pf @ 100 V	-	57W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²