晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IRLR3715ZTR	-	询价	3478	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001558456	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		20V	49A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@15A，10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V	±20V	10V时为810pF	-	40W（温度）
BCR 164F E6327	-	询价	9186	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	SOT-723	BCR 164			250毫W		PG-TSFP-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	100毫安						100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	160兆赫	4.7欧姆	10欧姆
SPS04N60C3BKMA1	-	询价	7002	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	SPS04N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		650伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	25nC@10V	±20V	490pF@25V	-	50W（温度）
SPP15N60CFDXKSA1	3.2127	询价	6385	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP15N60		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		600伏	13.4A（温度）	10V	330毫欧@9.4A，10V	5V@750μA	84nC@10V	±20V	1820pF@25V	-	156W（温度）
SPW21N50C3FKSA1	-	询价	5618	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW21N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		560伏	21A（温度）	10V	190毫欧@13.1A，10V	3.9V@1mA	95nC@10V	±20V	25V时为2400pF	-	208W（温度）
IPF041N10NF2SATMA1	-	询价	2528	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	SIC停产										-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				800
IRF6601	-	询价	4777	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	DirectFET™ 等距 MT			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MT	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道		20V	26A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@26A，10V	2.2V@250μA	45nC@4.5V	±20V	15V时为3440pF	-	3.6W（Ta）、42W（Tc）
IRG4BC10UPBF	-	询价	6174	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRG4BC10	标准		38W		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			480V，5A，100欧姆，15V											28纳秒	-	600伏	8.5安	34A	2.6V@15V，5A	140μJ（开），120μJ（关）	15纳克	40纳秒/87纳秒
BSP295E6327T	-	询价	8423	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	1.8A（塔）	4.5V、10V	300毫欧@1.8A，10V	1.8V@400μA	17nC@10V	±20V	368pF@25V	-	1.8W（塔）
IPD350N06LGBTMA1	0.9600	询价	5454	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距350		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	29A（温度）	4.5V、10V	35毫欧@29A，10V	2V@28μA	13nC@5V	±20V	800pF@30V	-	68W（温度）
IPA50R399CPXKSA1	-	询价	9725	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA50R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-31	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		500V	9A（温度）	10V	399毫欧@4.9A，10V	3.5V@330μA	23nC@10V	±20V	100V时为890pF	-	83W（温度）
IPD033N06NATMA1	2.3300	询价	2	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD033		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	90A（温度）	6V、10V	3.3毫欧@90A，10V	3.3V@50μA	44nC@10V	±20V	3400pF@30V	-	107W（温度）
IPT60T040S7XTMA1	4.8790	询价	4897	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				2,000
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2	94.6200	询价	15	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS3L30			20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔														沟渠场站	650伏	30A		1.9V@15V，30A				1毫安	是的	1.65nF@25V
IGW40N60TP	1.2800	询价	360	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		246 W		PG-TO247-3	下载					EAR99	8542.39.0001	1			400V，40A，10.1欧姆，15V												沟渠场站	600伏	67A	120A	1.8V@15V，40A	1.06mJ（开），610μJ（关）	177 nC	18纳秒/222纳秒
IPL60R095CFD7AUMA1	6.1800	询价	6190	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	4-PowerTSFN	IPL60R095		MOSFET（金属O化物）			PG-VSON-4	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		600伏	25A（温度）	10V	95毫欧@1.4A，10V	4.5V@570μA	51nC@10V	±20V	2103 pF @ 400 V	-	147W（温度）
IGC41T120T8QX7SA2	-	询价	5197	英飞凌科技	TrenchStop™	大部分	的积极				IGC41T120	标准					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	IGC41T120T8Q	EAR99	8541.29.0095	1			-												沟渠场站	1200伏		120A	2.42V@15V，40A	-		-
IPW60R250CPFKSA1	-	询价	7675	英飞凌科技	*	大部分	的积极										下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
FD450R12KE4PHOSA1	230.4800	询价	3672	英飞凌科技	C	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	FD450R12				标准	AG-62MM-1	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8	单斩波器														沟渠场站	1200伏	450A		2.15V@15V，450A				5毫安	不
FP75R12N3T7B11BPSA1	206.2200	询价	7	英飞凌科技	EconoPIM™3	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块				20毫W	东部桥式调整器	AG-ECONO3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔														沟渠场站	1200伏	75A		1.8V@15V，75A				13微安	是的	15.1nF@25V
IPQC65R040CFD7XTMA1	7.4950	询价	3363	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	22-PowerBSOP模块	IPDQ65		MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	750		N沟道		650伏	64A（温度）	10V	40毫欧@24.8A，10V	4.5V@1.24mA	97nC@10V	±20V	4975 pF @ 400 V	-	357W（温度）
IRFU7540PBF	-	询价	4301	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRFU7540		MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001565384	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	90A（温度）	6V、10V	4.8毫欧@66A，10V	3.7V@100μA	130nC@10V	±20V	4360pF@25V	-	140W（温度）
辅助EPF1405ZS	-	询价	7036	英飞凌科技	-	管子	过时的	-	-	-			-			-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		50		-			-	-	-	-		-		-	-
BCR10PNB6327XT	-	询价	第1554章	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR10			250毫W		PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	30,000																50V	100毫安						-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	130兆赫	10k欧姆	10k欧姆
BCR108E6433HTMA1	0.0495	询价	8761	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR108			200毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2欧姆	47欧姆
AUIRFR4105	-	询价	1045	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522204	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		55V	20A（温度）	10V	45毫欧@16A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±20V	700pF@25V	-	68W（温度）
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1	90.3700	询价	30	英飞凌科技	-	托盘	的积极				FF33MR12		-				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				30												-
BTS114A E3045A	3.2200	询价	4	英飞凌科技	TEMPFET®	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-5	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		50V	17A（温度）	10V	100mOhm@9A，10V	3.5V@1mA		±20V	600pF@25V	-	50W
IGW40N60H3FKSA1	5.7700	询价	230	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IGW40N60	标准		306W		PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，40A，7.9欧姆，15V												沟渠场站	600伏	80A	160A	2.4V@15V，40A	1.68毫焦耳	223nC	19纳秒/197纳秒
IRF1404STRLPBF	2.8400	询价	2	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF1404		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		40V	162A（温度）	10V	4mOhm@95A，10V	4V@250μA	200nC@10V	±20V	7360pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²