晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
PTFA092213ELV4R250XTMA2	-	询价	1987年	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001128134	EAR99	8541.29.0075	250
IRF8113GPBF	-	询价	1083	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001560088	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道	30V	17.2A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@17.2A，10V	2.2V@250μA	36nC@4.5V	±20V	2910pF@15V	-	2.5W（塔）
IRF7811ATR	-	询价	5644	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	28V	11A（塔）	4.5V	10毫欧@11A，10V	3V@250μA	26nC@4.5V	±12V	1760pF@15V	-	2.5W（塔）
IRL3103D1PBF	-	询价	8288	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRL3103D1PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	30V	64A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@34A，10V	1V@250μA	43nC@4.5V	±16V	1900pF@25V	-	2W（Ta）、89W（Tc）
BSC014N06NSTATMA1	3.7000	询价	5491	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC014	MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	100A（温度）	6V、10V	1.45毫欧@50A，10V	3.3V@120μA	10V时为104nC	±20V	8125pF@30V	-	3W（Ta）、188W（Tc）
IRFH5215TRPBF	1.9300	询价	第242章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘	IRFH5215	MOSFET（金属O化物）		PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	150伏	5A（Ta）、27A（Tc）	10V	58毫欧@16A，10V	5V@100μA	32nC@10V	±20V	1350pF@50V	-	3.6W（Ta）、104W（Tc）
IPN60R2K1CEATMA1	0.6800	询价	7952	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IPN60R2	MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	3.7A（温度）	10V	2.1欧姆@800mA，10V	3.5V@60μA	6.7nC@10V	±20V	140 pF @ 100 V	-	5W（温度）
IPU60R2K0C6AKMA1	-	询价	1316	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU60R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道	600伏	2.4A（温度）	10V	2欧姆@760mA，10V	3.5V@60μA	6.7nC@10V	±20V	140 pF @ 100 V	-	22.3W（温度）
BCR141SH6327XTSA1	-	询价	6636	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR141		250毫W	PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100毫安	-	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	130兆赫	22k欧姆	22k欧姆
IRFR3711Z	-	询价	7482	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFR3711Z	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道	20V	93A（温度）	4.5V、10V	5.7毫欧@15A，10V	2.45V@250μA	27nC@4.5V	±20V	10V时为2160pF	-	79W（温度）
IRFSL23N20D	-	询价	1015	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFSL23N20D	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	200V	24A（温度）	10V	100毫欧@14A，10V	5.5V@250μA	86nC@10V	±30V	1960pF@25V	-	3.8W（Ta）、170W（Tc）
BSP149L6327HTSA1	-	询价	5411	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4-21	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	200V	660毫安（塔）	0V、10V	1.8欧姆@660mA，10V	1V@400μA	14nC@5V	±20V	430pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
IRL40T209ATMA1	-	询价	4592	英飞凌科技	强IRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	IRL40T209	MOSFET（金属O化物）		PG-HSOF-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	300A（温度）	4.5V、10V	0.72mOhm@100A，10V	2.4V@250μA	269nC@4.5V	±20V	16000pF@20V	-	500W（温度）
IRL3103D2PBF	-	询价	6344	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRL3103D2PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	30V	54A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@32A，10V	1V@250μA	44nC@4.5V	±16V	2300pF@25V	-	2W（Ta）、70W（Tc）
SPP04N60C3HKSA1	-	询价	6435	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP04N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	25nC@10V	±20V	490pF@25V	-	50W（温度）
IRF9953TR	-	询价	8046	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF995	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SO	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		30V	2.3A		250mOhm@1A，10V	1V@250μA	12nC@10V		190pF@15V	逻辑电平门
IRFZ44NPBF	2.4400	询价	5	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFZ44	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	49A（温度）	10V	17.5毫欧@25A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1470pF@25V	-	94W（温度）
SPP18P06PHKSA1	-	询价	3048	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SPP18P	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		P沟道	60V	18.7A（塔）	10V	130毫欧@13.2A，10V	4V@1mA	28nC@10V	±20V	860pF@25V	-	81.1W（塔）
IRL3303L	-	询价	5852	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRL3303L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	30V	38A（温度）	4.5V、10V	26毫欧@20A，10V	1V@250μA	26nC@4.5V	±16V	870pF@25V	-	3.8W（Ta）、68W（Tc）
FF400R07A01E3S6XKSA2	161.5100	询价	218	英飞凌科技	-	管子	的积极				FF400R07				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	12
BCR148SH6433XTMA1	-	询价	2864	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR148		250毫W	PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	100毫安	-	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	100兆赫兹	47k欧姆	47k欧姆
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IRL1004	-	询价	6692	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRL1004	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	130A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@78A，10V	1V@250μA	100nC@4.5V	±16V	5330pF@25V	-	200W（温度）
BCR573E6327HTSA1	0.0838	询价	4291	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR573		330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	500毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	70@50mA，5V	150兆赫	1欧姆	10欧姆
IRF520NL	-	询价	3111	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF520NL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	9.7A（温度）	10V	200毫欧@5.7A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±20V	330pF@25V	-	3.8W（Ta）、48W（Tc）
SMBT3904SE6327HTSA1	-	询价	8418	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	中小企业 BT 3904		330毫W	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	200毫安	50nA（ICBO）	2 NPN（双）	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
IMBG65R057M1HXTMA1	11.8000	询价	940	英飞凌科技	酷碳化硅™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBG65	SiCFET（碳化硅）		PG-TO263-7-12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IMBG65R057M1HXTMA1CT	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	39A（温度）	18V	74毫欧@16.7A，18V	5.7V@5mA	28nC@18V	+23V，-5V	930 pF @ 400 V	-	161W（温度）
SPI12N50C3XKSA1	-	询价	7247	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI12N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	560伏	11.6A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	3.9V@500μA	49nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
IRF1010ZSPBF	-	询价	6275	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	55V	75A（温度）	10V	7.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	95nC@10V	±20V	2840pF@25V	-	140W（温度）
SPP07N60S5	-	询价	6771	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP07N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	5.5V@350μA	35nC@10V	±20V	970pF@25V	-	83W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²