SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BCR35PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR35PNE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR35 250MW PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 150MHz 10KOHMS 47kohms
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R7ATMA1 2.2200
RFQ
ECAD 5502 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN IPC100 MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-34 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 100A(TC) 7V,10V 1.7MOHM @ 50a,10v 3.4V @ 60µA 83 NC @ 10 V ±20V 4810 PF @ 25 V - 115W(TC)
BCR135SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR135SH6327XTSA1 0.4600
RFQ
ECAD 6540 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR135S 250MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 150MHz 10KOHMS 47kohms
BFR92WH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR92WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 SC-70,SOT-323 BFR92 280MW PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 11.5db〜17dB 15V 45mA NPN 70 @ 15mA,8v 5GHz 1.4db〜2dB @ 900MHz〜1.8GHz
FP30R06KE3BPSA1 Infineon Technologies FP30R06KE3BPSA1 100.0700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FP30R06 125 w 三相桥梁整流器 Ag-Econo2c 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 三相逆变器 沟渠场停止 600 v 37 a 2V @ 15V,30a 1 MA 是的 1.65 NF @ 25 V
BCR 512 B6327 Infineon Technologies BCR 512 B6327 -
RFQ
ECAD 6158 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BCR 512 330兆 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 30,000 50 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 60 @ 50mA,5V 100 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
IRF6637TR1 Infineon Technologies IRF6637TR1 -
RFQ
ECAD 3577 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 DirectFet™等距MP MOSFET (金属 o化物) DirectFet™MP 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 30 V 14a(14A),59A (TC) 4.5V,10V 7.7MOHM @ 14A,10V 2.35V @ 250µA 17 NC @ 4.5 V ±20V 1330 pf @ 15 V - 2.3W(ta),42W(((TC)
IRLZ44NSTRR Infineon Technologies IRLZ44NSTRR -
RFQ
ECAD 2153 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 47A(TC) 4V,10V 22mohm @ 25a,10v 2V @ 250µA 48 NC @ 5 V ±16V 1700 PF @ 25 V - 3.8W(TA),110W(tc)
BC857CWE6433HTMA1 Infineon Technologies BC857CWE6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 6763 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC857 250兆 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 250MHz
BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR08PNH6327XTSA1 0.0975
RFQ
ECAD 4156 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR08 250MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 500µA,10mA 70 @ 5mA,5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
IRFZ34NSTRR Infineon Technologies IRFZ34NSTRR -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 29A(TC) 10V 40mohm @ 16a,10v 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 25 V - 3.8W(TA),68w(tc)
BCV62AE6327HTSA1 Infineon Technologies BCV62AE6327HTSA1 0.4400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BCV62 300MW PG-SOT-143-3D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 15NA(icbo) 2 PNP (双) 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 250MHz
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 Infineon Technologies FZ800R33KF2CB3S2NDSA1 -
RFQ
ECAD 7978 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FZ800 9600 w 标准 - 下载 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 3300 v 1 a 4.25V @ 15V,800A 5 ma 100 nf @ 25 V
BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies BFN26E6327HTSA1 0.0859
RFQ
ECAD 8587 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFN26 360兆w PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 200 ma 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 2mA,20mA 30 @ 30mA,10v 70MHz
BCR129SE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129SE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR129 250MW PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 500µA,10mA 120 @ 5mA,5V 150MHz 10KOHMS -
BCP 56-10 H6433 Infineon Technologies BCP 56-10 H6433 -
RFQ
ECAD 8771 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP 56 2 w PG-SOT223-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 4,000 80 V 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 100MHz
IPB26CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPB26CN10NGATMA1 -
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IPB26C MOSFET (金属 o化物) pg-to263-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 35A(TC) 10V 26mohm @ 35a,10v 4V @ 39µA 31 NC @ 10 V ±20V 2070 pf @ 50 V - 71W(TC)
BCR 101T E6327 Infineon Technologies BCR 101T E6327 -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-75,SOT-416 BCR 101 250兆 PG-SC75-3D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 50 mA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 70 @ 5mA,5V 100 MHz 100 kohms 100 kohms
BDP953E6327HTSA1 Infineon Technologies BDP953E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BDP953 5 w PG-SOT223-4-10 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 100 v 3 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 200mA,2a 100 @ 500mA,1V 100MHz
BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR141SH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BCR141 250MW PG-SOT363-PO 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA - 2 NPN- 预偏(双重) 300mv @ 500µA,10mA 50 @ 5mA,5V 130MHz 22KOHMS 22KOHMS
IRF1104STRL Infineon Technologies IRF1104STRL -
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 40 V 100A(TC) 10V 9mohm @ 60a,10v 4V @ 250µA 93 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 25 V - 2.4W(TA),170W(tc)
FP35R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FP35R12KT4B11BOSA1 74.5000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FP35R12 210 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 35 a 2.15V @ 15V,35a 1 MA 是的 2 NF @ 25 V
IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies IPW65R099C6FKSA1 9.0000
RFQ
ECAD 8639 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IPW65R099 MOSFET (金属 o化物) PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 38A(TC) 10V 99mohm @ 12.8a,10v 3.5V @ 1.2mA 127 NC @ 10 V ±20V 2780 pf @ 100 V - 278W(TC)
BFP420H6801XTSA1 Infineon Technologies BFP420H6801XTSA1 0.6900
RFQ
ECAD 4395 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFP420 160MW PG-SOT343-3D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 21dB 5V 35mA NPN 60 @ 20mA,4V 25GHz 1.1db @ 1.8GHz
BC 856A E6327 Infineon Technologies BC 856A E6327 -
RFQ
ECAD 7780 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC 856 330兆 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 250MHz
BSC048N025S G Infineon Technologies BSC048N025S g -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) PG-TDSON-8-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 25 v (19a(ta),89a(tc) 4.5V,10V 4.8mohm @ 50a,10v 2V @ 35µA 21 NC @ 5 V ±20V 2670 pf @ 15 V - 2.8W(TA),63W(tc)
BCP49H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP49H6327XTSA1 0.2627
RFQ
ECAD 1920年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP49 1.5 w PG-SOT223-4-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1V @ 100µA,100mA 10000 @ 100mA,5V 200MHz
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 1.3100
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,Optimos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET (金属 o化物) 43W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双) 100V 20a 35mohm @ 17a,10v 2.1V @ 16µA 17.4NC @ 10V 1105pf @ 25V 逻辑级别门
BCR 146L3 E6327 Infineon Technologies BCR 146L3 E6327 -
RFQ
ECAD 4611 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-101,SOT-883 BCR 146 250兆 PG-TSLP-3-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 15,000 50 V 70 MA 100NA(ICBO) npn-预先偏见 300mv @ 500µA,10mA 50 @ 5mA,5V 150 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
IRF1407STRR Infineon Technologies IRF1407STRR -
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 75 v 100A(TC) 10V 7.8mohm @ 78a,10v 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 5600 pf @ 25 V - 3.8W(TA),200W((tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库