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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRFR3910TRPBF	1.3400	RFQ	12	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3910		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRF9910TRPBF-1	-	RFQ	8641	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF99		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						20V	10a（10a），12a（ta）		13.4mohm @ 10a，10v，9.3mohm @ 12a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V，23nc @ 4.5V		900pf @ 10V，1860pf @ 10V	-
IPA50R280CE	-	RFQ	7331	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	13A（TC）	13V	280MOHM @ 4.2A，13V	3.5V @ 350µA	32.6 NC @ 10 V	±20V	773 PF @ 100 V	-	30.4W（TC）
IPB80P04P407ATMA2	2.8000	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					40 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 150µA	89 NC @ 10 V	±20V	6085 pf @ 25 V	-	88W（TC）
BCR08PNB6327XT	-	RFQ	4117	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR08			250MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	30,000																		50V	100mA		-	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
irlr3410pbf	-	RFQ	3715	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRF9Z24NSPBF	-	RFQ	9967	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551706	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IQE006NE2LM5ATMA1	2.5500	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE006		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	41A（TA），298a （TC）	4.5V，10V	650MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	82.1 NC @ 10 V	±16V	5453 pf @ 12 V	-	2.1W（TA），89W（tc）
FF4MR12KM1HHPSA1	499.8000	RFQ	3226	Infineon技术	-	托盘	积极的					FF4MR12		-			-	rohs3符合条件		到达不受影响				10															-
IRF7306QTRPBF	-	RFQ	9083	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						30V	3.6a		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	-
SPA08N50C3	0.8100	RFQ	720	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					560 v	7.6A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	32W（TC）
SPD07N60S5T	-	RFQ	4309	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD07N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IPD90N04S4L04ATMA1	1.6000	RFQ	4510	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 90A，10V	2.2V @ 35µA	60 NC @ 10 V	+20V，-16V	4690 pf @ 25 V	-	71W（TC）
IPS050N03LGAKMA1	-	RFQ	2772	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 15 V	-	68W（TC）
IPU60R2K1CEAKMA1	0.6300	RFQ	5249	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R2		MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					600 v	3.7A（TC）	10V	2.1OHM @ 760mA，10V	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	38W（TC）
62-0258pbf	-	RFQ	2048	Infineon技术	*	管子	积极的					62-0258					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562410	Ear99	8541.29.0095	95
BFR181E6327	0.0800	RFQ	48	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				175MW	PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						18.5db												12V	20mA			NPN		70 @ 5mA，8v	8GHz			0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
IPG20N10S4L22ATMA1	1.6800	RFQ	236	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	60W	PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						100V	20a		22mohm @ 17a，10v	2.1V @ 25µA	27nc @ 10V		1755pf @ 25V	逻辑级别门
BSZ023N04LSATMA1	-	RFQ	9200	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	22a（22a），40a （TC）	4.5V，10V	2.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 20 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IRF7460	-	RFQ	3636	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7460	Ear99	8541.29.0095	95		n通道					20 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7329Tr	-	RFQ	6854	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						12V	9.2a		17mohm @ 9.2a，4.5V	900mv @ 250µA	57NC @ 4.5V		3450pf @ 10V	逻辑级别门
IRFI1310N	-	RFQ	7393	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI1310N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	24A（TC）	10V	36mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	56W（TC）
PTFA212001EV4R0XTMA1	-	RFQ	2268	Infineon技术	-	条	过时的	65 v			2-flatpack，鳍铅，法兰		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001422974	Ear99	8541.29.0095	50			10µA	1.6 a	200W	15.8db											-			30 V
ISZ75DP15LMATMA1	0.9000	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000
IRF1405LPBF	-	RFQ	8407	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BC858CWH6327XTSA1	0.0558	RFQ	2242	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858			250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IPB04N03LAT	1.2000	RFQ	512	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB04N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					25 v	80A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 55a，10v	2V @ 60µA	32 NC @ 5 V	±20V	3877 PF @ 15 V	-	107W（TC）
IRF8327STRPBF	-	RFQ	6083	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺	IRF8327		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SQ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001554476	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道					30 V	14a（TA），60A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
BCR 192 B6327	-	RFQ	5333	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 192			200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																		50 V	100 ma		100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
BCR 135T E6327	-	RFQ	9142	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 135			250兆	PG-SC-75	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²