SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 输入 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) NTC热敏电阻 输入电容 (Cies) @ Vce 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
SPP16N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPP16N50C3XKSA1 -
询价
ECAD 4345 0.00000000 英飞凌科技 CoolMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 SPP16N MOSFET(金属O化物) PG-TO220-3-111 下载 1(无限制) REACH 不出行 SP000681056 EAR99 8541.29.0095 500 N沟道 560伏 16A(温度) 10V 280毫欧@10A,10V 3.9V@675μA 66nC@10V ±20V 1600pF@25V - 160W(温度)
BCX5216H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5216H6327XTSA1 0.1920
询价
ECAD 5339 0.00000000 英飞凌科技 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 最后一次购买 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA BCX5216 2W PG-SOT89 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 100@150mA,2V 125兆赫
IPP065N03LG Infineon Technologies IPP065N03LG 0.3500
询价
ECAD 2 0.00000000 英飞凌科技 CoolMOS™ 大部分 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) PG-TO220-3-1 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 50A(温度) 4.5V、10V 6.5毫欧@30A,10V 2.2V@250μA 23nC@10V ±20V 2400pF@15V - 56W(温度)
IRF3709PBF Infineon Technologies IRF3709PBF -
询价
ECAD 8735 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 30V 90A(温度) 4.5V、10V 9毫欧@15A,10V 3V@250μA 41nC@5V ±20V 16V时为2672pF - 3.1W(Ta)、120W(Tc)
IPP60R070CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R070CFD7XKSA1 7.0800
询价
ECAD 5914 0.00000000 英飞凌科技 CoolMOS™ CFD7 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 IPP60R070 MOSFET(金属O化物) PG-TO220-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 31A(温度) 10V 70毫欧@15.1A,10V 4.5V@760μA 67nC@10V ±20V 2721 pF @ 400 V - 156W(温度)
IRF7329TR Infineon Technologies IRF7329TR -
询价
ECAD 6854 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IRF732 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SO 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 2 个 P 沟道(双) 12V 9.2A 17毫欧@9.2A,4.5V 900mV@250μA 57nC@4.5V 3450pF@10V 逻辑电平门
IPC313N10N3RX1SA2 Infineon Technologies IPC313N10N3RX1SA2 3.3000
询价
ECAD 7 0.00000000 英飞凌科技 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-IPC313N10N3RX1SA2-448 EAR99 0000.00.0000 1
FS25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies FS25R12KT3BOSA1 -
询价
ECAD 5643 0.00000000 英飞凌科技 经济包装™2 托盘 SIC停产 -40℃~125℃ 安装结构 模块 FS25R12 145W 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 全桥 沟渠场站 1200伏 40A 2.15V@15V,25A 5毫安 是的 1.8nF@25V
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies IRLHS6276TR2PBF -
询价
ECAD 8157 0.00000000 英飞凌科技 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 6电源VDFN IRLHS6276 MOSFET(金属O化物) 1.5W 6-PQFN 双 (2x2) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 400 2 个 N 沟道(双) 20V 4.5A 45毫欧@3.4A,4.5V 1.1V@10μA 3.1nC@4.5V 310pF@10V 逻辑电平门
IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461ATMA1 1.0400
询价
ECAD 9 0.00000000 英飞凌科技 汽车、AEC-Q101、OptiMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN IPG16N10 MOSFET(金属O化物) 29W PG-TDSON-8-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 2 个 N 沟道(双) 100V 16A 61毫欧@16A,10V 3.5V@9μA 7nC@10V 490pF@25V -
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF23MR12W1M1B11BOMA1 98.1400
询价
ECAD 315 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 托盘 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 FF23MR12 碳化硅(SiC) 20毫W 模块 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 SP001602224 EAR99 8541.21.0095 24 2 个 N 沟道(双) 1200V(1.2kV) 50A 23毫欧@50A,15V 5.55V@20mA 125nC@15V 3950pF@800V -
98-0193 Infineon Technologies 98-0193 -
询价
ECAD 第1157章 0.00000000 英飞凌科技 * 管子 的积极 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 SP001514712 EAR99 8541.29.0095 50
SMBT3906SE6327 Infineon Technologies SMBT3906SE6327 0.0300
询价
ECAD 51 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 SMBT3906 330W SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200毫安 50nA(ICBO) 2 PNP 达林顿(双) 400mV@5mA、50mA 100@10mA,1V 250兆赫
IRF8513PBF Infineon Technologies IRF8513PBF -
询价
ECAD 7116 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IRF8513 MOSFET(金属O化物) 1.5W、2.4W 8-SO 下载 1(无限制) REACH 不出行 SP001555762 EAR99 8541.29.0095 95 2 个 N 沟道(双) 30V 8A、11A 15.5毫欧@8A,10V 2.35V@25μA 8.6nC@4.5V 766pF@15V 逻辑电平门
IRF7707TRPBF Infineon Technologies IRF7707TRPBF -
询价
ECAD 2156 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-TSSOP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 P沟道 20V 7A(塔) 2.5V、4.5V 22毫欧@7A,4.5V 1.2V@250μA 47nC@4.5V ±12V 15V时为2361pF - 1.5W(塔)
BCR191WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR191WE6327HTSA1 -
询价
ECAD 8279 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-70、SOT-323 BCR191 250毫W PG-SOT323 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 300mV@500μA,10mA 50@5mA,5V 200兆赫 22欧姆 22欧姆
SPI80N03S2L-03 Infineon Technologies SPI80N03S2L-03 -
询价
ECAD 5570 0.00000000 英飞凌科技 OptiMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA SPI80N MOSFET(金属O化物) PG-TO262-3-1 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 500 N沟道 30V 80A(温度) 4.5V、10V 3.1毫欧@80A,10V 2V@250μA 220nC@10V ±20V 8180pF@25V - 300W(温度)
BC848CWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC848CWE6327BTSA1 -
询价
ECAD 3187 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC848 250毫W PG-SOT323 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V 250兆赫
F4250R17MP4B11BPSA2 Infineon Technologies F4250R17MP4B11BPSA2 378.2620
询价
ECAD 6695 0.00000000 英飞凌科技 EconoDUAL™ 3 托盘 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 F4250R 标准 AG-ECONOD-6 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 全桥景观器 沟渠场站 1700伏 370A 2.3V@15V,250A 3毫安 21nF@25V
IRF7904TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7904TRPBF-1 -
询价
ECAD 3098 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IRF7904 MOSFET(金属O化物) 1.4W、2W 8-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 SP001555688 EAR99 8541.29.0095 4,000 2个N沟道(半桥) 30V 7.6A、11A 16.2毫欧@7.6A,10V 2.25V@25μA 11nC@4.5V 910pF@15V 逻辑电平门
IPA70R450P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R450P7SXKSA1 1.4600
询价
ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 CoolMOS™ P7 管子 不适合新设计 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3全包 IPA70R450 MOSFET(金属O化物) PG-TO220-FP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 700伏 10A(温度) 10V 450毫欧@2.3A,10V 3.5V@120μA 13.1nC@400V ±16V 424 pF @ 400 V - 22.7W(温度)
IRLB3034PBF Infineon Technologies IRLB3034PBF 3.8000
询价
ECAD 第840章 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 管子 不适合新设计 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 IRLB3034 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 195A(高温) 4.5V、10V 1.7毫欧@195A,10V 2.5V@250μA 162nC@4.5V ±20V 10315pF@25V - 375W(温度)
BCR 35PN H6327 Infineon Technologies BCR 35PN H6327 0.0700
询价
ECAD 6 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 表面贴装 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 BCR 35 250毫W PG-SOT363-6 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 4,116 50V 100毫安 - 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 300mV@500μA,10mA 70@5mA,5V 150兆赫 10k欧姆 47k欧姆
IRF7306TR Infineon Technologies IRF7306TR -
询价
ECAD 2490 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IRF73 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SO 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 SP001551228 EAR99 8541.29.0095 4,000 2 个 P 沟道(双) 30V 3.6A 100毫欧@1.8A,10V 1V@250μA 25nC@10V 440pF@25V 逻辑电平门
IPI037N08N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI037N08N3GHKSA1 -
询价
ECAD 1247 0.00000000 英飞凌科技 OptiMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA IPI037N MOSFET(金属O化物) PG-TO262-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 500 N沟道 80V 100A(温度) 6V、10V 3.75毫欧@100A,10V 3.5V@155μA 117nC@10V ±20V 8110pF@40V - 214W(温度)
IRLR014NTRL Infineon Technologies IRLR014NTRL -
询价
ECAD 1507 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) D-帕克 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 55V 10A(温度) 4.5V、10V 140mOhm@6A,10V 1V@250μA 7.9nC@5V ±16V 265pF@25V - 28W(温度)
IHW30N60T Infineon Technologies IHW30N60T -
询价
ECAD 9979 0.00000000 英飞凌科技 TRENCHSTOP™ 大部分 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 标准 187 W PG-TO247-3-21 下载 EAR99 8542.39.0001 1 400V,30A,10.6欧姆,15V 沟渠场站 600伏 60A 90A 2V@15V,30A 770μJ(关闭) 167 纳克 23纳秒/254纳秒
BCP5310H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5310H6327XTSA1 0.2968
询价
ECAD 4966 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA BCP53 2W PG-SOT223-4-10 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 63@150mA,2V 125兆赫
IRF7811ATR Infineon Technologies IRF7811ATR -
询价
ECAD 5644 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SO 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 28V 11A(塔) 4.5V 10毫欧@11A,10V 3V@250μA 26nC@4.5V ±12V 1760pF@15V - 2.5W(塔)
IRFR3704TRRPBF Infineon Technologies IRFR3704TRRPBF -
询价
ECAD 4721 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) D-帕克 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 75A(温度) 10V 9.5毫欧@15A,10V 3V@250μA 19nC@4.5V ±20V 1996pF@10V - 90W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库