晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPB50CN10NGATMA1	-	询价	1538	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	20A（温度）	10V	50毫欧@20A，10V	4V@20μA	16nC@10V	±20V	1090pF@50V	-	44W（温度）
AUIRFP1405	-	询价	2905	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3				MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001515966	EAR99	8541.29.0095	400		N沟道						55V	95A（温度）	10V	5.3毫欧@95A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	5600pF@25V	-	310W（温度）
BSC009N04LSSCATMA1	3.1100	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerWDFN	BSC009			MOSFET（金属O化物）			PG-WSON-8-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						40V	301A（TC）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2V@250μA	133nC@10V	±20V	9520pF@20V	-	167W（温度）
IRL3714SPBF	-	询价	9418	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRL3714SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
IRG8P25N120KD-EPBF	-	询价	4760	英飞凌科技	-	管子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRG8P	标准			180W		TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001544900	EAR99	8541.29.0095	25				600V，15A，10欧姆，15V															70纳秒	-	1200伏	40A	45A	2V@15V，15A	800μJ（开），900μJ（关）	135nC	20纳秒/170纳秒
BCR08PNE6327BTSA1	-	询价	8828	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR08				250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安							-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
BSO612CVGXUMA1	0.4700	询价	5973	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	最后一次购买												下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行				2,500人
IRL3714STRL	-	询价	6574	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
SPD50N03S2L06GBTMA1	-	询价	6631	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器50N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						30V	50A（温度）	4.5V、10V	6.4毫欧@50A，10V	2V@85μA	68nC@10V	±20V	25V时为2530pF	-	136W（温度）
F3L150R07W2H3B11BPSA1	98.8900	询价	10	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	F3L150				20毫W	标准	AG-EASY2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	三层平面遮阳板																			沟渠场站	650伏	85A		2V@15V，150A					9微安	是的	9.4nF@650V
IRF7524D1PBF	-	询价	3378	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			微8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		P沟道						20V	1.7A（塔）	2.7V、4.5V	270毫欧@1.2A，4.5V	700mV @ 250μA（极低）	8.2nC@4.5V	±12V	240pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.25W（塔）
BG5120KH6327XTSA1	-	询价	7662	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363			800兆赫	场效应晶体管			PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20毫安		10毫安	-	23分贝											1.1分贝										5V
IKD03N60RF	-	询价	6575	英飞凌科技	TrenchStop®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IKD03N	标准			53.6W		PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人				400V，2.5A，68欧姆，15V															31纳秒	沟	600伏	5A	7.5安	2.5V@15V，2.5A	90μJ	17.1nC	10纳秒/128纳秒
IMYH200R012M1HXKSA1	169.1800	询价	185	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	IMYH200			SiC（碳化硅结晶体管）			PG-TO247-4-U04	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道						2000伏	123A（温度）	15V、18V	16.5毫欧@60A，18V	5.5V@48mA	246nC@18V	+20V，-7V		-	552W（温度）
IHW30N120R3FKSA1	-	询价	3253	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IHW30	标准			349 W		PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240				600V，30A，10欧姆，15V																-	1200伏	60A	90A	1.75V@15V，30A	1.47mJ（关闭）	263 nC	-/326纳秒
IRFH5250TRPBF	1.8000	询价	7	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	IRFH5250			MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						25V	45A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1.15毫欧@50A，10V	2.35V@150μA	110nC@10V	±20V	13V时为7174pF	-	3.6W（Ta）、160W（Tc）
BSF024N03LT3G	0.5100	询价	19号	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX				MOSFET（金属O化物）			MG-WDSON-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	15A（不锈钢）、106A（高温）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	71nC@10V	±20V	5500pF@15V	-	2.2W（Ta）、42W（Tc）
IPD26N06S2L35ATMA1	-	询价	8863	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD26N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						55V	30A（温度）	4.5V、10V	35毫欧@13A，10V	2V@26μA	24nC@10V	±20V	621pF@25V	-	68W（温度）
IKU10N60RBKMA1	-	询价	1055	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	库10N	标准			150W		PG-TO251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人				400V，10A，23欧姆，15V															62纳秒	沟	600伏	20A	30A	2.1V@15V，10A	590μJ	64nC	14纳秒/192纳秒
IKQ75N120CT2XKSA1	17.5000	询价	7387	英飞凌科技	TrenchStop™	管子	不适合新设计		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKQ75N120	标准			938 W		PG-TO247-3-46	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				600V，75A，6欧姆，15V																沟渠场站	1200伏	150A	300A	2.15V@15V，75A	6.7mJ（开），4.1mJ（关）	370℃	37纳秒/328纳秒
IRF7821TRPBFXTMA1	1.1400	询价	4314	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 155°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8-902	-	符合ROHS3标准						4,000		N沟道						30V	13.6A（塔）	4.5V、10V	9.1毫欧@13A，10V	1V@250μA	14nC@4.5V	±20V	1010pF@15V	-	2.5W（塔）
IPD060N03LGBTMA1	0.3409	询价	3530	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD060			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000236948	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						30V	50A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	30nC@10V	±20V	2300pF@15V	-	56W（温度）
IRF7459TR	-	询价	6674	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						20V	12A（塔）	2.8V、10V	9毫欧@12A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2480pF	-	2.5W（塔）
IPD079N06L3GATMA1	1.1000	询价	3	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD079N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-311	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						60V	50A（温度）	4.5V、10V	7.9毫欧@50A，10V	2.2V@34μA	29nC@4.5V	±20V	4900pF@30V	-	79W（温度）
IPD65R225C7ATMA1	2.9200	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™ C7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD65R225			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						650伏	11A（温度）	10V	225毫欧@4.8A，10V	4V@240μA	20nC@10V	±20V	996 pF @ 400 V	-	63W（温度）
BCX51E6327HTSA1	-	询价	9233	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX51				2W		PG-SOT89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					45V	1A							100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	125兆赫
IPP100N06S3L-03	-	询价	7966	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP100N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						55V	100A（温度）	5V、10V	3mOhm@80A，10V	2.2V@230μA	550nC@10V	±16V	26240pF@25V	-	300W（温度）
FF1500R12IE5BPSA1	1.0000	询价	3379	英飞凌科技	PrimePACK™3+ B	托盘	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FF1500R				20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001630414	EAR99	8541.29.0095	2	2 独立																			沟渠场站	1200伏	1500A		2.15V@15V，1500A					5毫安	是的	82nF@25V
IPP041N04NGXKSA1	1.5000	询价	第279章	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP041			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						40V	80A（温度）	10V	4.1毫欧@80A，10V	4V@45μA	56nC@10V	±20V	4500pF@20V	-	94W（温度）
BC846PNE6327BTSA1	-	询价	2853	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BC846				250毫W		PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					65V	100毫安							15nA（ICBO）			NPN、PNP	650mV@5mA、100mA	200@2mA，5V	250兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²