RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPI60R125CP	-	RFQ	8389	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载						0000.00.0000	1	n通道		600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
BC846PNE6327BTSA1	-	RFQ	2853	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846		250MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65V	100mA	15NA（icbo）	NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
94-2113	-	RFQ	6420	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL2203	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
IRF3710STRR	-	RFQ	4742	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BC846SE6433BTMA1	-	RFQ	8415	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846S		250MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													65V	100mA	15NA（icbo）	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BCP5310H6327XTSA1	0.2968	RFQ	4966	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53		2 w	PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	125MHz
BC 817-40 E6327	-	RFQ	4103	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 817		330兆	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
BCR133E6393HTSA1	-	RFQ	4115	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR133		200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010758	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
MMBT2222ALT1HTSA1	0.3800	RFQ	66	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
BFG 235 E6327	-	RFQ	1508	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BFG 235		2W	PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000		12.5db											15V	300mA		NPN		75 @ 200ma，8v	5.5GHz			1.7dB @ 900MHz
spp15p10phxksa1	-	RFQ	4223	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp15p	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道		100 v	15A（TC）	10V	240mohm @ 10.6a，10V	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	128W（TC）
BCR 133L3 E6327	-	RFQ	9894	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 133		250兆	PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
IRL3705Z	-	RFQ	5661	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3705Z	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
BFP640E6327BTSA1	0.6800	RFQ	155	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP640		200MW	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		24dB											4.5V	50mA		NPN		110 @ 30mA，3v	40GHz			0.65db〜1.2db @ 1.8GHz〜6GHz
BCR158WH6327XTSA1	-	RFQ	3997	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR158		250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BCX53E6327HTSA1	-	RFQ	2972	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53		2 w	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
BCV29E6327HTSA1	-	RFQ	2344	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCV29		1 w	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	150MHz
BCX52E6327HTSA1	-	RFQ	2111	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX52		2 w	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													60 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
BCR119WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	8919	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR119		250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯
BFP420E6433HTMA1	-	RFQ	8833	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP420		160MW	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		21dB											5V	35mA		NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz
BCW68E6359HTMA1	-	RFQ	3775	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000015038		0000.00.0000	3,000
BCR162E6327HTSA1	-	RFQ	6456	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR162		200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IRLML2803Tr	-	RFQ	8686	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30 V	1.2A（TA）		250MOHM @ 910mA，10V	1V @ 250µA	5 NC @ 10 V		85 pf @ 25 V	-
ICA30V01X1SA1	-	RFQ	4275	Infineon技术	*	大部分	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000906842	过时的	0000.00.0000	1
BC 808-25 E6433	-	RFQ	7195	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 808		330兆	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													25 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
BCX6910E6327HTSA1	-	RFQ	2366	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX69		3 W	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													20 v	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	100MHz
IMIC41V07X6SA1	-	RFQ	6905	Infineon技术	*	大部分	积极的				IMIC41				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001583524		0000.00.0000	1
BCR 185L3 E6327	-	RFQ	4382	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 185		250兆	PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
MMBTA56LT1HTSA1	0.0655	RFQ	5228	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA56		330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													80 V	500 MA	100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
IRF3709ZPBF	-	RFQ	3879	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		30 V	87A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²