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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 测试条件 | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 集电极脉冲电流(Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电压 - 测试 | 电流 - 电极电极电流(最大) | NTC热敏电阻 | 输入电容 (Cies) @ Vce | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB50CN10NGATMA1 | - | ![]() | 1538 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | PG-TO263-3-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 100伏 | 20A(温度) | 10V | 50毫欧@20A,10V | 4V@20μA | 16nC@10V | ±20V | 1090pF@50V | - | 44W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP1405 | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001515966 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N沟道 | 55V | 95A(温度) | 10V | 5.3毫欧@95A,10V | 4V@250μA | 180nC@10V | ±20V | 5600pF@25V | - | 310W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC009N04LSSCATMA1 | 3.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | BSC009 | MOSFET(金属O化物) | PG-WSON-8-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N沟道 | 40V | 301A(TC) | 4.5V、10V | 1.24毫欧@50A,10V | 2V@250μA | 133nC@10V | ±20V | 9520pF@20V | - | 167W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714SPBF | - | ![]() | 9418 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *IRL3714SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 20V | 36A(温度) | 4.5V、10V | 20毫欧@18A,10V | 3V@250μA | 9.7nC@4.5V | ±20V | 670pF@10V | - | 47W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG8P25N120KD-EPBF | - | ![]() | 4760 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | IRG8P | 标准 | 180W | TO-247AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001544900 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V,15A,10欧姆,15V | 70纳秒 | - | 1200伏 | 40A | 45A | 2V@15V,15A | 800μJ(开),900μJ(关) | 135nC | 20纳秒/170纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR08PNE6327BTSA1 | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | BCR08 | 250毫W | PG-SOT363-PO | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | - | 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) | 300mV@500μA,10mA | 70@5mA,5V | 170兆赫 | 2.2k欧姆 | 47k欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO612CVGXUMA1 | 0.4700 | ![]() | 5973 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | * | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 2,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714STRL | - | ![]() | 6574 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | D2PAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 20V | 36A(温度) | 4.5V、10V | 20毫欧@18A,10V | 3V@250μA | 9.7nC@4.5V | ±20V | 670pF@10V | - | 47W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD50N03S2L06GBTMA1 | - | ![]() | 6631 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 防雷器50N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO252-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 50A(温度) | 4.5V、10V | 6.4毫欧@50A,10V | 2V@85μA | 68nC@10V | ±20V | 25V时为2530pF | - | 136W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L150R07W2H3B11BPSA1 | 98.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EasyPACK™ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | F3L150 | 20毫W | 标准 | AG-EASY2B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 三层平面遮阳板 | 沟渠场站 | 650伏 | 85A | 2V@15V,150A | 9微安 | 是的 | 9.4nF@650V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7524D1PBF | - | ![]() | 3378 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | FETKY™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 微8™ | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | P沟道 | 20V | 1.7A(塔) | 2.7V、4.5V | 270毫欧@1.2A,4.5V | 700mV @ 250μA(极低) | 8.2nC@4.5V | ±12V | 240pF@15V | 肖特基分散(隔离) | 1.25W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BG5120KH6327XTSA1 | - | ![]() | 7662 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 8V | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | 800兆赫 | 场效应晶体管 | PG-SOT363-PO | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 个 N 沟道(双) | 20毫安 | 10毫安 | - | 23分贝 | 1.1分贝 | 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD03N60RF | - | ![]() | 6575 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | TrenchStop® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IKD03N | 标准 | 53.6W | PG-TO252-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | 400V,2.5A,68欧姆,15V | 31纳秒 | 沟 | 600伏 | 5A | 7.5安 | 2.5V@15V,2.5A | 90μJ | 17.1nC | 10纳秒/128纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMYH200R012M1HXKSA1 | 169.1800 | ![]() | 185 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 酷碳化硅™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | IMYH200 | SiC(碳化硅结晶体管) | PG-TO247-4-U04 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N沟道 | 2000伏 | 123A(温度) | 15V、18V | 16.5毫欧@60A,18V | 5.5V@48mA | 246nC@18V | +20V,-7V | - | 552W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IHW30N120R3FKSA1 | - | ![]() | 3253 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | TrenchStop® | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | IHW30 | 标准 | 349 W | PG-TO247-3-1 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 600V,30A,10欧姆,15V | - | 1200伏 | 60A | 90A | 1.75V@15V,30A | 1.47mJ(关闭) | 263 nC | -/326纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH5250TRPBF | 1.8000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | IRFH5250 | MOSFET(金属O化物) | 8-PQFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N沟道 | 25V | 45A(Ta)、100A(Tc) | 4.5V、10V | 1.15毫欧@50A,10V | 2.35V@150μA | 110nC@10V | ±20V | 13V时为7174pF | - | 3.6W(Ta)、160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSF024N03LT3G | 0.5100 | ![]() | 19号 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™3 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | DirectFET™ 等距 MX | MOSFET(金属O化物) | MG-WDSON-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N沟道 | 30V | 15A(不锈钢)、106A(高温) | 4.5V、10V | 2.4毫欧@20A,10V | 2.2V@250μA | 71nC@10V | ±20V | 5500pF@15V | - | 2.2W(Ta)、42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD26N06S2L35ATMA1 | - | ![]() | 8863 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IPD26N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO252-3-11 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 55V | 30A(温度) | 4.5V、10V | 35毫欧@13A,10V | 2V@26μA | 24nC@10V | ±20V | 621pF@25V | - | 68W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKU10N60RBKMA1 | - | ![]() | 1055 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | TrenchStop® | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | 库10N | 标准 | 150W | PG-TO251-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500人 | 400V,10A,23欧姆,15V | 62纳秒 | 沟 | 600伏 | 20A | 30A | 2.1V@15V,10A | 590μJ | 64nC | 14纳秒/192纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKQ75N120CT2XKSA1 | 17.5000 | ![]() | 7387 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | TrenchStop™ | 管子 | 不适合新设计 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | IKQ75N120 | 标准 | 938 W | PG-TO247-3-46 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,75A,6欧姆,15V | 沟渠场站 | 1200伏 | 150A | 300A | 2.15V@15V,75A | 6.7mJ(开),4.1mJ(关) | 370℃ | 37纳秒/328纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7821TRPBFXTMA1 | 1.1400 | ![]() | 4314 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 155°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | PG-DSO-8-902 | - | 符合ROHS3标准 | 4,000 | N沟道 | 30V | 13.6A(塔) | 4.5V、10V | 9.1毫欧@13A,10V | 1V@250μA | 14nC@4.5V | ±20V | 1010pF@15V | - | 2.5W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD060N03LGBTMA1 | 0.3409 | ![]() | 3530 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IPD060 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO252-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP000236948 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 50A(温度) | 4.5V、10V | 6毫欧@30A,10V | 2.2V@250μA | 30nC@10V | ±20V | 2300pF@15V | - | 56W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7459TR | - | ![]() | 6674 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | HEXFET® | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SO | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N沟道 | 20V | 12A(塔) | 2.8V、10V | 9毫欧@12A,10V | 2V@250μA | 35nC@4.5V | ±12V | 10V时为2480pF | - | 2.5W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD079N06L3GATMA1 | 1.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IPD079N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO252-3-311 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 60V | 50A(温度) | 4.5V、10V | 7.9毫欧@50A,10V | 2.2V@34μA | 29nC@4.5V | ±20V | 4900pF@30V | - | 79W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R225C7ATMA1 | 2.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | CoolMOS™ C7 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IPD65R225 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO252-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 650伏 | 11A(温度) | 10V | 225毫欧@4.8A,10V | 4V@240μA | 20nC@10V | ±20V | 996 pF @ 400 V | - | 63W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX51E6327HTSA1 | - | ![]() | 9233 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | BCX51 | 2W | PG-SOT89 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 40@150mA,2V | 125兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP100N06S3L-03 | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | IPP100N | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-3-1 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N沟道 | 55V | 100A(温度) | 5V、10V | 3mOhm@80A,10V | 2.2V@230μA | 550nC@10V | ±16V | 26240pF@25V | - | 300W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1500R12IE5BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 3379 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | PrimePACK™3+ B | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | FF1500R | 20毫W | 标准 | 模块 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SP001630414 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 独立 | 沟渠场站 | 1200伏 | 1500A | 2.15V@15V,1500A | 5毫安 | 是的 | 82nF@25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP041N04NGXKSA1 | 1.5000 | ![]() | 第279章 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | OptiMOS™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | IPP041 | MOSFET(金属O化物) | PG-TO220-3-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 40V | 80A(温度) | 10V | 4.1毫欧@80A,10V | 4V@45μA | 56nC@10V | ±20V | 4500pF@20V | - | 94W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846PNE6327BTSA1 | - | ![]() | 2853 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VSSOP、SC-88、SOT-363 | BC846 | 250毫W | PG-SOT363-PO | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN、PNP | 650mV@5mA、100mA | 200@2mA,5V | 250兆赫 |

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