晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SPP16N50C3XKSA1	-	询价	4345	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	SPP16N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000681056	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		560伏	16A（温度）	10V	280毫欧@10A，10V	3.9V@675μA	66nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	160W（温度）
BCX5216H6327XTSA1	0.1920	询价	5339	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX5216			2W		PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															60V	1A						100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	125兆赫
IPP065N03LG	0.3500	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	50A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	23nC@10V	±20V	2400pF@15V	-	56W（温度）
IRF3709PBF	-	询价	8735	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		30V	90A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@15A，10V	3V@250μA	41nC@5V	±20V	16V时为2672pF	-	3.1W（Ta）、120W（Tc）
IPP60R070CFD7XKSA1	7.0800	询价	5914	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP60R070		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	31A（温度）	10V	70毫欧@15.1A，10V	4.5V@760μA	67nC@10V	±20V	2721 pF @ 400 V	-	156W（温度）
IRF7329TR	-	询价	6854	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF732		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			12V	9.2A		17毫欧@9.2A，4.5V	900mV@250μA	57nC@4.5V		3450pF@10V	逻辑电平门
IPC313N10N3RX1SA2	3.3000	询价	7	英飞凌科技	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-IPC313N10N3RX1SA2-448	EAR99	0000.00.0000	1
FS25R12KT3BOSA1	-	询价	5643	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	SIC停产	-40℃～125℃	安装结构	模块	FS25R12			145W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥													沟渠场站	1200伏	40A		2.15V@15V，25A				5毫安	是的	1.8nF@25V
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IPG16N10S461ATMA1	1.0400	询价	9	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	IPG16N10		MOSFET（金属O化物）	29W		PG-TDSON-8-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）			100V	16A		61毫欧@16A，10V	3.5V@9μA	7nC@10V		490pF@25V	-
FF23MR12W1M1B11BOMA1	98.1400	询价	315	英飞凌科技	CoolSiC™+	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF23MR12		碳化硅（SiC）	20毫W		模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	SP001602224	EAR99	8541.21.0095	24	2 个 N 沟道（双）			1200V（1.2kV）	50A		23毫欧@50A，15V	5.55V@20mA	125nC@15V		3950pF@800V	-
98-0193	-	询价	第1157章	英飞凌科技	*	管子	的积极										下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001514712	EAR99	8541.29.0095	50
SMBT3906SE6327	0.0300	询价	51	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	SMBT3906			330W		SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000															40V	200毫安						50nA（ICBO）			2 PNP 达林顿（双）	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
IRF8513PBF	-	询价	7116	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF8513		MOSFET（金属O化物）	1.5W、2.4W		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001555762	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 N 沟道（双）			30V	8A、11A		15.5毫欧@8A，10V	2.35V@25μA	8.6nC@4.5V		766pF@15V	逻辑电平门
IRF7707TRPBF	-	询价	2156	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道		20V	7A（塔）	2.5V、4.5V	22毫欧@7A，4.5V	1.2V@250μA	47nC@4.5V	±12V	15V时为2361pF	-	1.5W（塔）
BCR191WE6327HTSA1	-	询价	8279	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR191			250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安						100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
SPI80N03S2L-03	-	询价	5570	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		30V	80A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@80A，10V	2V@250μA	220nC@10V	±20V	8180pF@25V	-	300W（温度）
BC848CWE6327BTSA1	-	询价	3187	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC848			250毫W		PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000															30V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	250兆赫
F4250R17MP4B11BPSA2	378.2620	询价	6695	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	F4250R				标准	AG-ECONOD-6	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥景观器													沟渠场站	1700伏	370A		2.3V@15V，250A				3毫安	不	21nF@25V
IRF7904TRPBF-1	-	询价	3098	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7904		MOSFET（金属O化物）	1.4W、2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001555688	EAR99	8541.29.0095	4,000	2个N沟道（半桥）			30V	7.6A、11A		16.2毫欧@7.6A，10V	2.25V@25μA	11nC@4.5V		910pF@15V	逻辑电平门
IPA70R450P7SXKSA1	1.4600	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA70R450		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		700伏	10A（温度）	10V	450毫欧@2.3A，10V	3.5V@120μA	13.1nC@400V	±16V	424 pF @ 400 V	-	22.7W（温度）
IRLB3034PBF	3.8000	询价	第840章	英飞凌科技	HEXFET®	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRLB3034		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		40V	195A（高温）	4.5V、10V	1.7毫欧@195A，10V	2.5V@250μA	162nC@4.5V	±20V	10315pF@25V	-	375W（温度）
BCR 35PN H6327	0.0700	询价	6	英飞凌科技	-	大部分	的积极		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR 35			250毫W		PG-SOT363-6	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	4,116															50V	100毫安						-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	150兆赫	10k欧姆	47k欧姆
IRF7306TR	-	询价	2490	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF73		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001551228	EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			30V	3.6A		100毫欧@1.8A，10V	1V@250μA	25nC@10V		440pF@25V	逻辑电平门
IPI037N08N3GHKSA1	-	询价	1247	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI037N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		80V	100A（温度）	6V、10V	3.75毫欧@100A，10V	3.5V@155μA	117nC@10V	±20V	8110pF@40V	-	214W（温度）
IRLR014NTRL	-	询价	1507	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		55V	10A（温度）	4.5V、10V	140mOhm@6A，10V	1V@250μA	7.9nC@5V	±16V	265pF@25V	-	28W（温度）
IHW30N60T	-	询价	9979	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		187 W		PG-TO247-3-21	下载					EAR99	8542.39.0001	1			400V，30A，10.6欧姆，15V											沟渠场站	600伏	60A	90A	2V@15V，30A	770μJ（关闭）	167 纳克	23纳秒/254纳秒
BCP5310H6327XTSA1	0.2968	询价	4966	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP53			2W		PG-SOT223-4-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000															80V	1A						100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	125兆赫
IRF7811ATR	-	询价	5644	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		28V	11A（塔）	4.5V	10毫欧@11A，10V	3V@250μA	26nC@4.5V	±12V	1760pF@15V	-	2.5W（塔）
IRFR3704TRRPBF	-	询价	4721	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	75A（温度）	10V	9.5毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1996pF@10V	-	90W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²