RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
irll2703pbf	-	RFQ	4768	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,760		n通道		30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRF3007pbf	-	RFQ	4472	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF3007		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		75 v	75A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BCR135SH6327XTSA1	0.4600	RFQ	6540	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR135S			250MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50V	100mA					-	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	47kohms
AUIRFS4310Z	-	RFQ	1353	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IPI90N06S4L04AKSA1	-	RFQ	4281	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI90N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 90µA	170 NC @ 10 V	±16V	13000 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPC60R190E6X7SA1	-	RFQ	2587	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC60R					-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001418024	过时的	0000.00.0000	1					-
IRFH5210TRPBF	1.6600	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5210		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		100 v	10a（10A），55A（tc）	10V	14.9mohm @ 33a，10v	4V @ 100µA	59 NC @ 10 V	±20V	2570 pf @ 25 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRL1004S	-	RFQ	6779	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL1004		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	130a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 78A，10V	1V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±16V	5330 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFSL23N20D	-	RFQ	1015	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL23N20D	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
BSP179H6327XTSA1	-	RFQ	8081	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		400 v	210mA（ta）	0V，10V	18ohm @ 210mA，10v	1V @ 94µA	6.8 NC @ 5 V	±20V	135 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BTS244ZE3062AATMA2	5.5700	RFQ	3572	Infineon技术	tempfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB	BTS244		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-5-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
BSO203SPNTMA1	-	RFQ	2955	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		20 v	9a（9a）	2.5V，4.5V	21mohm @ 9A，4.5V	1.2V @ 100µA	50.4 NC @ 4.5 V	±12V	2265 pf @ 15 V	-	2.35W（TA）
BC846UPNE6327HTSA1	0.1260	RFQ	2055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC846			250MW	PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65V	100mA					15NA（icbo）	NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
BC817K40E6327HTSA1	0.3700	RFQ	117	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 MA					100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IRL3715L	-	RFQ	2804	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRF1503STRRPBF	-	RFQ	8550	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1503		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	75A（TC）	10V	3.3mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	5730 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRL3502	-	RFQ	8930	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3502	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	110A（TC）	4.5V，7V	7mohm @ 64a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	110 NC @ 4.5 V	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IPA60R600C6XKSA1	1.1203	RFQ	6754	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R600		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
BDP956	1.0000	RFQ	7126	Infineon技术	-	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
IPB120N04S3-02	-	RFQ	9513	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
irfr3504ztrr	-	RFQ	4784	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 50µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
IRF7304pbf	-	RFQ	3122	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001561936	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）			20V	4.3a		90MOHM @ 2.2a，4.5V	700MV @ 250µA	22nc @ 4.5V		610pf @ 15V	逻辑级别门
BCR 189L3 E6327	-	RFQ	2637	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 189			250兆	PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000															50 V	100 ma					100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS
IRLL3303TRPBF	-	RFQ	8966	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
PZTA42E6327HTSA1	-	RFQ	2708	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZTA42			1.5 w	PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															300 v	500 MA					100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
IRFS31N20DPBF	-	RFQ	3194	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
SIGC14T60NCX1SA1	-	RFQ	5730	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			300V，15a，18ohm，15V											npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-	21NS/110NS
BSC019N04LSATMA1	1.9700	RFQ	37	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC019		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	27a（27a），100A（tc）	4.5V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
AUIRF2804L-313	-	RFQ	6852	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPP80N06S2L06AKSA1	-	RFQ	7301	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²