晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
IAUC120N06S5N017ATMA1	2.7900	询价	3964	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IAUC120		MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8-43	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			60V	120A（Tj）		1.7毫欧@60A，10V	3.4V@94μA	95.9nC@10V	±20V	6952pF@30V	-	167W（温度）
F4100R17N3E4B80BPSA1	-	询价	第1362章	英飞凌科技	*	托盘	SIC停产				F4100R					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10
IRFU3607-701PBF	-	询价	1295	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		IPAK (TO-251AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			75V	56A（温度）	10V	9毫欧@46A，10V	4V@100μA	84nC@10V	±20V	3070pF@50V	-	140W（温度）
SIPC10S2N06LX2LA1	-	询价	1403	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-					-			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		-				-	-	-	-		-		-	-
IQD009N06NM5CGATMA1	4.3000	询价	4201	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	9-PowerTDFN	IQD009		MOSFET（金属O化物）		PG-TTFN-9-U02	-	符合ROHS3标准				EAR99	8542.39.0001	5,000		N沟道			60V	42A（Ta）、445A（Tc）	6V、10V	0.9毫欧@50A，10V	3.3V@163μA	150nC@10V	±20V	12000pF@30V	-	3W（Ta）、333W（Tc）
BSO033N03MSGXUMA1	1.5600	询价	27	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO033		MOSFET（金属O化物）		PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	17A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@22A，10V	2V@250μA	124nC@10V	±20V	9600pF@15V	-	1.56W（塔）
BCW68E6359HTMA1	-	询价	3775	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	最后一次购买									下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000015038		0000.00.0000	3,000
BCR148SH6433XTMA1	-	询价	2864	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR148			250毫W	PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000																50V	100毫安						-	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	100兆赫兹	47k欧姆	47k欧姆
IRLR8726PBF	-	询价	3936	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001573950	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			30V	86A（温度）	4.5V、10V	5.8毫欧@25A，10V	2.35V@50μA	23nC@4.5V	±20V	15V时为2150pF	-	75W（温度）
IRL1004	-	询价	6692	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRL1004	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			40V	130A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@78A，10V	1V@250μA	100nC@4.5V	±16V	5330pF@25V	-	200W（温度）
BCR573E6327HTSA1	0.0838	询价	4291	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR573			330毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																50V	500毫安						100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	70@50mA，5V	150兆赫	1欧姆	10欧姆
IRF520NL	-	询价	3111	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF520NL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100伏	9.7A（温度）	10V	200毫欧@5.7A，10V	4V@250μA	25nC@10V	±20V	330pF@25V	-	3.8W（Ta）、48W（Tc）
SMBT3904SE6327HTSA1	-	询价	8418	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	中小企业 BT 3904			330毫W	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																40V	200毫安						50nA（ICBO）	2 NPN（双）	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
IMBG65R057M1HXTMA1	11.8000	询价	940	英飞凌科技	酷碳化硅™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	IMBG65		SiCFET（碳化硅）		PG-TO263-7-12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IMBG65R057M1HXTMA1CT	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			650伏	39A（温度）	18V	74毫欧@16.7A，18V	5.7V@5mA	28nC@18V	+23V，-5V	930 pF @ 400 V	-	161W（温度）
SPI12N50C3XKSA1	-	询价	7247	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI12N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			560伏	11.6A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	3.9V@500μA	49nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	125W（温度）
IRF1010ZSPBF	-	询价	6275	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			55V	75A（温度）	10V	7.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	95nC@10V	±20V	2840pF@25V	-	140W（温度）
SPP07N60S5	-	询价	6771	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP07N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	5.5V@350μA	35nC@10V	±20V	970pF@25V	-	83W（温度）
IRG4BH20K-L	-	询价	4324	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		60W	TO-262	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			960V，5A，50欧姆，15V												-	1200伏	11A	22A	4.3V@15V，5A	450μJ（开），440μJ（关）	28nC	23纳秒/93纳秒
IRF3710SPBF	-	询价	6453	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100伏	57A（温度）	10V	23毫欧@28A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	3130pF@25V	-	200W（温度）
BC817K40E6359HTMA1	-	询价	8520	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC817			500毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000271897	EAR99	8541.21.0075	3,000																45V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	170兆赫
BCP 68-25 H6327	-	询价	5465	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP 68			3W	PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																20V	1A						100nA（ICBO）	NPN	500mV@100mA，1A	160@500mA，1V	100兆赫兹
IPB160N04S203ATMA4	6.6600	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB160		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-7-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			40V	160A（温度）	10V	2.9毫欧@60A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	5300pF@25V	-	300W（温度）
IRF7504TR	-	询价	7810	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	IRF7504		MOSFET（金属O化物）	1.25W	微8™	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）				20V	1.7A		270毫欧@1.2A，4.5V	700mV@250μA	8.2nC@4.5V		240pF@15V	逻辑电平门
BFR 182W E6327	-	询价	8086	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	绚化荧光剂182			250毫W	PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				19分贝												12V	35毫安							NPN		70@10mA，8V	8GHz			0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
AUIRLS4030	-	询价	3120	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRLS4030		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100伏	180A（温度）	4.5V、10V	4.3毫欧@110A，10V	2.5V@250μA	130nC@4.5V	±16V	11360pF@50V	-	370W（温度）
BC 846B E6327	-	询价	5419	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计846年			330毫W	PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																65V	100毫安						15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	250兆赫
IRFR12N25DPBF	-	询价	7844	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRFR12N25DPBF	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			250伏	14A（温度）	10V	260毫欧@8.4A，10V	5V@250μA	35nC@10V	±30V	810pF@25V	-	144W（温度）
IRFU3711ZPBF	-	询价	6111	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		IPAK (TO-251AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			20V	93A（温度）	4.5V、10V	5.7毫欧@15A，10V	2.45V@250μA	27nC@4.5V	±20V	10V时为2160pF	-	79W（温度）
IRLZ34NSTRR	-	询价	4889	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	Q971401	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			55V	30A（温度）	4V、10V	35毫欧@16A，10V	2V@250μA	25nC@5V	±16V	880pF@25V	-	3.8W（Ta）、68W（Tc）
BSZ067N06LS3GATMA1	1.5500	询价	39	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	BSZ067		MOSFET（金属O化物）		PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			60V	14A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	6.7毫欧@20A，10V	2.2V@35μA	67nC@10V	±20V	5100pF@30V	-	2.1W（Ta）、69W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²