RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BDP948E6327HTSA1	-	RFQ	1616年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP948			5 w		PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																45 v	3 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	100MHz
BCR133SH6327XTSA1	0.4600	RFQ	9	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR133			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50V	100mA						-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS
IPP030N10N3GXKSA1	6.8700	RFQ	638	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP030		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 275µA	206 NC @ 10 V	±20V	14800 PF @ 50 V	-	300W（TC）
SPI80N08S2-07	-	RFQ	7890	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRG4PSH71U	-	RFQ	7599	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w		SUPER-247™to-274AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PSH71U	Ear99	8541.29.0095	25			960V，70A，5OHM，15V												-	1200 v	99 a	200 a	2.7V @ 15V，70a	4.77mj（在）上，9.54mj（OFF）	370 NC	51NS/280NS
IPB80N06S4L07ATMA2	1.8200	RFQ	5808	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 40µA	75 NC @ 10 V	±16V	5680 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IKD04N60RBTMA1	-	RFQ	2596	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		75 w		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，4A，43OHM，15V											43 ns	沟	600 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	240µJ	27 NC	14NS/146NS
IRL8114pbf	-	RFQ	8857	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL8114		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 40a，10v	2.25V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2660 pf @ 15 V	-	115W（TC）
IPT010N08NM5ATMA1	7.5200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT010N		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		80 V	43A（43A），425A（TC）	6V，10V	1.05MOHM @ 150A，10V	3.8V @ 280µA	223 NC @ 10 V	±20V	16000 PF @ 40 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IRLML2402TR	-	RFQ	6495	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	1.2A（TA）		250MOHM @ 930mA，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	3.9 NC @ 4.5 V		110 pf @ 15 V	-
IPB45P03P4L11ATMA2	0.9150	RFQ	9219	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB45p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		30 V	45A（TC）	4.5V，10V	10.8mohm @ 45a，10v	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V，-16V	3770 pf @ 25 V	-	58W（TC）
ICD20V02X1SA1	-	RFQ	4081	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000946698	过时的	0000.00.0000	1
IPA80R310CEXKSA2	3.7100	RFQ	2500	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R310		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	16.7A（TC）	10V	310MOHM @ 11a，10v	3.9V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 100 V	-	35W（TC）
FZ1800R12HP4B9HOSA2	1.0000	RFQ	4603	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1800			10500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														沟	1200 v	2700 a		2.05V @ 15V，1800a				5 ma	不	110 nf @ 25 V
IPB65R145CFD7AATMA1	2.8389	RFQ	7458	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	17a（TC）	10V	145mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
IRF8714GPBF	-	RFQ	3372	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001551628	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		30 V	14A（TA）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1020 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF7240TRPBF	1.8100	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7240		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	15mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	9250 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPB95R130PFD7ATMA1	4.5503	RFQ	5463	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		950 v	36.5A（TC）	10V	130MOHM @ 25.1A，10V	3.5V @ 1.25mA	141 NC @ 10 V	±20V	4170 pf @ 400 V	-	227W（TC）
IPB70N10SL16ATMA1	-	RFQ	6151	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB70N10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）
auirlr014n	-	RFQ	9768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518258	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	10A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
IPP80N04S2H4AKSA2	-	RFQ	2964	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		40 V	80A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRL8113STRL	-	RFQ	4570	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
IPL65R340CFDAUMA1	1.5121	RFQ	9374	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R340		MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	10.9a（TC）	10V	340MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 400µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
BCR166WH6327XTSA1	-	RFQ	7860	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR166			250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
BCX53E6327HTSA1	-	RFQ	2972	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53			2 w		PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																80 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
IRL3715STRL	-	RFQ	2559	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
2PS12017E44G35911NOSA1	-	RFQ	3097	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	2PS12017			2160 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器														-				2.45V @ 15V，300A					是的
BCR22PNH6327XTSA1	0.0975	RFQ	9322	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR22			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50V	100mA						-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5V	130MHz	22KOHMS	22KOHMS
IRFR3704TRRPBF	-	RFQ	4721	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	90W（TC）
IHW30N120R5XKSA1	4.8600	RFQ	421	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW30N120	标准		330 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，30a，10ohm，15V												沟渠场停止	1200 v	60 a	90 a	1.85V @ 15V，30a	1.1mj（（）	235 NC	- /330n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²