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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRL3102SPBF	-	RFQ	2199	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BCR112WH6327	-	RFQ	3006	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR112			250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,123																50 V	100 ma					100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IPT012N06NATMA1	6.2800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT012		MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			60 V	240a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 143µA	124 NC @ 10 V	±20V	9750 PF @ 30 V	-	214W（TC）
BUZ73AE3046XK	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz73		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			200 v	5.5A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFH4255DTRPBF	-	RFQ	9910	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4255		MOSFET （金属 o化物）	31W，38W	PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）				25V	64a，105a		3.2MOHM @ 30a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1314pf @ 13V	逻辑级别门
IPB156N22NFDATMA1	8.2400	RFQ	726	Infineon技术	Optimos™FD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB156		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			220 v	72A（TC）	10V	15.6mohm @ 50a，10v	4V @ 270µA	87 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 110 V	-	300W（TC）
IRF630NSTRLPBF	1.6400	RFQ	2675	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
BSC032NE2LSATMA1	0.9800	RFQ	24	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC032		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			25 v	22a（22A），84a tc（84a tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 12 V	-	2.8W（ta），78W（tc）
BSZ067N06LS3GATMA1	1.5500	RFQ	39	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSZ067		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	（14a）（ta），20A （TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 35µA	67 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 30 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IPI65R310CFD	0.8900	RFQ	10	Infineon技术	Coolmos CFD2™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
IRF540ZSTRR	-	RFQ	8531	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BCX5316H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4635	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5316			2 w	PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																80 V	1 a					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IRFB33N15D	-	RFQ	1966年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB33N15D	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	33A（TC）	10V	56mohm @ 20a，10v	5.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
SIGC109T120R3LEX1SA2	-	RFQ	8788	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIGC109	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-												沟渠场停止	1200 v		300 a	2.1V @ 15V，100a	-	-
IRFZ44VZSPBF	1.1439	RFQ	5081	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BFR360L3E6765XTMA1	0.3900	RFQ	11	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BFR360			210MW	PG-TSLP-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000				11.5db〜16dB												9V	35mA						NPN		90 @ 15mA，3v	14GHz			1db〜1.3db @ 1.8GHz〜3GHz
IAUC120N06S5N017ATMA1	2.7900	RFQ	3964	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC120		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-43	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	120a（TJ）		1.7MOHM @ 60a，10v	3.4V @ 94µA	95.9 NC @ 10 V	±20V	6952 PF @ 30 V	-	167W（TC）
IAUC60N06S5L073ATMA1	0.4435	RFQ	8870	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	60a（TJ）	4.5V，10V	7.3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 19µA	22.6 NC @ 10 V	±16V	1655 PF @ 30 V	-	52W（TC）
IRFR2307ZPBF	-	RFQ	5422	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			75 v	42A（TC）	10V	16mohm @ 32a，10v	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 pf @ 25 V	-	110W（TC）
ICA37V01X1SA1	-	RFQ	6347	Infineon技术	*	大部分	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001346206	过时的	0000.00.0000	1
BSP50H6327XTSA1	0.2819	RFQ	5354	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP50			1.5 w	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																45 v	1 a					10µA	npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
IRFS7734-7PPBF	-	RFQ	6748	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001567770	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			75 v	197a（TC）	6V，10V	3.05MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	270 NC @ 10 V	±20V	10130 pf @ 25 V	-	294W（TC）
ICA32V19X1SA1	-	RFQ	8718	Infineon技术	*	大部分	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001113918	过时的	0000.00.0000	1
IRF7807VPBF	-	RFQ	6961	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551538	Ear99	8541.29.0095	95		n通道			30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
irlr8503trl	-	RFQ	2045	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	44A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	62W（TC）
BSC0906NSATMA1	0.7000	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0906		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	18A（18A），63A（tc）	4.5V，10V	4.5mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
SPS03N60C3AKMA1	-	RFQ	6835	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	SPS03N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-11	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			650 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
BSO612CVGXUMA1	0.4700	RFQ	5973	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买									下载	rohs3符合条件		到达不受影响				2,500
IRFR120NTRLPBF	0.9800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			100 v	9.4A（TC）	10V	210MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²