晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
BCP 55-16 E6327	-	询价	3269	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP 55			2W		PG-SOT223-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																	60V	1A						100nA（ICBO）			NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	100兆赫兹
IPN95R2K0P7ATMA1	1.2700	询价	3	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IPN95R2		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			950伏	4A（温度）	10V	2欧姆@1.7A，10V	3.5V@80μA	10nC@10V	±20V	330 pF @ 400 V	-	7W（温度）
IRGP4690DPBF	-	询价	7424	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		454 W		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001534080	EAR99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												155纳秒	-	600伏	140A	第225章	2.1V@15V，75A	2.47mJ（开）、2.16mJ（关）	150 纳克	50纳秒/200纳秒
BSL211SPH6327XTSA1	0.6900	询价	2	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL211		MOSFET（金属O化物）			PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			20V	4.7A（塔）	2.5V、4.5V	67毫欧@4.7A，4.5V	1.2V@25μA	12.4nC@10V	±12V	654pF@15V	-	2W（塔）
FF1200R12KE3NOSA1	-	询价	2544	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-40℃～125℃	安装结构	模块	FF1200			5000W	标准	模块	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	2 独立															-	1200伏			2.15V@15V，1200A				5毫安	不	86nF@25V
BSM200GA120DN2S7HOSA1	-	询价	3691	英飞凌科技	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM200			1.55W	标准	模块	-					过时的		1	单开关															-	1200伏	300A		3V@15V，200A				4毫安	不
IRFZ24NSTRLPBF	-	询价	9910	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			55V	17A（温度）	10V	70毫欧@10A、10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	370pF@25V	-	3.8W（Ta）、45W（Tc）
IRF7754	-	询价	4629	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	IRF775		MOSFET（金属O化物）	1W		8-TSSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95	2 个 P 沟道（双）				12V	5.5A		25毫欧@5.4A，4.5V	900mV@250μA	22nC@4.5V		1984pF@6V	逻辑电平门
AUIRFB4410	-	询价	4491	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			100伏	75A（温度）	10V	10毫欧@58A，10V	4V@150μA	180nC@10V	±20V	5150pF@50V	-	200W（温度）
SIPC08N60C3X1SA1	-	询价	4889	英飞凌科技	-	大部分	的积极				SIPC08						-	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行	SP000014687		0000.00.0000	1						-
BFP420H6740	0.2200	询价	第455章	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343				210毫W		PG-SOT343-4-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				21分贝													4.5V	60毫安									NPN		60@20mA，4V	25GHz	1.1dB@1.8GHz
IRF9Z34NSTRRPBF	-	询价	6101	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF9Z34		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道			55V	19A（TC）	10V	100毫欧@10A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	620pF@25V	-	3.8W（Ta）、68W（Tc）
FF1500R12IE5BPSA1	1.0000	询价	3379	英飞凌科技	PrimePACK™3+ B	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FF1500R			20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001630414	EAR99	8541.29.0095	2	2 独立															沟渠场站	1200伏	1500A		2.15V@15V，1500A				5毫安	是的	82nF@25V
IRFB7530PBF	3.3800	询价	10	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB7530		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			60V	195A（高温）	6V、10V	2mOhm@100A，10V	3.7V@250μA	411nC@10V	±20V	13703pF@25V	-	375W（温度）
IRFS41N15DTRR	-	询价	6923	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			150伏	41A（温度）	10V	45毫欧@25A，10V	5.5V@250μA	110nC@10V	±30V	25V时为2520pF	-	3.1W（塔）
IPB50N10S3L16ATMA1	2.4200	询价	4701	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB50N10		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			100伏	50A（温度）	4.5V、10V	15.4毫欧@50A，10V	2.4V@60μA	64nC@10V	±20V	4180pF@25V	-	100W（温度）
IPU50R3K0CEBKMA1	-	询价	8026	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU50R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			500V	1.7A（温度）	13V	3欧姆@400mA，13V	3.5V@30μA	4.3nC@10V	±20V	100V时为84pF	-	18W（温度）
IPG20N04S4L11AATMA1	1.2600	询价	5435	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	8-PowerVDFN	IPG20N		MOSFET（金属O化物）	41W		PG-TDSON-8-10	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）				40V	20A		11.6毫欧@17A，10V	2.2V@15μA	26nC@10V		1990pF@25V	逻辑电平门
IPW65R190C6FKSA1	-	询价	6620	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道			650伏	20.2A（温度）	10V	190毫欧@7.3A，10V	3.5V@730μA	73nC@10V	±20V	1620pF@100V	-	151W（温度）
F475R07W2H3B51BPSA1	-	询价	8678	英飞凌科技	易桥	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	F475R07			250W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔															-	650伏	75A		1.55V@15V，37.5A				1毫安	是的	4.7nF@25V
IRF9956TRPBF	0.7800	询价	2	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF995		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）				30V	3.5A		100毫欧@2.2A，10V	1V@250μA	14nC@10V		190pF@15V	逻辑电平门
IPA80R310CEXKSA2	3.7100	询价	2500	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA80R310		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	16.7A（温度）	10V	310毫欧@11A，10V	3.9V@1mA	91nC@10V	±20V	100V时为2320pF	-	35W（温度）
BSS138N E6908	-	询价	3481	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道			60V	230mA（塔）	4.5V、10V	3.5欧姆@230mA，10V	1.4V@250μA	1.4nC@10V	±20V	41pF@25V	-	360毫W（塔）
IRFU3504Z	-	询价	7414	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFU3504Z	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			40V	42A（温度）	10V	9毫欧@42A，10V	4V@50μA	45nC@10V	±20V	1510pF@25V	-	90W（温度）
IPP80R900P7XKSA1	1.7200	询价	5174	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP80R900		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	6A（温度）	10V	900毫欧@2.2A，10V	3.5V@110μA	15nC@10V	±20V	350 pF @ 500 V	-	45W（温度）
IRFH4255DTRPBF	-	询价	9910	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	IRFH4255		MOSFET（金属O化物）	31W、38W		PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）				25V	64A、105A		3.2毫欧@30A，10V	2.1V@35μA	15nC@4.5V		1314pF@13V	逻辑电平门
IKD15N60RFATMA1	2.0500	询价	2	英飞凌科技	TrenchStop®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	15N 平盾	标准		250W		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，15A，15欧姆，15V												74纳秒	沟渠场站	600伏	30A	45A	2.5V@15V，15A	270μJ（开），250μJ（关）	90℃	13纳秒/160纳秒
IPB60R190C6ATMA1	3.7100	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ C6	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB60R190		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			600伏	20.2A（温度）	10V	190毫欧@9.5A，10V	3.5V@630μA	63nC@10V	±20V	1400 pF @ 100 V	-	151W（温度）
IMBG120R234M2HXTMA1	4.5035	询价	5118	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IMBG120R234M2HXTMA1TR			1,000
IRFS33N15DTRLP	-	询价	8058	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			150伏	33A（温度）	10V	56mOhm@20A，10V	5.5V@250μA	90nC@10V	±30V	2020pF@25V	-	3.8W（Ta）、170W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²