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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRFS33N15D	-	RFQ	3118	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFS33N15D	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					150 v	33A（TC）	10V	56mohm @ 20a，10v	5.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IPD035N06L3GATMA1	-	RFQ	3347	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD035N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					60 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 93µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
irfr2407pbf	-	RFQ	6133	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRLZ24NSTRR	-	RFQ	5951	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRFR5410TRPBF	1.7700	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR5410		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道					100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRF3709	-	RFQ	2582	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3709	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IPD05N03LA g	-	RFQ	6405	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD05N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 30a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IRL1104L	-	RFQ	8609	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL1104L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	104a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 62a，10v	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），167W（tc）
BSO4420	-	RFQ	1976年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2V @ 80µA	33.7 NC @ 5 V	±20V	2213 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BUZ31L	-	RFQ	4071	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					200 v	13.5A（TC）	5V	200mohm @ 7a，5v	2V @ 1mA		±20V	1600 pf @ 25 V	-	95W（TC）
IRLI2910	-	RFQ	3768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI2910	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	31a（TC）	4V，10V	26mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	63W（TC）
BSC010N04LSCATMA1	3.0800	RFQ	6570	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	-	-	BSC010		MOSFET （金属 o化物）			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	282a（TC）	4.5V，10V	1.05MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	9500 PF @ 20 V	-	139W（TC）
IPP16CN10NGXKSA1	1.7500	RFQ	124	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP16CN10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	53A（TC）	10V	16.5MOHM @ 53A，10V	4V @ 61µA	48 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 50 V	-	100W（TC）
IPB50N10S3L16ATMA1	2.4200	RFQ	4701	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB50N10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	50A（TC）	4.5V，10V	15.4mohm @ 50a，10v	2.4V @ 60µA	64 NC @ 10 V	±20V	4180 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BSS138WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	1384	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS138		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	280mA（TA）	4.5V，10V	3.5OHM @ 200mA，10v	1.4V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	43 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
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irlz34nstrr	-	RFQ	4889	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q971401	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	30A（TC）	4V，10V	35mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IPI60R299CPXKSA1	-	RFQ	8573	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					600 v	11A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	29 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	96W（TC）
IRLR9343PBF	-	RFQ	6683	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道					55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
BCX53H6327XTSA1	0.1920	RFQ	3967	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53			2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			80 V	1 a			100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
IRF9410TR	-	RFQ	2574	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	7a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
PTFA041501HL V1	-	RFQ	3778	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA041501	470MHz	ldmos			PG-64248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			1µA	900 MA	150W	21dB											-					28 V
PTFA092211FLV4XWSA1	-	RFQ	5107	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		920MHz〜960MHz	ldmos			H-34288-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000688948	5A991G	8541.29.0095	40			-	175 MA	50W	18db											-					30 V
BSC160N15NS5ATMA1	2.8900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC160		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					150 v	56A（TC）	8V，10V	16mohm @ 28a，10v	4.6V @ 60µA	23.1 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	96W（TC）
IRFC4568EF	-	RFQ	5595	Infineon技术	-	大部分	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1								-
BC857BL3E6327XTMA1	0.1136	RFQ	8462	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC857			250兆		PG-TSLP-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																			45 v	100 ma			15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
BFP405E6327BTSA1	-	RFQ	8574	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP405			75MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						23dB													5V	25mA				NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.25dB @ 1.8GHz
BCR 158 B6327	-	RFQ	6174	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 158			200兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																			50 V	100 ma			100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BCR135E6359HTMA1	-	RFQ	2054	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR135			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	100 ma			100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
BSC360N15NS3GATMA1	2.0700	RFQ	35	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC360		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					150 v	33A（TC）	8V，10V	36mohm @ 25a，10v	4V @ 45µA	15 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 75 V	-	74W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²