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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
AUXFN8403TR	-	RFQ	1251	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-TQFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001519874	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			40 V	95A（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	98 NC @ 10 V	±20V	3174 PF @ 25 V	-	94W（TC）
IPL65R650C6SATMA1	0.8473	RFQ	2354	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPL65R650		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			650 v	6.7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.1A，10V	3.5V @ 210µA	21 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	56.8W（TC）
SGP20N60XKSA1	-	RFQ	8646	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP20N	标准		179 w		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			400V，20a，16ohm，15V												npt	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（440µJ）（在330µJ上）	100 NC	36NS/225NS
SN7002W L6433	-	RFQ	5559	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SN7002W		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BCR169E6327HTSA1	-	RFQ	3730	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR169			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
IRF7413Z	-	RFQ	4520	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7413Z	Ear99	8541.29.0095	95		n通道			30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFC4768	-	RFQ	4472	Infineon技术	-	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1						-
BCX71HE6327HTSA1	0.0529	RFQ	3872	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX71			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	250MHz
SIGC84T120R3LEX1SA7	-	RFQ	9271	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的				SIGC84	标准					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SIGC84T120R3LE	Ear99	8541.29.0095	1			-												沟渠场停止	1200 v		225 a	2.1V @ 15V，75a	-		-
ISC080N10NM6ATMA1	1.7800	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC080N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	13a（13A），75a（tc）	8V，10V	8.05MOHM @ 20A，10V	3.3V @ 36µA	24 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 50 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
IRG4BC40K	-	RFQ	1954年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC40K	Ear99	8541.29.0095	50			480V，25a，10ohm，15V												-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRF6678	2.3200	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			30 V	（30a）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.25V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF7476	-	RFQ	5726	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道			12 v	15A（TA）	2.8V，4.5V	8mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V	2550 pf @ 6 V	-	2.5W（TA）
IRLML2803TRPBF-1	-	RFQ	7735	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			30 V	1.2A（TA）		250MOHM @ 910mA，10V	1V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	85 pf @ 25 V	-	540MW（TA）
IRG7CH23K10EF	-	RFQ	9368	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH						下载		不适用	到达不受影响	SP001545918	过时的	0000.00.0000	1
IRL1404PBF	-	RFQ	3492	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6590 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFR12N25DTRRP	-	RFQ	6182	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
IRG5U100HF12A	-	RFQ	7253	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块				620 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537382	Ear99	8541.29.0095	20	半桥														-	1200 v	200 a		3.5V @ 15V，100a				1 MA	不	12.3 NF @ 25 V
FF1800R12IE5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3+	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1800			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立														沟渠场停止	1200 v	1800 a		2.15V @ 15V，1800a				5 ma	是的	98.5 nf @ 25 V
IPB034N06N3GATMA2	0.7692	RFQ	7579	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
FS150R17N3E4BOSA1	267.1300	RFQ	4276	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS150R17			835 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器														沟渠场停止	1700 v	150 a		2.3V @ 15V，150a				1 MA	是的	13.5 nf @ 25 V
SPB73N03S2L08T	-	RFQ	9390	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB73N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000016257	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	73A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 36a，10v	2V @ 55µA	46.2 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
BFP842ESDH6327XTSA1	0.6000	RFQ	9	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP842			120MW		PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				26dB												3.7V	40mA									NPN		150 @ 15mA，2.5V	60GHz			0.65dB @ 3.5GHz
IRL3103D1PBF	-	RFQ	8288	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103D1PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			30 V	64A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	2W（ta），89w（tc）
BC846UPNE6327HTSA1	0.1260	RFQ	2055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC846			250MW		PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																65V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
IPL60R650P6SATMA1	1.6500	RFQ	1925年	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPL60R650		MOSFET （金属 o化物）			8-thinpak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			600 v	6.7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	56.8W（TC）
IRF3000pbf	-	RFQ	3125	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3000pbf	Ear99	8541.29.0095	95		n通道			300 v	1.6a（ta）	10V	400MOHM @ 960mA，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
SMBT3904SE6327HTSA1	-	RFQ	8418	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	SMBT 3904			330MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40V	200mA						50NA（iCBO）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
DF1000R17IE4PBPSA1	739.2000	RFQ	7699	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF1000			1000000 w	标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	单菜器														沟渠场停止	1700 v	1000 a		2.45V @ 15V，1000a				5 ma	是的	81 NF @ 25 V
BCR192E6327HTSA1	0.0517	RFQ	9466	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR192			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²