晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPA60R400CEXKSA1	1.7000	询价	8891	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA60R400			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						600伏	10.3A（温度）	10V	400毫欧@3.8A，10V	3.5V@300μA	32nC@10V	±20V	700 pF @ 100 V	-	31W（温度）
IPP100N04S204AKSA1	-	询价	3985	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP100N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						40V	100A（温度）	10V	3.6毫欧@80A，10V	4V@250μA	172nC@10V	±20V	5300pF@25V	-	300W（温度）
AUIRFR2405	-	询价	1901年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-PAK (TO-252AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522238	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						55V	30A（温度）	10V	16毫欧@34A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	2430pF@25V	-	110W（温度）
FS225R17KE3BOSA1	831.6875	询价	8856	英飞凌科技	经济包装™+	托盘	不适合新设计		-40℃～125℃	安装结构	模块	FS225R17				1400W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4	天线塔																			沟渠场站	1700伏	340A		2.45V@15V，225A					3毫安	是的	20.5nF@25V
BCX71HE6327HTSA1	0.0529	询价	3872	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCX71				330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					45V	100毫安							20nA（ICBO）			国民党	550mV@1.25mA、50mA	180@2mA，5V	250兆赫
BCX5116E6327HTSA1	0.0900	询价	13	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					2W		PG-SOT89-4-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					45V	1A							100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	125兆赫
BC 817-25 E6433	-	询价	4414	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	估计817年				330毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																					45V	500毫安							100nA（ICBO）			NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	170兆赫
IRF2807S	-	询价	5063	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						75V	82A（温度）	10V	13毫欧@43A，10V	4V@250μA	160nC@10V	±20V	3820pF@25V	-	230W（温度）
BSP149 E6327	-	询价	第1256章	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						200V	660毫安（塔）	0V、10V	1.8欧姆@660mA，10V	1V@400μA	14nC@5V	±20V	430pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
BC818K16WH6327XTSA1	0.0712	询价	8414	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC818				250毫W		PG-SOT323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					25V	500毫安							100nA（ICBO）			NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	100@100mA，1V	170兆赫
IRLU014N	-	询价	6850	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA				MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRLU014N	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						55V	10A（温度）	4.5V、10V	140mOhm@6A，10V	1V@250μA	7.9nC@5V	±16V	265pF@25V	-	28W（温度）
DF75R12W1H4FB11BOMA2	99.2950	询价	8967	英飞凌科技	EasyPACK™	托盘	最后一次购买		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	DF75R12				20毫W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	天线塔																			-	1200伏	25A		2.65V@15V，25A					1毫安	是的	2nF@25V
PTFA192401EV4XWSA1	-	询价	7465	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		安装结构	H-36260-2	PTFA192401		1.96GHz	LDMOS			H-36260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	35			10微安		1.6安	50W	16分贝											-										30V
ICA21V01X1SA1	-	询价	8672	英飞凌科技	*	大部分	过时的												下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001035636	过时的	0000.00.0000	1
IPP051N15N5AKSA1	6.5300	询价	8738	英飞凌科技	OptiMOS™5	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP051			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	50		N沟道						150伏	120A（温度）	8V、10V	5.1毫欧@60A，10V	4.6V@264μA	100nC@10V	±20V	7800pF@75V	-	500mW（温度）
BCX5610H6327XTSA1	-	询价	3382	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX5610				2W		PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					80V	1A							100nA（ICBO）			NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	100兆赫兹
MMBTA42LT1HTSA1	0.0830	询价	1207	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMMBTA42				360毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																					300伏	500毫安							100nA（ICBO）			NPN	500mV@2mA、20mA	40@30mA，10V	70兆赫
IPA034N08NM5SXKSA1	-	询价	1304	英飞凌科技	-	管子	的积极		-			IPA034			-				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		-							-	-	-	-		-		-	-
IMZA120R020M1HXKSA1	37.7400	询价	7572	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4				SiCFET（碳化硅）			PG-TO247-4-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						1200伏	98A（TC）	15V、18V	26.9毫欧@41A，18V	5.2V@17.6mA	18V时为83nC	+20V，-5V	3460nF@25V	-	375W（温度）
IQE008N03LM5CGSCATMA1	1.2310	询价	2262	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IQE008N03LM5CGSCATMA1TR			6,000
ITD50N04S4L07ATMA1	-	询价	8800	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-5、DPak（4引脚+片）、TO-252AD	ITD50			MOSFET（金属O化物）	46W（温度）		PG-TO252-5-311	下载					EAR99	8542.39.0001	第363章	2 个 N 沟道（双）							40V	50A（温度）		7.2毫欧@50A，10V	2.2V@18μA	33nC@10V		2480pF @ 25V	逻辑电平门
ICA30V01X1SA1	-	询价	4275	英飞凌科技	*	大部分	过时的												下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000906842	过时的	0000.00.0000	1
BCR 512 B6327	-	询价	6158	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR 512				330毫W		PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	30,000																					50V	500毫安							100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	60@50mA，5V	100兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
IRGB4640DPBF	-	询价	4134	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		标准			250W		TO-220AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001548212	EAR99	8541.29.0095	50				400V，24A，10欧姆，15V															89纳秒	-	600伏	65A	72A	1.9V@15V，24A	115μJ（开），600μJ（关）	75℃	41纳秒/104纳秒
IMZ120R220M1HXKSA1	11.0300	询价	第443章	英飞凌科技	酷碳化硅™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	IMZ120			SiCFET（碳化硅）			PG-TO247-4-1	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						1200伏	13A（温度）	15V、18V	220毫欧@4A，18V	5.7V@1.6mA	18V时为8.5nC	+23V，-7V	800V时为289pF	-	75W（温度）
IRFS3307	-	询价	4006	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFS3307	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						75V	130A（温度）	10V	6.3毫欧@75A，10V	4V@150μA	180nC@10V	±20V	5150pF@50V	-	250W（温度）
BC858AE6327HTSA1	0.0489	询价	4305	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC858				330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					30V	100毫安							15nA（ICBO）			国民党	650mV@5mA、100mA	125@2mA，5V	250兆赫
IRFH7882TRPBF	-	询价	8566	英飞凌科技	快速场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-超薄四方无突破				MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						80V	26A（塔）	10V	3.1毫欧@50A，10V	3.6V@250μA	74nC@10V	±20V	3186pF@40V	-	4W（Ta）、195W（Tc）
SPP11N80C3XKSA1	3.4500	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP11N80			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						800V	11A（温度）	10V	450毫欧@7.1A，10V	3.9V@680μA	85nC@10V	±20V	1600pF@100V	-	156W（温度）
BSC0925NDATMA1	0.9500	询价	9	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC0925			MOSFET（金属O化物）	2.5W		PG-TISON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N通道（双降压斩波器）							30V	15A		5毫欧@20A，10V	2V@250μA	17nC@10V		1157pF@15V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²