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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRFZ44VZ	-	RFQ	5183	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfz44vzs	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
PTFA071701FV4R250XTMA1	-	RFQ	6551	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA071701	765MHz	ldmos			H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	900 MA	150W	18.7dB											-					30 V
IRLML9301TRPBF	0.4900	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML9301		MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	64mohm @ 3.6A，10V	2.4V @ 10µA	4.8 NC @ 4.5 V	±20V	388 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
BSO080P03NS3EGXUMA1	-	RFQ	7772	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	12a（12a）	6V，10V	8mohm @ 14.8A，10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
IPT60R028G7XTMA1	19.9800	RFQ	8	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R028		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	75A（TC）	10V	28mohm @ 28.8a，10V	4V @ 1.44mA	123 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 400 V	-	391W（TC）
BC847CWH6433XTMA1	0.0561	RFQ	8621	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																			45 v	100 ma			15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRF5804Tr	-	RFQ	5696	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					40 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	198mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	2W（TA）
irfu3708pbf	-	RFQ	9374	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	61A（TC）	2.8V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRLR024NTRLPBF	1.0000	RFQ	5821	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BSC240N12NS3 g	-	RFQ	8862	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					120 v	37A（TC）	10V	24mohm @ 31a，10v	4V @ 35µA	27 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 60 V	-	66W（TC）
BFP540FESDH6327XTSA1	0.7400	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP540			250MW		4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						20dB													5V	80mA						NPN		50 @ 20mA，3.5V	30GHz			0.9db〜1.4dB @ 1.8GHz
IRL3714SPBF	-	RFQ	9418	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3714SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
BC847PNE6433BTMA1	-	RFQ	4165	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC847			250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																			45V	100mA			15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
FF1200R17IP5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1200			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																	沟渠场停止	1700 v	1200 a	2.3V @ 15V，1200A		5 ma	是的	68 NF @ 25 V
BCP49H6419XTMA1	-	RFQ	4447	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP49			1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			60 V	500 MA			100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
IRLH7134TR2PBF	-	RFQ	1380	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道					40 V	26A（26A），85A （TC）		3.3mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	58 NC @ 4.5 V		3720 PF @ 25 V	-
SPD50N06S2L-13	-	RFQ	4233	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD50N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	50A（TC）	4.5V，10V	12.7MOHM @ 34a，10V	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRF7756	-	RFQ	9928	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7756	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）						12V	4.3a		40mohm @ 4.3a，4.5V	900mv @ 250µA	18NC @ 4.5V		1400pf @ 10V	逻辑级别门
BCR 192 B6327	-	RFQ	5333	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 192			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																			50 V	100 ma			100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
IRFZ46ZL	-	RFQ	6886	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ46ZL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
IRFR3708TRRPBF	-	RFQ	5439	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3708		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575934	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	61A（TC）	2.8V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
BCR 146L3 E6327	-	RFQ	4611	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 146			250兆		PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																			50 V	70 MA			100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5V	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BCX53H6327XTSA1	0.1920	RFQ	3967	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53			2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			80 V	1 a			100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
FP30R06KE3BPSA1	100.0700	RFQ	13	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP30R06			125 w	三相桥梁整流器	Ag-Econo2c	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																	沟渠场停止	600 v	37 a	2V @ 15V，30a		1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IRLMS5703TR	-	RFQ	4335	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™（SOT23-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	2.3a（ta）		200mohm @ 1.6A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V		170 pf @ 25 V	-
BCV46E6327HTSA1	0.0820	RFQ	6347	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV46			360兆w		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			60 V	500 MA			100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
IRFSL17N20D	-	RFQ	6010	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL17N20D	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
IRF3315LPBF	-	RFQ	5636	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3315LPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
BCP29	1.0000	RFQ	8393	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
IPB160N04S203ATMA4	6.6600	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	160a（TC）	10V	2.9MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²