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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SN7002W L6433	-	RFQ	5559	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SN7002W		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IRLR3705ZTRPBF	1.7700	RFQ	1754年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3705		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		55 v	42A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±16V	2900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IKD04N60RATMA1	1.1100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD04N60	标准		75 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			400V，4A，43OHM，15V											43 ns	沟渠场停止	600 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	（90µJ）（在150µJ）上（OFF）	27 NC	14NS/146NS
BSS315PL6327HTSA1	-	RFQ	6022	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	150MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 11µA	2.3 NC @ 5 V	±20V	282 PF @ 15 V	-	500MW（TA）
SGW20N60HSFKSA1	-	RFQ	4229	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW20N	标准		178 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，20a，16ohm，15V												npt	600 v	36 a	80 a	3.15V @ 15V，20A	690µJ	100 NC	18NS/207NS
IPB80N04S403JEATMA1	-	RFQ	6150	Infineon技术	Optimos®-T2	大部分	过时的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 53µA	66 NC @ 10 V	±20V	5260 pf @ 25 V	-	94W（TC）
AIKB30N65DF5ATMA1	5.3300	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb30	标准		188 w		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，15a，23ohm，15V											67 ns	沟渠场停止	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	330µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	25NS/188NS
AUXHMF7321D2	-	RFQ	2222	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道		30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	62MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRFU1010ZPBF	-	RFQ	2678	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BC817K40E6359HTMA1	-	RFQ	8520	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000271897	Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
BCR 135L3 E6327	-	RFQ	5725	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 135			250兆		PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
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IRLML6402TRPBF-1	-	RFQ	2794	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	3.7a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.7A，4.5V	1.2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±12V	633 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
SKW20N60HSFKSA1	-	RFQ	7555	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SKW20N	标准		178 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，20a，16ohm，15V											130 ns	npt	600 v	36 a	80 a	3.15V @ 15V，20A	690µJ	100 NC	18NS/207NS
BCR 569 E6327	-	RFQ	8026	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 569			330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	500 MA						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	120 @ 50mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯
BCV27E6327HTSA1	0.0815	RFQ	8630	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV27			360兆w		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	500 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	170MHz
IPA65R225C7	1.5700	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		650 v	7A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	29W（TC）
IRF7501TRPBF	-	RFQ	4370	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7501		MOSFET （金属 o化物）	1.25W		micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			20V	2.4a		135mohm @ 1.7A，4.5V	700MV @ 250µA	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	逻辑级别门
IRG6S320UPBF	-	RFQ	7420	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG6S320	标准		114 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001533800	Ear99	8541.29.0095	50			196V，12a，10ohm												沟	330 v	50 a		1.65V @ 15V，24a	-	46 NC	24NS/89NS
FF450R12KE4HOSA1	213.3600	RFQ	2477	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R12			2400 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥														沟渠场停止	1200 v	520 a		2.15V @ 15V，450a				5 ma	不	28 NF @ 25 V
SPB100N03S2L-03 g	-	RFQ	9077	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	100A（TC）	10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPD031N03M g	-	RFQ	1674年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD031N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 15 V	-	-
IRF7809A	-	RFQ	4150	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V	8.5mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±12V	7300 PF @ 16 V	-	2.5W（TA）
IRFR2407Trl	-	RFQ	3040	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2407		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IPD06P005LATMA1	-	RFQ	1880年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001727880	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		60 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	250mohm @ 6.5a，10v	2V @ 270µA	13.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
IRLR3636PBF	-	RFQ	4003	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRFB4310pbf	3.5900	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4310		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²