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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BCP49H6327XTSA1	0.2627	RFQ	1920年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP49		1.5 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															60 V	500 MA		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
IPG20N10S4L35ATMA1	1.3100	RFQ	46	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	43W		PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			100V	20a		35mohm @ 17a，10v	2.1V @ 16µA	17.4NC @ 10V		1105pf @ 25V	逻辑级别门
IRF1407STRR	-	RFQ	5903	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BFR181WH6327XTSA1	0.4100	RFQ	104	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR181		175MW		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			19db												12V	20mA					NPN		70 @ 5mA，8v	8GHz			0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
BCR 114T E6327	-	RFQ	1421	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 114		250兆		PG-SC75-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
BCM846SH6327XTSA1	0.1398	RFQ	4832	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCM846		250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65V	100mA		15NA（icbo）			2 NPN （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BFP 540F E6327	-	RFQ	9194	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 540		250MW		4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			20dB												5V	80mA					NPN		50 @ 20mA，3.5V	30GHz			0.9db〜1.4dB @ 1.8GHz
FS3L200R10WS7FB11BPSA1	287.4700	RFQ	17	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS3L200		20兆	标准	ag-easy3b	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	三级逆变器													沟渠场停止	950 v	70 a	1.55V @ 15V，25a	31 µA	是的	6.48 nf @ 25 V
BGR405H6327XTSA1	-	RFQ	5521	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343			50MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	3,000			-												5V	12mA					NPN		-	-			1db〜1.6dB @ 400MHz〜1.8GHz
BC 807-16 E6327	-	RFQ	4611	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 807		330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
BCR 166F E6327	-	RFQ	1601	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 166		250兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
IRF3710ZSPBF	-	RFQ	4856	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRFR3303CPBF	-	RFQ	1201	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IRLMS6802TR	-	RFQ	3153	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）			Micro6™（SOT23-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	5.6a（ta）		50mohm @ 5.1a，4.5V	1.2V @ 250µA	16 NC @ 5 V		1079 PF @ 10 V	-
IRLZ24NSTRLPBF	1.4500	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ24	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRFZ48ZSPBF	-	RFQ	6918	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
IRF7484Q	-	RFQ	4266	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7484Q	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		40 V	14A（TA）	7V	10mohm @ 14a，7v	2V @ 250µA	100 nc @ 7 V	±8V	3520 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRL3715ZSTRL	-	RFQ	8268	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IRF7453TRPBF	-	RFQ	5182	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		250 v	2.2A（ta）	10V	230MOHM @ 1.3A，10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFPS3815pbf	-	RFQ	6678	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）			SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		150 v	105A（TC）	10V	15mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	441W（TC）
Auirfz44ns	-	RFQ	8813	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521658	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRFR7446PBF	-	RFQ	5015	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576132	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		40 V	56A（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 56A，10V	3.9V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	98W（TC）
IPC90N04S53R6ATMA1	1.3100	RFQ	7065	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC90N04	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	90A（TC）	7V，10V	3.6mohm @ 45a，10v	3.4V @ 23µA	32.6 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	63W（TC）
AUIRFSA8409-7P	-	RFQ	5560	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	AUIRFSA8409	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520354	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	523a（TC）	10V	0.69MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	13975 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRL3103D2PBF	-	RFQ	6344	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103D2PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 32a，10v	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±16V	2300 PF @ 25 V	-	（2W）（70W（ta）（TC）
IRL2203NSTRRPBF	-	RFQ	7063	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576488	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
IRF540ZS	-	RFQ	7899	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF540ZS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IPT60R045CFD7XTMA1	11.9000	RFQ	9677	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R045	MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	52A（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 900µA	79 NC @ 10 V	±20V	3194 PF @ 400 V	-	270W（TC）
IRF7421D1	-	RFQ	6771	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7421D1	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.1A，10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
IRF9328PBF	-	RFQ	9103	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001555830	Ear99	8541.29.0095	95		P通道		30 V	12A（TC）	4.5V，10V	11.9MOHM @ 12A，10V	2.4V @ 25µA	52 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²