晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
IRF450	-	询价	5978	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）			TO-204AA (TO-3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		N沟道			500V	12A（温度）	10V	500mOhm@12A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	2700pF@25V	-	150W（温度）
IPD60R360P7SAUMA1	1.1600	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			600伏	9A（温度）	10V	360毫欧@2.7A，10V	4V@140μA	13nC@10V	±20V	555 pF @ 400 V	-	41W（温度）
IKW75N65RH5XKSA1	12.7000	询价	240	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW75N65	标准		395 W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，37.5A，9欧姆，15V													沟渠场站	650伏	80A	300A	2.1V@15V，75A	360μJ（开），300μJ（关）	168nC	26纳秒/180纳秒
IRFC3205B	-	询价	5122	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	过时的	-	表面贴装	死			MOSFET（金属O化物）			死	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	448-IRFC3205B	过时的		1		-			55V	110A	-	8毫欧@110A，10V	-		-		-	-
IPI80N06S3-07	-	询价	7265	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			55V	80A（温度）	10V	6.8毫欧@51A，10V	4V@80μA	170nC@10V	±20V	7768pF@25V	-	135W（温度）
BCV27E6327HTSA1	0.0815	询价	8630	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCV27			360毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	30V	500毫安						100nA（ICBO）			NPN-达林顿	1V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	170兆赫
IPP073N13NM6AKSA1	1.5675	询价	5455	英飞凌科技	*	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPP073N13NM6AKSA1			500
IRFB4310PBF	3.5900	询价	7	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB4310		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100伏	130A（温度）	10V	7毫欧@75A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	7670pF@50V	-	300W（温度）
BCR 141F E6327	-	询价	5954	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-723	BCR 141			250毫W		PG-TSFP-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	50@5mA，5V	130兆赫	22欧姆	22欧姆
IRGS4620DTRLPBF	-	询价	5735	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		140W		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001546246	EAR99	8541.29.0095	800			400V，12A，22欧姆，15V												68纳秒	-	600伏	32A	36A	1.85V@15V，12A	75μJ（开），225μJ（关）	25nC	31纳秒/83纳秒
F417MR12W1M1HB76BPSA1	147.4200	询价	24	英飞凌科技	-	托盘	的积极				F417MR12						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24
IPT60R102G7XTMA1	6.4400	询价	704	英飞凌科技	CoolMOS™ G7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSFN	IPT60R102		MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-8-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			600伏	23A（温度）	10V	102mOhm@7.8A，10V	4V@390μA	34nC@10V	±20V	1320 pF @ 400 V	-	141W（温度）
BC847CWH6433XTMA1	0.0561	询价	8621	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC847			250毫W		PG-SOT323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																	45V	100毫安						15nA（ICBO）			NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	250兆赫
F3L100R07W2E3B11BOMA1	74.0000	询价	4234	英飞凌科技	-	托盘	的积极	-40℃～150℃	安装结构	模块	F3L100			300W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	天线塔															沟渠场站	650伏	117 一个		1.9V@15V，100A				1毫安	是的	6.2nF@25V
IQE030N06NM5CGSCATMA1	2.9200	询价	9215	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	9-PowerWDFN			MOSFET（金属O化物）			PG-WHTFN-9-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6,000		N沟道			60V	21A（Ta）、132A（Tc）	6V、10V	3mOhm@20A，10V	3.3V@50μA	49nC@10V	±20V	3800pF@30V	-	2.5W（Ta）、100W（Tc）
BSS159NL6906HTSA1	-	询价	4911	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			60V	230mA（塔）	0V、10V	3.5欧姆@160mA，10V	2.4V@26μA	2.9nC@5V	±20V	44pF@25V	成熟模式	360毫W（塔）
IHW40N65R5XKSA1	4.1500	询价	200	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IHW40N65	标准		230W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，20A，10欧姆，15V												90纳秒	-	650伏	80A	120A	1.7V@15V，40A	630μJ（开），140μJ（关）	193 nC	30纳秒/258纳秒
IRF9Z34NSTRRPBF	-	询价	6101	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF9Z34		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道			55V	19A（TC）	10V	100毫欧@10A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	620pF@25V	-	3.8W（Ta）、68W（Tc）
IPA80R750P7XKSA1	1.9000	询价	第1776章	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA80R750		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	7A（温度）	10V	750毫欧@2.7A，10V	3.5V@140μA	17nC@10V	±20V	460 pF @ 500 V	-	27W（温度）
BCR 129L3 E6327	-	询价	9483	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	SC-101、SOT-883	BCR 129			250毫W		PG-TSLP-3-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	15,000																	50V	100毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	120@5mA，5V	150兆赫	10欧姆
AIMZH120R060M1TXKSA1	14.0424	询价	9696	英飞凌科技	*	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-AIMZH120R060M1TXKSA1			240
BCR533E6327HTSA1	0.4800	询价	18	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR533			330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																	50V	500毫安						100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300毫伏@2.5毫安、50毫安	70@50mA，5V	100兆赫	10欧姆	10欧姆
SIGC18T60NCX7SA2	-	询价	1895年	英飞凌科技	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死	SIGC18	标准				死	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1			300V，20A，13欧姆，15V													不扩散条约	600伏	20A	60A	2.5V@15V，20A	-		21纳秒/110纳秒
SPU11N10	-	询价	3582	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	SPU11N		MOSFET（金属O化物）			P-TO251-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			100伏	10.5A（温度）	10V	170毫欧@7.8A，10V	4V@21μA	18.3nC@10V	±20V	400pF@25V	-	50W（温度）
IRL3714STRR	-	询价	6135	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
IRF7460	-	询价	3636	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF7460	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			20V	12A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@12A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	2050pF@10V	-	2.5W（塔）
IRF8113GPBF	-	询价	1083	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001560088	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			30V	17.2A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@17.2A，10V	2.2V@250μA	36nC@4.5V	±20V	2910pF@15V	-	2.5W（塔）
BCR08PNH6327XTSA1	0.0975	询价	4156	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR08			250毫W		PG-SOT363-PO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																	50V	100毫安						-			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
BFR 183T E6327	-	询价	3507	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	绚化荧光剂183			250毫W		PG-SC-75	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				19.5分贝													12V	65毫安									NPN		50@15mA，8V	8GHz			1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IHW40N60R	2.3100	询价	15	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		305W		PG-TO247-3-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	130			400V，40A，5.6欧姆，15V													沟渠场站	600伏	80A	120A	2.05V@15V，40A	750μJ（关闭）	223nC	-/193ns

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²