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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRFC9140NB	-	RFQ	4918	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC9140NB	过时的		1		-		100 v	23a	10V	117MOHM @ 23A，10V	-		-		-	-
94-4737	-	RFQ	2760	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3303	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IRF7495pbf	-	RFQ	7674	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道		100 v	7.3a（ta）	10V	22mohm @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF3709L	-	RFQ	7948	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3709L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IRFR3711	-	RFQ	5661	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），120W（tc）
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BSC360N15NS3GATMA1	2.0700	RFQ	35	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC360	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		150 v	33A（TC）	8V，10V	36mohm @ 25a，10v	4V @ 45µA	15 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 75 V	-	74W（TC）
IRLS4030-7PPBF	-	RFQ	8432	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	190a（TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11490 pf @ 50 V	-	370W（TC）
BSC883N03LSGATMA1	-	RFQ	1376	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC883	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		34 v	17a（17a），98a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），57W（TC）
IPB22N03S4L-15	1.1300	RFQ	1	Infineon技术	*	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
IPI50R140CP	-	RFQ	2998	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		550 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 100 V	-	192W（TC）
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IPP47N10SL26AKSA1	-	RFQ	9339	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp47n	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	47A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 33a，10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W（TC）
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BCR 35pn H6327	0.0700	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR 35		250MW		PG-SOT363-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,116															50V	100mA		-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	47kohms
BCW 60d E6327	0.0400	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,013															32 v	100 ma		20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
SN7002W E6327	-	RFQ	2277	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SN7002W	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 230mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
SMBTA64E6327	-	RFQ	7147	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MBTA64		330兆		PG-SOT23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	500 MA		100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BCR 158 B6327	-	RFQ	6174	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 158		200兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000															50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IRF7754Tr	-	RFQ	6363	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775	MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			12V	5.5a		25mohm @ 5.4a，4.5V	900mv @ 250µA	22nc @ 4.5V		1984pf @ 6V	逻辑级别门
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SPP11N80C3XKSA1	3.4500	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP11N80	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	85 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 100 V	-	156W（TC）
IRF7842Tr	-	RFQ	8215	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		40 V	18A（18A）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	2.25V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4500 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
IPC100N04S52R8ATMA1	1.5100	RFQ	9279	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC100	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	100A（TC）	7V，10V	2.8mohm @ 50a，10v	3.4V @ 30µA	45 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IPB180N04S302ATMA1	5.7500	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	180a（TC）	10V	1.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF6629TR1PBF	-	RFQ	1640年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		25 v	29a（ta），180a（tc）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 29A，10V	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	4260 pf @ 13 V	-	2.8W（TA），100W（TC）
Auirls4030	-	RFQ	3120	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Auirls4030	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
BC846SH6433XTMA1	0.0852	RFQ	4733	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846		250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000															65V	100mA		15NA（icbo）			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
irll1503	-	RFQ	6701	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		通过洞	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		n通道		30 V	75a（ta）		3.3mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V		5730 PF @ 25 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²