晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
BSC007N04LS6ATMA1	3.3700	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC007		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	381A（TC）	4.5V、10V	0.7毫欧@50A，10V	2.3V@250μA	94nC@4.5V	±20V	8400pF@20V	-	188W
IPA023N04NM3SXKSA1	-	询价	6574	英飞凌科技	-	管子	的积极		-			IPA023		-				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		-						-	-	-	-		-		-	-
SMBTA14E6327HTSA1	0.1265	询价	3574	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SMBTA14			330毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																			30V	300毫安			100nA（ICBO）			NPN-达林顿	1.5V@100μA，100mA	20000@100mA，5V	125兆赫
IPD075N03LGBTMA1	0.3251	询价	7220	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD075		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000249747	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					30V	50A（温度）	4.5V、10V	7.5毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	18nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	47W（温度）
IRF6775MTRPBF	2.5900	询价	15	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MZ	IRF6775		MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MZ	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道					150伏	4.9A（Ta）、28A（Tc）	10V	56毫欧@5.6A，10V	5V@100μA	36nC@10V	±20V	1411pF@25V	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
ISZ0501NLSATMA1	0.9800	询价	6	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	ISZ0501		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-25	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2156-ISZ0501NLSATMA1-448	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					25V	40A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	2V@250μA	13.6nC@10V	±16V	910pF@12V	-	30W（温度）
IPI80N06S208AKSA2	-	询价	7072	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80N06		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					55V	80A（温度）	10V	8毫欧@58A，10V	4V@150μA	96nC@10V	±20V	2860pF@25V	-	215W（温度）
IPS12CN10LG	-	询价	4438	英飞凌科技	OptiMOS™2	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak			MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	43		N沟道					100伏	69A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@69A，10V	2.4V@83μA	58nC@10V	±20V	5600pF@50V	-	125W（温度）
IPQC60R040S7XTMA1	11.4400	询价	8678	英飞凌科技	CoolMOS™ S7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	22-PowerBSOP模块			MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	750		N沟道					600伏	14A（温度）	12V	40毫欧@13A，12V	4.5V@790μA	12V时为83nC	±20V		-	272W（温度）
IRFS4610	-	询价	9160	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFS4610	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	73A（温度）	10V	14毫欧@44A，10V	4V@100μA	140nC@10V	±20V	3550pF@50V	-	190W（温度）
FF450R12KE4PHOSA1	264.3550	询价	2866	英飞凌科技	C	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FF450R12				标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8	半桥逆变器																	沟渠场站	1200伏	450A	2.15V@15V，450A		5毫安	不	28nF@25V
PTFA092213ELV4R0XTMA1	-	询价	7540	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	30V			-		920MHz～960MHz	场效应晶体管			-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001422962	EAR99	8541.29.0075	50	N沟道		-		220W	17.5分贝											-
IRLR7821TRRPBF	-	询价	3992	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					30V	65A（温度）	4.5V、10V	10毫欧@15A，10V	1V@250μA	14nC@4.5V	±20V	1030pF@15V	-	75W（温度）
FP10R06KL4BOMA1	-	询价	2681	英飞凌科技	-	托盘	过时的					FP10R06						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		20
IPP70N10SL16AKSA1	-	询价	5142	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP70N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					100伏	70A（温度）	4.5V、10V	16毫欧@50A，10V	2V@2mA	240nC@10V	±20V	4540pF@25V	-	250W（温度）
IRFB4019PBF	2.0200	询价	2	英飞凌科技	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB4019		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					150伏	17A（温度）	10V	95毫欧@10A，10V	4.9V@50μA	20nC@10V	±20V	800pF@50V	-	80W（温度）
BC858BWH6327	0.0400	询价	15	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				250毫W		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	7,053																			30V	100毫安			15nA（ICBO）			国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	250兆赫
IRFR812TRPBF	-	询价	2687	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR812		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					500V	3.6A（温度）	10V	2.2欧姆@2.2A，10V	5V@250μA	20nC@10V	±20V	810pF@25V	-	78W（温度）
IPDD60R190G7XTMA1	3.2900	询价	167	英飞凌科技	CoolMOS™ G7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-PowerSOP模块	IPDD60		MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-10-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,700		N沟道					600伏	13A（温度）	10V	190毫欧@4.2A，10V	4V@210μA	18nC@10V	±20V	718 pF @ 400 V	-	76W（温度）
BF2040RE6814HTSA1	-	询价	6779	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	SOT-143R	BF2040	800兆赫	场效应晶体管			PG-SOT-143R-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道		40毫安	15毫安	-	23分贝											1.6分贝					5V
IPP023NE7N3G	-	询价	第1271章	英飞凌科技	OptiMOS™3	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP023N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP000938080	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					75V	120A（温度）	10V	2.3毫欧@100A，10V	3.8V@273μA	206nC@10V	±20V	14400pF@37.5V	-	300W（温度）
BFN26E6327HTSA1	0.0859	询价	8587	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BFN26			360毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000																			300伏	200毫安			100nA（ICBO）			NPN	500mV@2mA、20mA	30@30mA，10V	70兆赫兹
IPU09N03LA G	-	询价	1988年	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU09N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-21	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					25V	50A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@30A，10V	2V@20μA	13nC@5V	±20V	1642pF@15V	-	63W（温度）
IPD50R2K0CE	1.0000	询价	8946	英飞凌科技	*	大部分	的积极					IPD50R						下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人
BSS138NL6327HTSA1	-	询价	4450	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					60V	230mA（塔）	4.5V、10V	3.5欧姆@230mA，10V	1.4V@250μA	1.4nC@10V	±20V	41pF@25V	-	360毫W（塔）
BFP 196R E6501	-	询价	4254	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BFP 196			700毫W		PG-SOT-143-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						10.5分贝～16.5分贝													12V	150毫安						NPN		70@50mA，8V	7.5GHz	1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BSC070N10NS5ATMA1	1.8800	询价	7	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC070		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					100伏	80A（温度）	6V、10V	7毫欧@40A，10V	3.8V@50μA	38nC@10V	±20V	2700pF@50V	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AUIRF7313Q	-	询价	3608	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRF7313		MOSFET（金属O化物）	2.4W		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001522556	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 N 沟道（双）						30V	6.9A		29毫欧@6.9A，10V	3V@250μA	33nC@10V		755pF@25V	逻辑电平门
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1	-	询价	7978	英飞凌科技	-	托盘	过时的		-40℃～125℃	安装结构	模块	FZ800			9600W	标准	-	下载			REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	半桥																	-	3300伏	1A	4.25V@15V，800A		5毫安	不	100nF@25V
PTFA180701FV4R0XTMA1	-	询价	2330	英飞凌科技	-	条	过时的	65V			2 纸张封装，鳍片底部		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS			H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001422968	EAR99	8541.29.0095	50			10微安	550毫安	70W	16.5分贝											-					28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²