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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF7389Tr	-	RFQ	5948	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF738	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道			30V	-		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
IRFS17N20D	-	RFQ	8329	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
BFP 540F E6327	-	RFQ	9194	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 540		250MW	4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			20dB											5V	80mA		NPN		50 @ 20mA，3.5V	30GHz	0.9db〜1.4dB @ 1.8GHz
IRF6622TRPBF	-	RFQ	2917	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SQ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道		25 v	（15a）（ta），59a （TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），34W （TC）
BSZ013NE2LS5IATMA1	2.1000	RFQ	56	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ013	MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		25 v	32A（ta），40a tc）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	3400 PF @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IRFZ44ZL	-	RFQ	3287	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ44ZL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	51A（TC）	10V	13.9mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W（TC）
FF1MR12KM1HPHPSA1	1.0000	RFQ	2800	Infineon技术	-	托盘	积极的				FF1MR12	-			-	rohs3符合条件		到达不受影响				8												-
IRLR3714Trl	-	RFQ	3720	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-2307	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IRL540NPBF	1.7100	RFQ	27	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPI90R500C3XKSA1	-	RFQ	1221	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI90R	MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		900 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 740µA	68 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 100 V	-	156W（TC）
IRFR3706PBF	-	RFQ	1172	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001555072	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	75A（TC）	2.8V，10V	9mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IRF3711L	-	RFQ	6827	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3711L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	110A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IRLU3715	-	RFQ	2581	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlu3715	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRF1405LPBF	-	RFQ	8407	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BCR116E6393HTSA1	-	RFQ	1521年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010750	Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz
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IPD048N06L3GBTMA1	1.2900	RFQ	7929	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD048	MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 90a，10v	2.2V @ 58µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	8400 PF @ 30 V	-	115W（TC）
AUIRFR1010Z	-	RFQ	4580	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRFR1010Z-448	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	42A（TC）		7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPP80N06S2L09AKSA1	-	RFQ	3897	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 52A，10V	2V @ 125µA	105 NC @ 10 V	±20V	2620 PF @ 25 V	-	190w（TC）
BFN38H6327XTSA1	0.2440	RFQ	7214	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														300 v	200 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
IPW50R399CPFKSA1	-	RFQ	6122	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW50R	MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道		560 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IRL3715ZSTRLPBF	-	RFQ	5588	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IRFI1310N	-	RFQ	7393	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI1310N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	24A（TC）	10V	36mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	56W（TC）
BC817K-16E6327	0.0400	RFQ	15	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		500兆	PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,219														45 v	500 MA	100NA（ICBO）		700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
IRL7486MTRPBF	2.5900	RFQ	4	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我	IRL7486	MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距我	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道		40 V	209a（TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 123A，10V	2.5V @ 150µA	111 NC @ 4.5 V	±20V	6904 PF @ 25 V	-	104W（TC）
IPP073N13NM6AKSA1	1.5675	RFQ	5455	Infineon技术	*	管子	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ipp073n13nm6aksa1			500
BSS138NL6327HTSA1	-	RFQ	4450	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
MMBTA42LT1HTSA1	0.0830	RFQ	1207	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA42		360兆w	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	72A（TC）	10V	12MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1985 pf @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²