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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPP120N06S402AKSA2	-	RFQ	3814	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IRFZ48Z	-	RFQ	1603	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48Z	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
BSZ0602LSATMA1	1.7000	RFQ	9607	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0602			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	（13a）（ta），40a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	2340 pf @ 40 V	-	69W（TC）
auirfz48zs	-	RFQ	4845	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518766	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
BSS87H6327XTSA1	0.1749	RFQ	7217	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BSS87			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001195034	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						240 v	260mA ta）	4.5V，10V	6ohm @ 260mA，10v	1.8V @ 108µA	5.5 NC @ 10 V	±20V	97 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SMBT3904SH6327XTSA1	0.0800	RFQ	5595	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	SMBT 3904				330MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				40V	200mA							50NA（iCBO）	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC817SUE6327HTSA1	0.2166	RFQ	5813	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC817				1 w	PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																				45 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
IRLR3303TRLPBF	-	RFQ	7962	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001577002	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	35A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 21a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRL7486MTRPBF	2.5900	RFQ	4	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我	IRL7486			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距我	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道						40 V	209a（TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 123A，10V	2.5V @ 150µA	111 NC @ 4.5 V	±20V	6904 PF @ 25 V	-	104W（TC）
IRG4BC30F-SPBF	-	RFQ	2890	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	标准			100 W	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，17a，23ohm，15v															-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
auxbnls3036trl	-	RFQ	7405	Infineon技术	*	管子	积极的					Auxbnls3036						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522984	Ear99	8541.29.0095	50
IRF7831pbf	-	RFQ	1673年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551568	Ear99	8541.29.0095	95		n通道						30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	2.35V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±12V	6240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPA80R1K2P7XKSA1	1.5800	RFQ	500	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R1			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.7A，10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 500 V	-	25W（TC）
BCX6825E6327HTSA1	-	RFQ	2233	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX68				3 W	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				20 v	1 a							100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	160 @ 500mA，1V	100MHz
FP25R12KT4B16BOSA1	-	RFQ	5679	Infineon技术	Econopim™2	托盘	在sic中停产					FP25R12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	10
SPP02N80C3XKSA1	-	RFQ	8098	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp02n			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						800 v	2A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	3.9V @ 120µA	16 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IPP65R190CFDXKSA1	2.5301	RFQ	5739	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R190			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 730µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
RF3710pbf	1.0000	RFQ	3283	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
IRF7828pbf	-	RFQ	9069	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7828			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道						30 V	13.6a（ta）	4.5V	12.5mohm @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPD60R450E6ATMA1	-	RFQ	3599	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	9.2A（TC）	10V	450MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 280µA	28 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 100 V	-	74W（TC）
BSC0923NDIATMA1	1.5800	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0923			MOSFET （金属 o化物）	1W	PG-Tison-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							30V	17a，32a		5mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	10NC @ 4.5V		1160pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IRFZ48NLPBF	-	RFQ	4972	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
IRLR2905TRPBF	1.5600	RFQ	31	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR2905			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						55 v	42A（TC）	4V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
PTFA142401FLV4XWSA1	-	RFQ	2001	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰			1.5GHz	ldmos		H-34288-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35			10µA		2 a	240W	16.5db											-									30 V
IPZ65R019C7XKSA1	26.9500	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZ65R019			MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	75A（TC）	10V	19mohm @ 58.3a，10V	4V @ 2.92mA	215 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 400 V	-	446W（TC）
BCR48PNE6327BTSA1	-	RFQ	7847	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR48				250MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	70mA，100mA							-	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100MHz，200MHz	47KOHM，2.2KOHM	47kohms
BFR 705L3RH E6327	-	RFQ	1213	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BFR 705				40MW	PG-TSLP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000							25DB													4.7V	10mA								NPN		160 @ 7mA，3v	39GHz			0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz
auirfs8408-7trr	-	RFQ	3357	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS8408			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-900	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRFS3307pbf	-	RFQ	4930	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001557274	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	120A（TC）	10V	6.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRL3202PBF	-	RFQ	3653	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						20 v	48A（TC）	4.5V，7V	16mohm @ 29a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	43 NC @ 4.5 V	±10V	2000 pf @ 15 V	-	69W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²