晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
IRF530NS	-	询价	3116	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF530NS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	17A（温度）	10V	90毫欧@9A，10V	4V@250μA	37nC@10V	±20V	920pF@25V	-	3.8W（Ta）、70W（Tc）
BSC360N15NS3GATMA1	2.0700	询价	35	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC360	MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	33A（温度）	8V、10V	36毫欧@25A，10V	4V@45μA	15nC@10V	±20V	75V时为1190pF	-	74W（温度）
IRL5602STRR	-	询价	6776	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	20V	24A（温度）	2.5V、4.5V	42毫欧@12A，4.5V	1V@250μA	44nC@4.5V	±8V	1460pF@15V	-	75W（温度）
IRFH7882TRPBF	-	询价	8566	英飞凌科技	快速场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-超薄四方无突破		MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	80V	26A（塔）	10V	3.1毫欧@50A，10V	3.6V@250μA	74nC@10V	±20V	3186pF@40V	-	4W（Ta）、195W（Tc）
IRF2907ZS-7PPBF	-	询价	9770	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK（7导联）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	75V	160A（温度）	10V	3.8毫欧@110A，10V	4V@250μA	260nC@10V	±20V	7580pF@25V	-	300W（温度）
IPP50R399CPHKSA1	-	询价	9134	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP50R	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	560伏	9A（温度）	10V	399毫欧@4.9A，10V	3.5V@330μA	23nC@10V	±20V	100V时为890pF	-	83W（温度）
BDP947E6327HTSA1	-	询价	3443	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BDP947		5W		PG-SOT223-4-10	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000														45V	3A		100nA（ICBO）			NPN	500mV@200mA，2A	100@500mA，1V	100兆赫兹
IRFI7536GPBF	-	询价	6732	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）			TO-220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	86A（温度）	10V	3.4毫欧@75A，10V	4V@150μA	195nC@10V	±20V	6600pF@48V	-	75W（温度）
BSC026N04LSATMA1	1.7500	询价	9091	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC026	MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	23A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@50A，10V	2V@250μA	32nC@10V	±20V	2300pF@20V	-	2.5W（Ta）、63W（Tc）
BUZ73L	-	询价	2486	英飞凌科技	SIPMOS®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	200V	7A（温度）	5V	400mOhm@3.5A，5V	2V@1mA		±20V	840pF@25V	-	40W（温度）
IRF7325	-	询价	6236	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF732	MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95	2 个 P 沟道（双）		12V	7.8A		24毫欧@7.8A，4.5V	900mV@250μA	33nC@4.5V		2020pF@10V	逻辑电平门
IRFB42N20DPBF	-	询价	5948	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	200V	44A（温度）	10V	55毫欧@26A，10V	5.5V@250μA	140nC@10V	±30V	3430pF@25V	-	2.4W（Ta）、330W（Tc）
IRFSL17N20D	-	询价	6010	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFSL17N20D	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	200V	16A（温度）	10V	170毫欧@9.8A，10V	5.5V@250μA	50nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	3.8W（Ta）、140W（Tc）
IRF3707ZCSPBF	-	询价	2282	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3707ZCSPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	30V	59A（TC）	4.5V、10V	9.5毫欧@21A，10V	2.25V@25μA	15nC@4.5V	±20V	1210pF@15V	-	57W（温度）
BSP316PE6327T	-	询价	6406	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	100伏	680mA（塔）	4.5V、10V	1.8欧姆@680mA，10V	2V@170μA	6.4nC@10V	±20V	146pF@25V	-	1.8W（塔）
IRFB23N20DPBF	-	询价	7283	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	200V	24A（温度）	10V	100毫欧@14A，10V	5.5V@250μA	86nC@10V	±30V	1960pF@25V	-	3.8W（Ta）、170W（Tc）
BC817UPNE6327HTSA1	0.5000	询价	216	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	BC817		330毫W		PG-SC74-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000														45V	500毫安		100nA（ICBO）			NPN、PNP	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	170兆赫
FP15R12KE3GBOSA1	73.6600	询价	6	英飞凌科技	EconoPIM™2	大部分	SIC停产	-40℃～125℃	安装结构	模块	FP15R12		105W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔												沟渠场站	1200伏	25A	2.15V@15V，15A	1毫安	是的	1.1nF@25V
IRF7457PBF	-	询价	8610	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001570360	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道	20V	15A（塔）	4.5V、10V	7毫欧@15A、10V	3V@250μA	42nC@4.5V	±20V	10V时为3100pF	-	2.5W（塔）
SPP07N60S5	-	询价	6771	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP07N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	5.5V@350μA	35nC@10V	±20V	970pF@25V	-	83W（温度）
AUIRFN8401TR	-	询价	8401	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	AUIRFN8401	MOSFET（金属O化物）			PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522256	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	40V	84A（温度）	10V	4.6毫欧@50A，10V	3.9V@50μA	66nC@10V	±20V	2170pF@25V	-	4.2W（Ta）、63W（Tc）
IRF3707L	-	询价	7773	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3707L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	30V	62A（温度）	4.5V、10V	12.5毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1990pF@15V	-	87W（温度）
IRLZ44NSTRLPBF	1.6300	询价	第788章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRLZ44	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	55V	47A（温度）	4V、10V	22毫欧@25A，10V	2V@250μA	48nC@5V	±16V	1700pF@25V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）
IPA60R190C6	1.0000	询价	6074	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载						0000.00.0000	1		N沟道	600伏	20.2A（温度）	10V	190毫欧@9.5A，10V	3.5V@630μA	63nC@10V	±20V	1400 pF @ 100 V	-	34W（温度）
IRL1404ZSTRLPBF	2.5800	询价	7	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRL1404	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	75A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@75A，10V	2.7V@250μA	110nC@5V	±16V	5080pF@25V	-	230W（温度）
IRF9328PBF	-	询价	9103	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001555830	EAR99	8541.29.0095	95		P沟道	30V	12A（温度）	4.5V、10V	11.9毫欧@12A，10V	2.4V@25μA	52nC@10V	±20V	1680pF@25V	-	2.5W（塔）
SPI08N50C3IN	-	询价	2654	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	280		N沟道	500V	7.6A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	3.9V@350μA	32nC@10V	±20V	750pF@25V	-	83W（温度）
BSO211PNTMA1	0.8600	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO211	MOSFET（金属O化物）	2W		PG-DSO-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 P 沟道（双）		20V	4.7A		67毫欧@4.7A，4.5V	1.2V@25μA	23.9nC@4.5V		920pF@15V	逻辑电平门
IPB120N06S4H1ATMA1	-	询价	7318	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB120N	MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	60V	120A（温度）	10V	2.1毫欧@100A，10V	4V@200μA	270nC@10V	±20V	21900pF@25V	-	250W（温度）
BSC019N02KSGAUMA1	0.9513	询价	7379	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC019	MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	20V	30A（Ta）、100A（Tc）	2.5V、4.5V	1.95毫欧@50A，4.5V	1.2V@350μA	85nC@4.5V	±12V	13000pF@10V	-	2.8W（Ta）、104W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²