晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
IPC100N04S51R2ATMA1	2.8700	询价	6869	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	工控机100		MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-34	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					40V	100A（温度）	7V、10V	1.2毫欧@50A，10V	3.4V@90μA	131nC@10V	±20V	7650pF@25V	-	150W（温度）
PTFA190451FV4XWSA1	-	询价	7231	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA190451	1.96GHz	LDMOS			H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80			10微安	450毫安	11W	17.5分贝											-					28V
IRFB4215PBF	-	询价	4684	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	115A（温度）	10V	9毫欧@54A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	4080pF@25V	-	270W（温度）
IPU80R600P7AKMA1	1.9200	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU80R600		MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					800V	8A（温度）	10V	600毫欧@3.4A，10V	3.5V@170μA	20nC@10V	±20V	570 pF @ 500 V	-	60W（温度）
AUIRFP4568	11.6800	询价	37	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AUIRFP4568		MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道					150伏	171A（TC）	10V	5.9毫欧@103A，10V	5V@250μA	227nC@10V	±30V	10470pF@50V	-	517W（温度）
AUIRFN8401TR	-	询价	8401	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	AUIRFN8401		MOSFET（金属O化物）			PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001522256	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					40V	84A（温度）	10V	4.6毫欧@50A，10V	3.9V@50μA	66nC@10V	±20V	2170pF@25V	-	4.2W（Ta）、63W（Tc）
IPB120N06S4H1ATMA1	-	询价	7318	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB120N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					60V	120A（温度）	10V	2.1毫欧@100A，10V	4V@200μA	270nC@10V	±20V	21900pF@25V	-	250W（温度）
SPP08N50C3XKSA1	-	询价	6305	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP08N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道					560伏	7.6A（温度）	10V	600毫欧@4.6A，10V	3.9V@350μA	32nC@10V	±20V	750pF@25V	-	83W（温度）
IPW50R280CE	0.7700	询价	108	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					500V	18.1A（温度）	13V	280毫欧@4.2A，13V	3.5V@350μA	10V时为32.6nC	±20V	773pF@100V	-	119W（温度）
IRFL014NTRPBF	0.9400	询价	1	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	红外荧光灯014		MOSFET（金属O化物）			SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					55V	1.9A（塔）	10V	160毫欧@1.9A，10V	4V@250μA	11nC@10V	±20V	190pF@25V	-	1W（塔）
IRFU3303PBF	-	询价	3503	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					30V	33A（温度）	10V	31毫欧@18A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±20V	750pF@25V	-	57W（温度）
IRF7726	-	询价	1764	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			微8™	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF7726	EAR99	8541.29.0095	80		P沟道					30V	7A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@7A，10V	2.5V@250μA	69nC@10V	±20V	2204pF@25V	-	1.79W（塔）
BSL205NH6327XTSA1	-	询价	6552	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL205		MOSFET（金属O化物）	500毫W		PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001100646	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						20V	2.5A		50毫欧@2.5A，4.5V	1.2V@11μA	3.2nC@4.5V		419pF@10V	逻辑电平门，4.5V驱动
IRL1104S	-	询价	1816	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRL1104S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	104A（高温）	4.5V、10V	8毫欧@62A，10V	1V@250μA	68nC@4.5V	±16V	3445pF@25V	-	2.4W（Ta）、167W（Tc）
IPB100N06S205ATMA1	-	询价	9256	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB100N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					55V	100A（温度）	10V	4.7毫欧@80A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	5110pF@25V	-	300W（温度）
IRFS4610	-	询价	9160	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFS4610	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	73A（温度）	10V	14毫欧@44A，10V	4V@100μA	140nC@10V	±20V	3550pF@50V	-	190W（温度）
IRF7306TR	-	询价	2490	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF73		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001551228	EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）						30V	3.6A		100毫欧@1.8A，10V	1V@250μA	25nC@10V		440pF@25V	逻辑电平门
IRF7459TR	-	询价	6674	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道					20V	12A（塔）	2.8V、10V	9毫欧@12A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2480pF	-	2.5W（塔）
IRL1404PBF	-	询价	3492	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道					40V	160A（温度）	4.3V、10V	4mOhm@95A，10V	3V@250μA	140nC@5V	±20V	6590pF@25V	-	200W（温度）
BCX51E6327HTSA1	-	询价	9233	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX51			2W		PG-SOT89	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																			45V	1A			100nA（ICBO）			国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	40@150mA，2V	125兆赫
辅助WYFP1405	-	询价	1984年	英飞凌科技	-	管子	过时的					辅助WYFP						-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1								-
IPI65R310CFDXKSA1700	-	询价	1215	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					650伏	11.4A（温度）	10V	310毫欧@4.4A，10V	4.5V@440μA	41nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	104.2W（温度）
IRL2203NSTRLPBF	-	询价	2969	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					30V	116A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@60A，10V	3V@250μA	60nC@4.5V	±16V	3290pF@25V	-	3.8W（Ta）、180W（Tc）
FP25R12W1T7B3BPSA1	61.1000	询价	24	英飞凌科技	EasyPIM™	托盘	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	FP25R12			20毫W	东部桥式调整器	AG-EASY1B	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	天线塔																	沟渠场站	1200伏	25A	-		5.6微安	是的	4.77nF@25V
IRLU7821	-	询价	4216	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）			I-PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					30V	65A（温度）	4.5V、10V	10毫欧@15A，10V	1V@250μA	14nC@4.5V	±20V	1030pF@15V	-	75W（温度）
IRFR2405TRLPBF	1.6000	询价	3	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR2405		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					55V	56A（温度）	10V	16毫欧@34A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	2430pF@25V	-	110W（温度）
IRFR3504ZTR	-	询价	6012	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					40V	42A（温度）	10V	9毫欧@42A，10V	4V@50μA	45nC@10V	±20V	1510pF@25V	-	90W（温度）
IRFSL17N20D	-	询价	6010	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFSL17N20D	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					200V	16A（温度）	10V	170毫欧@9.8A，10V	5.5V@250μA	50nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	3.8W（Ta）、140W（Tc）
IRFR3704TRRPBF	-	询价	4721	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					20V	75A（温度）	10V	9.5毫欧@15A，10V	3V@250μA	19nC@4.5V	±20V	1996pF@10V	-	90W（温度）
IRF530NS	-	询价	3116	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF530NS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	17A（温度）	10V	90毫欧@9A，10V	4V@250μA	37nC@10V	±20V	920pF@25V	-	3.8W（Ta）、70W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²