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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPP60R450E6XKSA1	-	RFQ	3145	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	9.2A（TC）	10V	450MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 280µA	28 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 100 V	-	74W（TC）
BCP54H6327XTSA1	0.2968	RFQ	3483	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP54				2 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				45 v	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FS215R04A1E3DBOMA1	-	RFQ	3742	Infineon技术	*	托盘	在sic中停产												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	16
IRFS7534pbf	-	RFQ	2180	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	195a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 pf @ 25 V	-	294W（TC）
BC860BE6327	0.0500	RFQ	76	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,105																				45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
FS600R07A2E3B32BOSA1	-	RFQ	5547	Infineon技术	*	托盘	过时的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3
BCR 135T E6327	-	RFQ	9142	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 135				250兆		PG-SC-75	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
IRLZ44NSTRRPBF	-	RFQ	9059	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001552954	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						55 v	47A（TC）	4V，10V	22mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
BSC052N03LSATMA1	1.0800	RFQ	112	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC052			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	（17a）（ta），57a（tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FP75R07N2E4B16BOSA1	-	RFQ	2818	Infineon技术	Econopim™2	托盘	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R07				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																		沟渠场停止	650 v	95 a		1.95V @ 15V，75a					1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
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BSP295L6327HTSA1	-	RFQ	7862	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.8A，10V	1.8V @ 400µA	17 NC @ 10 V	±20V	368 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
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IRF7413Z	-	RFQ	4520	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7413Z	Ear99	8541.29.0095	95		n通道						30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLI520NPBF	-	RFQ	2431	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						100 v	8.1A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	30W（TC）
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ICA30V01X1SA1	-	RFQ	4275	Infineon技术	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000906842	过时的	0000.00.0000	1
IPP100N04S2L03AKSA1	-	RFQ	2849	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
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IRFSL3307	-	RFQ	9127	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL3307	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	130a（TC）	10V	6.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	250W（TC）
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IRFZ44VZL	-	RFQ	5062	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfz44vzl	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
64-2092pbf	-	RFQ	3805	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3205			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRFS7762PBF	-	RFQ	5475	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	85A（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 51A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4440 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFR12N25DPBF	-	RFQ	7844	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR12N25DPBF	Ear99	8541.29.0095	75		n通道						250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
BSC016N03LSGATMA1	1.7300	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC016			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	32A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
IRFU5505pbf	-	RFQ	2235	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU5505			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²