晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPSA70R600P7SAKMA1	0.9500	询价	4665	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPSA70		MOSFET（金属O化物）		PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		700伏	8.5A（温度）	10V	600毫欧@1.8A，10V	3.5V@90μA	10.5nC@400V	±16V	364 pF @ 400 V	-	43.1W（温度）
IPP100N04S204AKSA1	-	询价	3985	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP100N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		40V	100A（温度）	10V	3.6毫欧@80A，10V	4V@250μA	172nC@10V	±20V	5300pF@25V	-	300W（温度）
IPI80P03P4L07AKSA1	-	询价	6724	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80P		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		P沟道		30V	80A（温度）	4.5V、10V	7.2毫欧@80A，10V	2V@130μA	80nC@10V	+5V，-16V	5700pF@25V	-	88W（温度）
IPW60R037P7XKSA1	12.7600	询价	第488章	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW60R037		MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		650伏	76A（温度）	10V	37毫欧@29.5A，10V	4V@1.48mA	121nC@10V	±20V	5243pF@400V	-	255W（温度）
BCR08PNE6327BTSA1	-	询价	8828	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BCR08			250毫W	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安						-	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
IRF3707ZSTRRP	-	询价	3064	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		30V	59A（TC）	4.5V、10V	9.5毫欧@21A，10V	2.25V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1210pF@15V	-	57W（温度）
IRFB3307	-	询价	8632	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFB3307	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	130A（温度）	10V	6.3毫欧@75A，10V	4V@150μA	180nC@10V	±20V	5150pF@50V	-	250W（温度）
SPD03N60C3BTMA1	-	询价	2270	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SPD03N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		650伏	3.2A（温度）	10V	1.4欧姆@2A，10V	3.9V@135μA	17nC@10V	±20V	400pF@25V	-	38W（温度）
IRG4BC20K	-	询价	3496	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4BC20K	EAR99	8541.29.0095	50			480V，9A，50欧姆，15V											-	600伏	16A	32A	2.8V@15V，9A	150μJ（开），250μJ（关）	34nC	28纳秒/150纳秒
IRLR3103TRLPBF	-	询价	7601	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001558904	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	55A（温度）	4.5V、10V	19毫欧@33A，10V	1V@250μA	50nC@4.5V	±16V	1600pF@25V	-	107W（温度）
IRF7809	-	询价	7415	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		30V	17.6A（塔）	4.5V	7.5毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	86nC@5V	±12V	7300pF@16V	-	3.5W（塔）
IRFR3710ZTR	-	询价	1697	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		100伏	42A（温度）	10V	18毫欧@33A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	2930pF@25V	-	140W（温度）
IRF7424TRPBF	1.4600	询价	37	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7424		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道		30V	11A（塔）	4.5V、10V	13.5毫欧@11A，10V	2.5V@250μA	110nC@10V	±20V	4030pF@25V	-	2.5W（塔）
IRLR8113TR	-	询价	4221	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001558970	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		30V	94A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@15A，10V	2.25V@250μA	32nC@4.5V	±20V	2920pF@15V	-	89W（温度）
BSP320S E6433	-	询价	7031	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）		PG-SOT223-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		60V	2.9A（塔）	10V	120毫欧@2.9A，10V	4V@20μA	12nC@10V	±20V	340pF@25V	-	1.8W（塔）
IRL7833LPBF	-	询价	4311	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		30V	150A（温度）	4.5V、10V	3.8毫欧@38A，10V	2.3V@250μA	47nC@4.5V	±20V	15V时为4170pF	-	140W（温度）
IRL520NPBF	1.1300	询价	7	英飞凌科技	HEXFET®	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRL520		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	10A（温度）	4V、10V	180mOhm@6A，10V	2V@250μA	20nC@5V	±16V	440pF@25V	-	48W（温度）
IRL3715STRLPBF	-	询价	2246	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		20V	54A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@26A，10V	3V@250μA	17nC@4.5V	±20V	10V时为1060pF	-	3.8W（Ta）、71W（Tc）
IPI90N06S404AKSA1	-	询价	4086	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI90N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		60V	90A（温度）	10V	4mOhm@90A，10V	4V@90μA	128nC@10V	±20V	10400pF@25V	-	150W（温度）
IRF5810	-	询价	2723	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	IRF58		MOSFET（金属O化物）	960毫W	6-TSOP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	100	2 个 P 沟道（双）			20V	2.9A		90毫欧@2.9A，4.5V	1.2V@250μA	9.6nC@4.5V		650pF@16V	逻辑电平门
IPI06CN10N G	-	询价	3666	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI06C		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		100伏	100A（温度）	10V	6.5毫欧@100A，10V	4V@180μA	139nC@10V	±20V	9200pF@50V	-	214W（温度）
IRLR4343-701PBF	-	询价	9080	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-4，DPak（3引脚+片）			MOSFET（金属O化物）		爱帕克 (LF701)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		55V	26A（温度）	4.5V、10V	50毫欧@4.7A，10V	1V@250μA	42nC@10V	±20V	740 pF @ 50 V	-	79W（温度）
IRL3715ZSTRRPBF	-	询价	5710	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		20V	50A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@15A，10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V	±20V	10V时为870pF	-	45W（温度）
SPD30N06S2L-23	-	询价	9562	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器30N		MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-11	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		55V	30A（温度）	4.5V、10V	23毫欧@22A，10V	2V@50μA	42nC@10V	±20V	1390pF@25V	-	100W（温度）
IPP77N06S212AKSA2	2.6600	询价	500	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP77N06		MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		55V	77A（温度）	10V	12毫欧@38A，10V	4V@93μA	60nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	158W（温度）
BSS806NH6327XTSA1	0.4600	询价	第587章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS806		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	2.3A（塔）	1.8V、2.5V	57毫欧@2.3A、2.5V	750mV@11μA	1.7nC@2.5V	±8V	529pF@10V	-	500毫W（塔）
IRFR4620TRLPBF	1.8100	询价	4	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR4620		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		200V	24A（温度）	10V	78毫欧@15A，10V	5V@100μA	38nC@10V	±20V	1710pF@50V	-	144W（温度）
IRF7311PBF	-	询价	6047	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF731		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001572034	EAR99	8541.29.0095	95	2 个 N 沟道（双）			20V	6.6A		29毫欧@6A，4.5V	700mV@250μA	27nC@4.5V		900pF@15V	逻辑电平门
IPL65R210CFDAUMA2	1.9840	询价	6383	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD2	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	4-PowerTSFN	IPL65R210		MOSFET（金属O化物）		PG-VSON-4	下载	符合ROHS3标准	2A（4周）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		650伏	16.6A（温度）	10V	210毫欧@7.3A，10V	4.5V@700μA	68nC@10V	±20V	1850pF@100V	-	151W（温度）
IRF4104S	-	询价	6017	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF4104S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		40V	75A（温度）	10V	5.5毫欧@75A，10V	4V@250μA	100nC@10V	±20V	3000pF@25V	-	140W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²