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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
irfr13n20dtrl	-	RFQ	2469	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		200 v	13A（TC）	10V	235mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRL3705ZSTRL	-	RFQ	4004	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	75A（TC）		8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V		2880 pf @ 25 V	-
IRFR9120NTRL	-	RFQ	8990	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		100 v	6.6A（TC）	10V	480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IPL60R065C7AUMA1	9.6200	RFQ	2394	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R065	MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4-1	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		600 v	29A（TC）	10V	65mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2850 PF @ 400 V	-	180W（TC）
IRF7555553TRPBF	-	RFQ	2102	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7555	MOSFET （金属 o化物）	1.25W		micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			20V	4.3a		55MOHM @ 4.3A，4.5V	1.2V @ 250µA	15nc @ 5V		1066pf @ 10V	逻辑级别门
IRF7311TR	-	RFQ	7610	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF731	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562178	Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			20V	6.6a		29MOHM @ 6A，4.5V	700MV @ 250µA	27nc @ 4.5V		900pf @ 15V	逻辑级别门
SPI07N60C3HKSA1	-	RFQ	7488	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI07N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IRFR3706	-	RFQ	1890年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR3706	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	75A（TC）	2.8V，10V	9mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IRF3707ZLPBF	-	RFQ	2482	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IPP070N06NGIN	-	RFQ	4678	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FF225R65T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF225R65		1000000 w	标准	AG-XHP3K65	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2独立													沟渠场停止	5900 v	225 a	3.4V @ 15V，225a	5 ma	不	65.6 NF @ 25 V
IRF7324pbf	-	RFQ	1111	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,800	2（p 通道（双）			20V	9a		18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	63nc @ 5V		2940pf @ 15V	逻辑级别门
IRF9953TRPBF	0.8300	RFQ	60	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			30V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	1V @ 250µA	12nc @ 10V		190pf @ 15V	-
IRF7104PBF	-	RFQ	8767	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF71	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）			20V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	25nc @ 10V		290pf @ 15V	逻辑级别门
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IRF2807ZLPBF	-	RFQ	6876	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF9953PBF	-	RFQ	8936	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565680	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）			30V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	1V @ 250µA	12nc @ 10V		190pf @ 15V	-
IRF7389Tr	-	RFQ	5948	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF738	MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道			30V	-		29mohm @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
IRLR4343TRR	-	RFQ	9984	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
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SPP07N60S5	-	RFQ	6771	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IRL3715Trl	-	RFQ	9177	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
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IPB034N06N3G	0.8800	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
BSC050N04LSGATMA1	0.9500	RFQ	117	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC050	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	18A（18A），85A（85A）（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 50a，10v	2V @ 27µA	47 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 20 V	-	2.5W（TA），57W（TC）
IRF450	-	RFQ	5978	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道		500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRF7311pbf	-	RFQ	6047	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF731	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572034	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）			20V	6.6a		29MOHM @ 6A，4.5V	700MV @ 250µA	27nc @ 4.5V		900pf @ 15V	逻辑级别门
IPA50R190CEXKSA2	2.3700	RFQ	490	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R190	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	18.5A（TC）	13V	190mohm @ 6.2a，13v	3.5V @ 510µA	47.2 NC @ 10 V	±20V	1137 PF @ 100 V	-	32W（TC）
IRF1404L	-	RFQ	1051	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1404L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	162a（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²