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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FZ2400R17HP4B29BOSA2	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ2400			15500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														沟渠场停止	1700 v	4800 a		2.25V @ 15V，2400A				5 ma	不	195 NF @ 25 V
IRG6S320UPBF	-	RFQ	7420	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG6S320	标准		114 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001533800	Ear99	8541.29.0095	50			196V，12a，10ohm												沟	330 v	50 a		1.65V @ 15V，24a	-	46 NC	24NS/89NS
IPP073N13NM6AKSA1	1.5675	RFQ	5455	Infineon技术	*	管子	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ipp073n13nm6aksa1			500
IRFR3910TRPBF	1.3400	RFQ	12	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3910		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRLML0060TRPBF	0.4500	RFQ	72	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML0060		MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	92MOHM @ 2.7A，10V	2.5V @ 25µA	2.5 NC @ 4.5 V	±16V	290 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IPP04CN10NG	-	RFQ	8610	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP04C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	100A（TC）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRG8P25N120KDPBF	-	RFQ	5025	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG8P	标准		180 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540660	Ear99	8541.29.0095	25			600V，15a，10ohm，15V											70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
IPS04N03LA g	-	RFQ	6542	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS04N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	50A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 50a，10v	2V @ 80µA	41 NC @ 5 V	±20V	5199 PF @ 15 V	-	115W（TC）
IPD135N08N3GBTMA1	-	RFQ	4889	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD135N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	45A（TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 45A，10V	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
IPA50R190CEXKSA2	2.3700	RFQ	490	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R190		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	18.5A（TC）	13V	190mohm @ 6.2a，13v	3.5V @ 510µA	47.2 NC @ 10 V	±20V	1137 PF @ 100 V	-	32W（TC）
BSC883N03LSGATMA1	-	RFQ	1376	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC883		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		34 v	17a（17a），98a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），57W（TC）
BC 808-40 B6327	-	RFQ	8129	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 808			330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																25 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	200MHz
IPI126N10N3G	1.0000	RFQ	3945	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	58A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
SIGC81T60NCX1SA5	-	RFQ	9990	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC81T60	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			300V，100A，2.2OHM，15V												npt	600 v	100 a	300 a	2.5V @ 15V，100a	-		95NS/200NS
IRFB3307	-	RFQ	8632	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB3307	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	130a（TC）	10V	6.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	250W（TC）
FF300R12KS4PHOSA1	251.0700	RFQ	3541	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF300R12				标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	半桥逆变器														-	1200 v	300 a		3.75V @ 15V，300A				5 ma	不	20 nf @ 25 V
IRFH7085TRPBF	1.9700	RFQ	5715	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH7085		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		60 V	100A（TC）	6V，10V	3.2MOHM @ 75A，10V	3.7V @ 150µA	165 NC @ 10 V	±20V	6460 pf @ 25 V	-	156W（TC）
FF1800R23IE7BPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3+ b	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1800R				标准	Ag-Prime3+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	2	2独立														-	2300 v	1800 a		2.26V @ 15V，1.8KA				30 ma	不	420 NF @ 25 V
IPB80N06S2H5ATMA1	-	RFQ	1711年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SPD04N50C3ATMA1	1.7100	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N50		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF7451TRPBF	1.6300	RFQ	12	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7451		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		150 v	3.6a（ta）	10V	90MOHM @ 2.2a，10V	5.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	990 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPA60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	7736	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R280		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	12A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 190µA	18 nc @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 V	-	24W（TC）
BSO4804	-	RFQ	9471	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO4804		MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	8a		20mohm @ 8a，10v	2V @ 30µA	17NC @ 5V		870pf @ 25V	逻辑级别门
FZ2000R33HE4BOSA1	2.0000	RFQ	10	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ2000			4.2兆w	标准	AG-IHVB190-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														沟渠场停止	3300 v	2000 a		2.2V @ 15V，2KA（类型）				5 ma	不	280 NF @ 25 V
IRGP4266PBF	-	RFQ	8415	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		450 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，75A，10欧姆，15V												-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	3.2MJ（在）上，1.7MJ off）	210 NC	80NS/200NS
SPN01N60C3	-	RFQ	5670	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SPN01N		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	300mA（TA）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.7V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
FB50R07W2E3B23BOMA1	80.0900	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15
BC 808-25 E6433	-	RFQ	7195	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 808			330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																25 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
IRFB42N20DPBF	-	RFQ	5948	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	44A（TC）	10V	55mohm @ 26a，10v	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3430 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），330W（tc）
FS75R12KE3GBOSA1	186.7800	RFQ	7084	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS75R12			355 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														-	1200 v	100 a		2.15V @ 15V，75a				5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²