晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
IPB60R230P6ATMA1	-	询价	9288	英飞凌科技	CoolMOS™ P6	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-4、D²Pak（3引脚+接片）、TO-263AA	IPB60R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001364466	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	600伏	16.8A（温度）	10V	230毫欧@6.4A，10V	4.5V@530μA	31nC@10V	±20V	1450 pF @ 100 V	-	126W（温度）
IPB60R160P6ATMA1	4.2300	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™ P6	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB60R160	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	600伏	23.8A（温度）	10V	160mOhm@9A，10V	4.5V@750μA	44nC@10V	±20V	2080pF@100V	-	176W（温度）
IRFU3607PBF	1.6600	询价	17号	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRFU3607	MOSFET（金属O化物）		IPAK (TO-251AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道	75V	56A（温度）	10V	9毫欧@46A，10V	4V@100μA	84nC@10V	±20V	3070pF@50V	-	140W（温度）
IPI80N06S3-07	-	询价	7265	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI80N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道	55V	80A（温度）	10V	6.8毫欧@51A，10V	4V@80μA	170nC@10V	±20V	7768pF@25V	-	135W（温度）
IRL3102STRL	-	询价	9348	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	20V	61A（温度）	4.5V、7V	13毫欧@37A，7V	700mV @ 250μA（极低）	58nC@4.5V	±10V	2500pF@15V	-	89W（温度）
IPP80P03P4L04AKSA1	3.1200	询价	2959	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80P03	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	P沟道	30V	80A（温度）	4.5V、10V	4.4毫欧@80A，10V	2V@253μA	160nC@10V	+5V，-16V	11300pF@25V	-	137W（温度）
SPP04N50C3HKSA1	-	询价	7417	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP04N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道	560伏	4.5A（温度）	10V	950毫欧@2.8A，10V	3.9V@200μA	22nC@10V	±20V	470pF@25V	-	50W（温度）
IRF3711ZSTRL	-	询价	6851	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	20V	92A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@15A，10V	2.45V@250μA	24nC@4.5V	±20V	2150pF@10V	-	79W（温度）
IRF7807D2PBF	-	询价	6848	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001555606	EAR99	8541.29.0095	95	N沟道	30V	8.3A（塔）	4.5V	25毫欧@7A，4.5V	1V@250μA	17nC@5V	±12V		肖特基分散（隔离）	2.5W（塔）
IPA60R125CPXKSA1	4.5588	询价	5027	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	N沟道	650伏	25A（温度）	10V	125毫欧@16A，10V	3.5V@1.1mA	70nC@10V	±20V	2500pF@100V	-	35W（温度）
IRLZ44ZL	-	询价	6602	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRLZ44ZL	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	55V	51A（温度）	4.5V、10V	13.5毫欧@31A，10V	3V@250μA	36nC@5V	±16V	1620pF@25V	-	80W（温度）
IPB037N06N3GATMA1	1.9300	询价	9600	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB037	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	60V	90A（温度）	10V	3.7毫欧@90A，10V	4V@90μA	98nC@10V	±20V	11000pF@30V	-	188W（温度）
IPD06N03LA G	-	询价	2751	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD06N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	25V	50A（温度）	4.5V、10V	5.7毫欧@30A，10V	2V@40μA	22nC@5V	±20V	15V时为2653pF	-	83W（温度）
IPP60R120P7XKSA1	4.1600	询价	第456章	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP60R120	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	600伏	26A（温度）	10V	120mOhm@8.2A，10V	4V@410μA	36nC@10V	±20V	1544 pF @ 400 V	-	95W（温度）
IRFU5505	-	询价	9485	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		IPAK (TO-251AA)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	P沟道	55V	18A（温度）	10V	110毫欧@9.6A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	650pF@25V	-	57W（温度）
SPD50N03S2L06GBTMA1	-	询价	6631	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器50N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N沟道	30V	50A（温度）	4.5V、10V	6.4毫欧@50A，10V	2V@85μA	68nC@10V	±20V	25V时为2530pF	-	136W（温度）
IPP60R105CFD7XKSA1	5.8000	询价	187	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP60R105	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	600伏	21A（温度）	10V	105毫欧@9.3A，10V	4.5V@470μA	42nC@10V	±20V	1752 pF @ 400 V	-	106W（温度）
IRF3706STRL	-	询价	9948	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	20V	77A（温度）	2.8V、10V	8.5毫欧@15A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2410pF	-	88W（温度）
IPI25N06S3-25	-	询价	6941	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI25N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	55V	25A（温度）	10V	25.1毫欧@15A，10V	4V@20μA	41nC@10V	±20V	1862pF@25V	-	48W（温度）
IRLR7811WCPBF	-	询价	2739	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道	30V	64A（温度）	4.5V、10V	10.5毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	31nC@4.5V	±12V	2260pF@15V	-	71W（温度）
IRFR9024NTRR	-	询价	9291	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	55V	11A（温度）	10V	175毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	38W（温度）
SMBTA92E6327HTSA1	0.4800	询价	3104	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MBTA92		360毫W	PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000												300伏	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	500mV@2mA、20mA	25@30mA，10V	50兆赫
IPP100N12S305AKSA1	5.2700	询价	6	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP100	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	120V	100A（温度）	10V	5.1毫欧@100A，10V	4V@240μA	185nC@10V	±20V	11570pF@25V	-	300W（温度）
IRF2907ZS-7PPBF	-	询价	9770	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK（7导联）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	75V	160A（温度）	10V	3.8毫欧@110A，10V	4V@250μA	260nC@10V	±20V	7580pF@25V	-	300W（温度）
SPB10N10	-	询价	4793	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB10N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	100伏	10.3A（温度）	10V	170毫欧@7.8A，10V	4V@21μA	19.4nC@10V	±20V	426pF@25V	-	50W（温度）
IRLR3103TR	-	询价	2828	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	30V	55A（温度）	4.5V、10V	19毫欧@33A，10V	1V@250μA	50nC@4.5V	±16V	1600pF@25V	-	107W（温度）
FS150R12N3T4PB81BPSA1	305.7767	询价	3653	英飞凌科技	-	托盘	的积极				FS150R12				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	6
IRFR3303PBF	-	询价	8577	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75	N沟道	30V	33A（温度）	10V	31毫欧@18A，10V	4V@250μA	29nC@10V	±20V	750pF@25V	-	57W（温度）
IRLZ44NSTRRPBF	-	询价	9059	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001552954	EAR99	8541.29.0095	800	N沟道	55V	47A（温度）	4V、10V	22毫欧@25A，10V	2V@250μA	48nC@5V	±16V	1700pF@25V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）
IRF5305STRR	-	询价	7326	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF5305	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	Q971401A	EAR99	8541.29.0095	800	P沟道	55V	31A（温度）	10V	60毫欧@16A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	3.8W（Ta）、110W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²