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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRF1010EZL	-	RFQ	1039	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010EZL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道			60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
BCR116E6327HTSA1	0.3600	RFQ	8743	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR116			200兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
irfu3418pbf	-	RFQ	7533	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*irfu3418pbf	Ear99	8541.29.0095	75	n通道			80 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 18a，10v	5.5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±20V	3510 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
irll014ntr	-	RFQ	1154	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558818	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			55 v	2A（TA）	4V，10V	140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±16V	230 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BCW68FE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1208	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68			330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	800 MA						20NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
SPP80N06S2L-05	-	RFQ	1215	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道			55 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	7530 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BSZ0904NSIATMA1	1.0500	RFQ	281	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0904		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			30 V	18A（18A），40A （TC）	4.5V，10V	4mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	1463 PF @ 15 V	（（（）	2.1W（ta），37W（tc）
IPB081N06L3GATMA1	1.7900	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB081		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道			60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 34µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	4900 PF @ 30 V	-	79W（TC）
BCR 503 B6327	-	RFQ	6516	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 503			330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000															50 V	500 MA						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	40 @ 50mA，5V	100 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
IRFSL4710PBF	-	RFQ	6266	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL4710PBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道			100 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 45a，10v	5.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	6160 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF3708STRL	-	RFQ	7949	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道			30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRFR220NTRR	-	RFQ	5433	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			200 v	5A（TC）	10V	600mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
BCR112WH6327	-	RFQ	3006	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR112			250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,123															50 V	100 ma						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IRFSL23N20D102P	-	RFQ	6325	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
BC807-25WE6327	0.0200	RFQ	360	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
IRFR3103Tr	-	RFQ	4923	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道			400 v	1.7A（TA）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
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IPA60R280P7SXKSA1	1.5800	RFQ	480	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R280		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			600 v	12A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 190µA	18 nc @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 V	-	24W（TC）
ISC0703NLSATMA1	1.0900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0703N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			60 V	（13a）（ta），57A（tc）	4.5V，10V	6.9mohm @ 32a，10v	2.3V @ 15µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 30 V	-	（3W）（44W ta）（TC）
IPD70N10S3L12ATMA1	2.6300	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			100 v	70A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 70A，10V	2.4V @ 83µA	77 NC @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPU80R2K0P7AKMA1	1.1100	RFQ	4726	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R2		MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道			800 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 940mA，10v	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±20V	175 PF @ 500 V	-	24W（TC）
IRFR2405TRR	-	RFQ	3423	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2405		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			55 v	56A（TC）	10V	16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRG4PH30KPBF	-	RFQ	5269	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH30	标准		100 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		960V，10a，23ohm，15V												-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V，10a	（640µJ）（在920µJ上）	53 NC	28NS/200NS
ISC045N03L5SATMA1	0.6000	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC045		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			30 V	18A（18A），63A（tc）	4.5V，10V	4.5mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
IPW60R160P6FKSA1	4.7600	RFQ	240	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R160		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道			600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 750µA	44 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 100 V	-	176W（TC）
IPP040N06N3GHKSA1	-	RFQ	1400	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP040N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000398032	Ear99	8541.29.0095	500	n通道			60 V	90A（TC）	10V	4MOHM @ 90A，10V	4V @ 90µA	98 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
62-0203pbf	-	RFQ	6949	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7410		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	P通道			12 v	16A（TA）	1.8V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	900mv @ 250µA	91 NC @ 4.5 V	±8V	8676 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF6629TR1PBF	-	RFQ	1640年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			25 v	29a（ta），180a（tc）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 29A，10V	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	4260 pf @ 13 V	-	2.8W（TA），100W（TC）
IPD036N04LGBTMA1	-	RFQ	9983	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD036N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			40 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 90A，10V	2V @ 45µA	78 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 20 V	-	94W（TC）
IRF7476	-	RFQ	5726	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n通道			12 v	15A（TA）	2.8V，4.5V	8mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V	2550 pf @ 6 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²