RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BSP149L6906HTSA1	-	RFQ	1062	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	660ma（ta）	0V，10V	1.8OHM @ 660mA，10V	1V @ 400µA	14 NC @ 5 V	±20V	430 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IRF9953PBF	-	RFQ	8936	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565680	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）			30V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	1V @ 250µA	12nc @ 10V		190pf @ 15V	-
IRF3315STRLPBF	-	RFQ	3506	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IPP80P04P4L06AKSA1	-	RFQ	8678	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 150µA	104 NC @ 10 V	+5V，-16V	6580 pf @ 25 V	-	88W（TC）
BCX53E6327HTSA1	-	RFQ	2972	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53		2 w		PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															80 V	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
BFR 705L3RH E6327	-	RFQ	1213	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BFR 705		40MW		PG-TSLP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000			25DB												4.7V	10mA					NPN		160 @ 7mA，3v	39GHz	0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz
IRL3715TRR	-	RFQ	4726	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
IRG7CH23K10EF	-	RFQ	9368	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH					下载		不适用	到达不受影响	SP001545918	过时的	0000.00.0000	1
SPP80P06PBKSA1	-	RFQ	2489	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp80p	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道		60 V	80A（TC）	10V	23mohm @ 64a，10v	4V @ 5.5mA	173 NC @ 10 V	±20V	5033 PF @ 25 V	-	340W（TC）
SPB80N03S2-03	-	RFQ	5617	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	80A（TC）	10V	3.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB097N08N3 g	-	RFQ	8627	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB097N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	70A（TC）	6V，10V	9.7MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2410 PF @ 40 V	-	100W（TC）
IPU60R2K0C6BKMA1	-	RFQ	7215	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		600 v	2.4A（TC）	10V	2ohm @ 760mA，10v	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	22.3W（TC）
BSP299H6327XUSA1	-	RFQ	5316	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	400mA（TA）	10V	4ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	400 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRL3715ZL	-	RFQ	5500	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715ZL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
IPB80N06S3L-06	-	RFQ	9231	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		55 v	80A（TC）	5V，10V	5.6mohm @ 56A，10V	2.2V @ 80µA	196 NC @ 10 V	±16V	9417 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRFH7185TRPBF	-	RFQ	4201	Infineon技术	fastirfet™，hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH7185	MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		100 v	（19a ta）	10V	5.2MOHM @ 50a，10V	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 50 V	-	3.6W（TA），160W（tc）
IRFZ44VZ	-	RFQ	5183	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfz44vzs	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BSO301SPNTMA1	-	RFQ	6625	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	12.6a（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 14.9a，10V	2V @ 250µA	136 NC @ 10 V	±20V	5890 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSC026N08NS5ATMA1	3.2600	RFQ	5856	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC026	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.6mohm @ 50a，10v	3.8V @ 115µA	92 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 40 V	-	2.5W（ta），156W（TC）
BSM30GP60B2BOSA1	-	RFQ	3093	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM30G		180 w	三相桥梁整流器	模块	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥													-	600 v	50 a	2.45V @ 15V，30a	500 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
BSM100GB170DN2HOSA1	-	RFQ	3370	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM100		1000 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000092012	Ear99	8541.29.0095	10	半桥													-	1700 v	145 a	3.9V @ 15V，100a	1 MA	不	16 NF @ 25 V
FZ400R33KL2CB5NOSA1	-	RFQ	1991	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ400		4900 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	单身的													-	3300 v	750 a	3.65V @ 15V，400A	5 ma	不	48 nf @ 25 V
IRL2203NSTRRPBF	-	RFQ	7063	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576488	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
IRFSL4610	-	RFQ	8877	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL461	MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL4610	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
FZ750R65KE3NOSA1	2.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的	-50°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ750R65		14500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	单身的													-	6500 v	750 a	3.4V @ 15V，750a	5 ma	不	205 NF @ 25 V
IPI032N06N3GAKSA1	1.9007	RFQ	6767	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI032	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 118µA	165 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
IPP50R520CPHKSA1	-	RFQ	6623	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		550 v	7.1A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 100 V	-	66W（TC）
BFP520FH6327	0.1600	RFQ	39	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅			120MW		4-TSFP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000			22.5dB												2.5V	50mA					NPN		70 @ 20mA，2V	45GHz	0.95dB @ 1.8GHz
BC80740WE6327BTSA1	-	RFQ	5677	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807		250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	200MHz
BSC883N03LSGATMA1	-	RFQ	1376	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC883	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		34 v	17a（17a），98a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），57W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²