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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
SPB10N10	-	RFQ	4793	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB10N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			100 v	10.3A（TC）	10V	170MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 21µA	19.4 NC @ 10 V	±20V	426 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRL3714SPBF	-	RFQ	9418	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3714SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IRFHS8242TR2PBF	-	RFQ	1279	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	6-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			6-PQFN （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道			25 v	9.9a（TA），21a （TC）		13mohm @ 8.5a，10v	2.35V @ 25µA	10.4 NC @ 10 V		653 pf @ 10 V	-
IRGPS66160DPBF	-	RFQ	4558	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		750 w		SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001548322	Ear99	8541.29.0095	25			400V，120A，4.7OHM，15V												95 ns	-	600 v	240 a	360 a	1.95V @ 15V，120a	4.47mj（在）上，3.43mj off）	220 NC	80NS/190NS
IRF7204pbf	-	RFQ	7848	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道			20 v	5.3a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±12V	860 pf @ 10 V	-	2.5W（TC）
BFP540ESDH6327XTSA1	0.5700	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP540			250MW		PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				21.5db													5V	80mA									NPN		50 @ 20mA，3.5V	30GHz			0.9db〜1.4dB @ 1.8GHz
IRF7325	-	RFQ	6236	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）				12V	7.8a		24mohm @ 7.8a，4.5V	900mv @ 250µA	33nc @ 4.5V		2020pf @ 10V	逻辑级别门
IRFS41N15DTRR	-	RFQ	6923	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			150 v	41A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2520 PF @ 25 V	-	3.1W（TA）
IRF6218pbf	-	RFQ	3588	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPT013N08NM5LF	3.8084	RFQ	6102	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT013N		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			80 V	35A（35A），333a （TC）	10V	1.3MOHM @ 150A，10V	4.1V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	820 PF @ 40 V	-	3.1W（TA），278W（tc）
IRL2703STRL	-	RFQ	9446	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF3710STRR	-	RFQ	4742	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BC847BL3E6327XTMA1	0.1136	RFQ	3301	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC847			250兆		PG-TSLP-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																	45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
IPC95R750P7X7SA1	-	RFQ	9866	Infineon技术	*	大部分	积极的				IPC95						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP002134100		0000.00.0000	1
IRFP4004PBF	5.6500	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP4004		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			40 V	195a（TC）	10V	1.7MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	8920 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IRL540NL	-	RFQ	8042	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL540NL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
BCX51E6327HTSA1	-	RFQ	9233	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX51			2 w		PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	45 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
IPP60R165CP	-	RFQ	9936	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1		n通道			600 v	21a（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	192W（TC）
IPD60R1K5PFD7SAUMA1	0.9100	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-344	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			600 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 700mA，10V	4.5V @ 40µA	4.6 NC @ 10 V	±20V	169 PF @ 400 V	-	22W（TC）
BCP 68-25 E6327	-	RFQ	7341	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP 68			3 W		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	20 v	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	160 @ 500mA，1V	100MHz
BSC097N06NSTATMA1	1.2400	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC097		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	（13a）（ta），48a tc）	6V，10V	9.7MOHM @ 40a，10v	3.3V @ 14µA	15 NC @ 10 V	±20V	1075 PF @ 30 V	-	3W（3），43w（tc）
IRF5305STRR	-	RFQ	7326	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF5305		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q971401A	Ear99	8541.29.0095	800		P通道			55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
BFR92PE6530HTSA1	0.0900	RFQ	144	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BSC079N03LSCGATMA1	-	RFQ	7337	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC079		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			30 V	（14a）（TA），50A （TC）	4.5V，10V	7.9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
BCR 158T E6327	-	RFQ	4802	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 158			250兆		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
IRFZ48NLPBF	-	RFQ	4972	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
IRLU3715	-	RFQ	2581	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlu3715	Ear99	8541.29.0095	75		n通道			20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
F3L300R12ME4B23BOSA1	237.8500	RFQ	20	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L300			1550 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立															沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，300A				1 MA	是的	19 nf @ 25 V
FS3L100R07WS5B11BPSA1	163.5200	RFQ	16	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS3L100R07			20兆	标准	ag-easy3b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	三级逆变器															沟渠场停止	650 v	70 a		1.38V @ 15V，50a				7 µA	是的	7.1 NF @ 25 V
IRLL2703TRPBF	-	RFQ	3246	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²