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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPB80N04S4L04ATMA1	2.1400	RFQ	958	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 80a，10v	2.2V @ 35µA	60 NC @ 10 V	+20V，-16V	4690 pf @ 25 V	-	71W（TC）
BSZ165N04NSGATMA1	-	RFQ	9929	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			40 V	8.9A（ta），31a（tc）	10V	16.5MOHM @ 20A，10V	4V @ 10µA	10 NC @ 10 V	±20V	840 pf @ 20 V	-	2.1W（25W），25W（（（（（（（（
BSS138N E6908	-	RFQ	3481	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 250µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IRL1404ZSTRLPBF	2.5800	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL1404		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	75A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IPAN60R650CEXKSA1	1.3500	RFQ	3332	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			600 v	9.9a（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
BSF035NE2LQXUMA1	-	RFQ	4306	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSF035		MOSFET （金属 o化物）		MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001034234	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			25 v	22a（22A），69a （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 12 V	-	2.2W（28），28W（tc）
IPP230N06L3 g	-	RFQ	5403	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp230n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	30A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 30a，10v	2.2V @ 11µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	36W（TC）
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IRF7301pbf	-	RFQ	1547年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）				20V	5.2a		50mohm @ 2.6a，4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	逻辑级别门
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BSC079N10NSGATMA1	2.8700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC079		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	13.4A（TA），100A（tc）	10V	7.9MOHM @ 50a，10v	4V @ 110µA	87 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 50 V	-	156W（TC）
IRF7317pbf	-	RFQ	4696	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF731		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道				20V	6.6a，5.3a		29MOHM @ 6A，4.5V	700MV @ 250µA	27nc @ 4.5V		900pf @ 15V	逻辑级别门
IRF3711STRLPBF	-	RFQ	6828	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			20 v	110A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IPP050N06N g	-	RFQ	6323	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP050N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	100A（TC）	10V	5mohm @ 100a，10v	4V @ 270µA	167 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 30 V	-	300W（TC）
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IRLR3103TRLPBF	-	RFQ	7601	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558904	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IPU60R2K0C6AKMA1	-	RFQ	1316	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			600 v	2.4A（TC）	10V	2ohm @ 760mA，10v	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	22.3W（TC）
BCR 158T E6327	-	RFQ	4802	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 158			250兆	PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
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BSC097N06NSATMA1	0.9500	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC097		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	46A（TC）	6V，10V	9.7MOHM @ 40a，10v	3.3V @ 14µA	15 NC @ 10 V	±20V	1075 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），36W（tc）
SPI80N03S2L-03	-	RFQ	5570	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IPP023N04NGXKSA1	2.5600	RFQ	2040	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP023		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	90A（TC）	10V	2.3MOHM @ 90A，10V	4V @ 95µA	120 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 20 V	-	167W（TC）
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BCX5216H6327XTSA1	0.1920	RFQ	5339	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5216			2 w	PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	60 V	1 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
irfr3504ztrlpbf	-	RFQ	6858	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001552130	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
IRFB33N15DPBF	-	RFQ	1284	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			150 v	33A（TC）	10V	56mohm @ 20a，10v	5.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²