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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPP50R299CPXKSA1	-	RFQ	6483	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					550 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BSM75GAR120DN2HOSA1	-	RFQ	7463	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM75GAR120				235 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																	沟渠场停止	1200 v	30 a		2.2V @ 15V，15a				400 µA	不	1 nf @ 25 V
SGW10N60AFKSA1	-	RFQ	5466	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW10N	标准			92 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，10a，25ohm，15V														npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
IPP037N08N3GXKSA1	2.8700	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP037			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					80 V	100A（TC）	6V，10V	3.75MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
BSC090亿	-	RFQ	3207	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IMT65R260M1HXUMA1	7.0100	RFQ	9708	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-Powersfn				sicfet （碳化硅）			PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		-					650 v	-	18V	-	-		-		-	-
IAUA120N04S5N014AUMA1	2.7400	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn				MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					40 V	120A（TC）	7V，10V	1.4mohm @ 60a，10v	3.4V @ 60µA	82 NC @ 10 V	±20V	4828 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRF1010ESTRLPBF	2.1300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1010			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	84A（TC）	10V	12mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IPP60R099C7XKSA1	6.2800	RFQ	5288	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R099			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	22a（TC）	10V	99mohm @ 9.7a，10v	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 PF @ 400 V	-	110W（TC）
IPC302N15N3X1SA1	3.6657	RFQ	5035	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-	表面安装	死	IPC302N			MOSFET （金属 o化物）			锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					150 v	1A（TJ）	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 270µA		-		-	-
IRL3103L	-	RFQ	5856	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IPSA70R1K4CEAKMA1	-	RFQ	3917	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPSA70			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001605398	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					700 v	5.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	53W（TC）
BSC0909NSATMA1	0.6700	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0909			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					34 v	（12A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	9.2Mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 15 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
IRFR2407TRR	-	RFQ	5975	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2407			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
PXFC192207SHV1R250XTMA1	-	RFQ	5702	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	28 V			H-37248G-4/2	PXFC192207		1.805GHZ〜1.99GHz	ldmos			H-37288G-4/2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001282070	Ear99	8541.29.0095	250	双重的		10µA		50W	20dB											-
BSC100N10NSFGATMA1	2.3900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC100			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					100 v	11.4a（ta），90a （TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 110µA	44 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 50 V	-	156W（TC）
BCR08PNH6327XTSA1	0.0975	RFQ	4156	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR08				250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			50V	100mA						-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
BC848AE6327HTSA1	0.0418	RFQ	2025	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	250MHz
BCP5316H6433XTMA1	0.2533	RFQ	2224	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53				2 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																			80 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IRFC4768	-	RFQ	4472	Infineon技术	-	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1								-
IRFR4620TRLPBF	1.8100	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4620			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRF7705	-	RFQ	5309	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7705	Ear99	8541.29.0095	95		P通道					30 V	8A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	2774 PF @ 25 V	-	1.5W（TC）
IRFR1205	-	RFQ	9911	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRFH8324TRPBF	0.9000	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8324			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	23A（23A），90A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 50µA	31 NC @ 10 V	±20V	2380 pf @ 10 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
BCV28H6327XTSA1	0.2875	RFQ	9596	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCV28				1 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			30 V	500 MA						100NA（ICBO）			pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	200MHz
BSZ0506NSATMA1	1.1200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0506			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 15 V	-	2.1W（27W），27W tc）
IRF7425pbf	-	RFQ	7255	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563588	Ear99	8541.29.0095	95		P通道					20 v	15A（TA）	2.5V，4.5V	8.2MOHM @ 15A，4.5V	1.2V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±12V	7980 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFH5106TR2PBF	-	RFQ	7478	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道					60 V	21a（21A），100A （TC）		5.6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V		3090 pf @ 25 V	-
BCR198SE6327BTSA1	-	RFQ	9016	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR198				250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																			50V	100mA						-			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	190MHz	47kohms	47kohms
IRL1404PBF	-	RFQ	3492	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6590 pf @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²