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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IHW40N60RFKSA1	3.6808	RFQ	8745	Infineon技术	Trechstop®	管子	上次购买		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW40	标准			305 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，40a，5.6Ohm，15V																沟	600 v	80 a	120 a	2.05V @ 15V，40a	（750µJ）（离）	223 NC	- /193ns
IRGP4063D1PBF	-	RFQ	7367	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4063D	标准			330 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537966	Ear99	8541.29.0095	25				400V，48a，10ohm，15V															80 ns	-	600 v	100 a	192 a	2.14V @ 15V，48a	1.4MJ（在）上，1.1MJ off）	150 NC	60NS/160NS
PTFA081501E V1	-	RFQ	5758	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰			900MHz	ldmos			H-30248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			10µA		950 MA	150W	18db											-										28 V
BSL806NL6327	1.0000	RFQ	9381	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL806			MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	2.3a		57MOHM @ 2.3a，2.5V	750mv @ 11µA	1.7nc @ 2.5V		259pf @ 10V	逻辑级别门
IQDH88N06LM5CGATMA1	4.2100	RFQ	9308	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PG-TTFN-9-U02	下载		（1 （无限）	到达不受影响				5,000		n通道						60 V	42A（ta），447a （TC）	4.5V，10V	0.86mohm @ 50a，10v	2.3V @ 163µA	152 NC @ 10 V	±20V	14000 pf @ 30 V	-	3W（3），333W（tc）
BSC090N03MSGATMA1	-	RFQ	7816	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC090			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	（12A）（ta），48a tc）（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
IRF540ZSTRLPBF	-	RFQ	9779	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IRG8P15N120KD-EPBF	-	RFQ	6389	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG8P	标准			125 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537560	Ear99	8541.29.0095	25				600V，10a，10ohm，15V															60 ns	-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V，10a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	98 NC	15NS/170NS
IRF7495TRPBF	1.7200	RFQ	15	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7495			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	7.3a（ta）	10V	22mohm @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
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IRFR120ZTRPBF	0.8500	RFQ	15	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IPB05N03LA g	-	RFQ	1929年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB05N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						25 v	80A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 55a，10v	2V @ 50µA	25 NC @ 5 V	±20V	3110 PF @ 15 V	-	94W（TC）
IPB120N04S3-02	-	RFQ	9513	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	120A（TC）	10V	2mohm @ 80a，10v	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
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IRL3103STRR	-	RFQ	5555	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
irfr3303pbf	-	RFQ	8577	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
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auxhaf2805strr	-	RFQ	7418	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-						-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-							-	-	-	-		-		-	-
IPI60R099CPXKSA1	9.4000	RFQ	6118	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI60R099			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 18a，10v	3.5V @ 1.2mA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W（TC）
IPI020N06NAKSA1	-	RFQ	2404	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI02N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						60 V	29a（ta），120a（tc）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	2.8V @ 143µA	106 NC @ 10 V	±20V	7800 PF @ 30 V	-	（3W（ta），214w（tc）
BSP135L6906HTSA1	-	RFQ	6730	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IRG4PH20KD	-	RFQ	6902	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH20	标准			60 W		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PH20KD	Ear99	8541.29.0095	25				800V，5A，50OHM，15V															51 ns	-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	620µJ（在）上，300µJ（OFF）	28 NC	50NS/100NS
IPA90R1K0C3XKSA1	-	RFQ	7230	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA90R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						900 v	5.7A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	3.5V @ 370µA	34 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IPW60R075CPFKSA1	12.8100	RFQ	7901	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R075			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	39A（TC）	10V	75mohm @ 26a，10v	3.5V @ 1.7mA	116 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 100 V	-	313W（TC）
IPB90N06S4L04ATMA1	-	RFQ	6655	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB90N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 90A，10V	2.2V @ 90µA	170 NC @ 10 V	±16V	13000 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPN70R2K0P7SATMA1	0.6100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R2			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						700 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 30µA	3.8 NC @ 10 V	±16V	130 pf @ 400 V	-	6W（TC）
IRF7457TRPBF	-	RFQ	5349	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						20 v	15A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	3100 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
BSM20GP60BOSA1	-	RFQ	5974	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM20G				130 w	三相桥梁整流器	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																			-	600 v	35 a		2.35V @ 15V，10a					500 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
IPP096N03L g	-	RFQ	9768	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP096N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	42W（TC）
IRF7769L2TR1PBF	-	RFQ	5809	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距l8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²