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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPD90N06S407ATMA2	1.6600	RFQ	54	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	90A（TC）	10V	6.9MOHM @ 90A，10V	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V		-	79W（TC）
IRFZ48NPBF	1.5900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	130W（TC）
BSO200P03SNTMA1	-	RFQ	4711	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	7.4a（ta）	10V	20mohm @ 9.1a，10v	1.5V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±25V	2330 PF @ 25 V	-	1.56W（TA）
IRGS4615DPBF	-	RFQ	2161	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		99 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，8A，47OHM，15V											60 ns	-	600 v	23 a	24 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
BCX53H6327XTSA1	0.1920	RFQ	3967	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX53			2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																80 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
BCR555E6433	0.0600	RFQ	500	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR555			330兆		PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,792																50 V	500 MA						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	150 MHz	2.2 kohms	10 kohms
IRG4PC30WPBF	-	RFQ	6914	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC30	标准		100 W		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
BCV62AE6327HTSA1	0.4400	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV62			300MW		PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																30V	100mA						15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
IPD50N03S4L06ATMA1	0.5518	RFQ	8228	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 20µA	31 NC @ 10 V	±16V	2330 PF @ 25 V	-	56W（TC）
BCR129SE6327HTSA1	-	RFQ	5552	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR129			250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	-
BCW 60d E6327	0.0400	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,013																32 v	100 ma						20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
BC846PNE6327BTSA1	-	RFQ	2853	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																65V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
AIKB15N65DH5ATMA1	3.7300	RFQ	5606	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIKB15	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-												npt	650 v	15 a		-	-		-
IPDQ65R017CFD7XTMA1	21.6400	RFQ	5709	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ65		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-22-1	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	750		n通道		650 v	136a（TC）	10V	17mohm @ 61.6a，10V	4.5V @ 3.08mA	236 NC @ 10 V	±20V	12338 PF @ 400 V	-	694W（TC）
FS100R12KT4B11BOSA1	-	RFQ	8697	Infineon技术	Econopack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS100R12			515 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，100a				1 MA	不	6.3 NF @ 25 V
IRF7459Tr	-	RFQ	6674	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		20 v	12a（12a）	2.8V，10V	9mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2480 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRLR3717pbf	-	RFQ	8789	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		20 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	2830 pf @ 10 V	-	89W（TC）
IRL3102PBF	-	RFQ	7723	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IPB70P04P409ATMA1	-	RFQ	9184	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB70P04		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	72A（TC）	10V	9.1MOHM @ 70A，10V	4V @ 120µA	70 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IRF7306QTRPBF	-	RFQ	9083	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			30V	3.6a		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	-
IIPC63S4N08X2SA2	-	RFQ	2158	Infineon技术	-	大部分	过时的				IIPC63S4						-					过时的		1
94-3316	-	RFQ	3726	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		n通道		55 v	2A（TA）		140mohm @ 2a，10v	2V @ 250µA	14 NC @ 10 V		230 pf @ 25 V	-
IRF7380TRPBF	1.4700	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7380		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			80V	3.6a		73mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	23nc @ 10V		660pf @ 25V	逻辑级别门
FF225R65T3E3P3BPMA1	1.0000	RFQ	5847	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF225R65			1000 w	标准	AG-XHP3K65	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立														沟渠场停止	5900 v	225 a		3.4V @ 15V，225a				5 ma	不	65.6 NF @ 25 V
AUIRFS3006	-	RFQ	3576	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521196	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRF1503STRLPBF	-	RFQ	6772	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1503		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001550938	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	75A（TC）	10V	3.3mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	5730 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IPC60R070CFD7X7SA1	-	RFQ	2965	Infineon技术	-	大部分	积极的	-	-	-	IPC60		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-			-	-	-	-		-		-	-
IAUC60N04S6N031HATMA1	2.5900	RFQ	5217	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IAUC60		MOSFET （金属 o化物）	75W（TC）		PG-TDSON-8-56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（半桥）			40V	60a（TJ）		3.1MOHM @ 30a，10v	3V @ 25µA	30nc @ 10V		1922pf @ 25V	-
FP25R12W1T7B3BPSA1	61.1000	RFQ	24	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12			20兆	三相桥梁整流器	ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	25 a		-				5.6 µA	是的	4.77 NF @ 25 V
BCR133SH6327XTSA1	0.4600	RFQ	9	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR133			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50V	100mA						-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²