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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PTFA181001EV4R250XTMA1	-	RFQ	5497	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA181001		1.88GHz	ldmos			H-36248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			1µA		750 MA	100W	16.5db											-										28 V
BSS131E6327	-	RFQ	8427	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						240 v	110mA（ta）	4.5V，10V	14ohm @ 100mA，10v	1.8V @ 56µA	3.1 NC @ 10 V	±20V	77 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IMYH200R012M1HXKSA1	169.1800	RFQ	185	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMYH200			SIC （硅碳化物交界晶体管）			pg-to247-4-U04	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						2000 v	123A（TC）	15V，18V	16.5mohm @ 60a，18v	5.5V @ 48mA	246 NC @ 18 V	+20V，-7V		-	552W（TC）
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IRF1405STRR	-	RFQ	7863	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564256	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BSZ0902NSIATMA1	1.2300	RFQ	2095	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0902			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	21a（21a），40a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
Auirls8409-7p	-	RFQ	7052	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	Auirls8409			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521838	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	240a（TC）	4.5V，10V	0.75MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	266 NC @ 4.5 V	±16V	16488 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IPB04N03LAT	1.2000	RFQ	512	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB04N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						25 v	80A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 55a，10v	2V @ 60µA	32 NC @ 5 V	±20V	3877 PF @ 15 V	-	107W（TC）
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BCV62AE6327HTSA1	0.4400	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV62				300MW		PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					30V	100mA							15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
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SPP03N60C3XKSA1	-	RFQ	3151	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp03n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
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BCR129WE6327HTSA1	-	RFQ	1608	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR129				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
BSP50H6327XTSA1	0.2819	RFQ	5354	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP50				1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					45 v	1 a							10µA			npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
IPP80N06S207AKSA4	-	RFQ	8135	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N06			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						55 v	80A（TC）	10V	6.6mohm @ 68a，10v	4V @ 180µA	110 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BCR48PNE6327BTSA1	-	RFQ	7847	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR48				250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	70mA，100mA							-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100MHz，200MHz	47KOHM，2.2KOHM	47kohms
IKW40N65RH5XKSA1	8.9500	RFQ	216	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW40N65	标准			250 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20a，15ohm，15V																沟渠场停止	650 v	74 a	160 a	2.1V @ 15V，40a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	95 NC	18NS/165NS
BCR 162F E6327	-	RFQ	6346	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-723	BCR 162				200兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²