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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRLML2402TR	-	RFQ	6495	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	1.2A（TA）		250MOHM @ 930mA，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	3.9 NC @ 4.5 V		110 pf @ 15 V	-
BC847PNH6327XTSA1	0.0886	RFQ	1211	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC847				250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				45V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPI90R500C3XKSA2	4.0600	RFQ	5488	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI90R500			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					900 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 740µA	68 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 100 V	-	156W（TC）
IPL60R065C7AUMA1	9.6200	RFQ	2394	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R065			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4-1	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	29A（TC）	10V	65mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2850 PF @ 400 V	-	180W（TC）
IRF7210TRPBF	-	RFQ	1310	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					12 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	600mv @ 500µA（500µA））	212 NC @ 5 V	±12V	17179 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IPU60R1K4C6BKMA1	-	RFQ	1895年	Infineon技术	coolmos™	大部分	在sic中停产	-55°C〜155°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU60R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
IRF7555553TRPBF	-	RFQ	2102	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7555			MOSFET （金属 o化物）	1.25W		Micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						20V	4.3a		55MOHM @ 4.3A，4.5V	1.2V @ 250µA	15nc @ 5V		1066pf @ 10V	逻辑级别门
IPB26CN10NGATMA1	-	RFQ	9058	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB26C			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
IRL7833LPBF	-	RFQ	4311	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 38a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	4170 pf @ 15 V	-	140W（TC）
BFS 483 E6327	-	RFQ	1632年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BFS 483				450MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						19db														12V	65mA									2 NPN （双）		70 @ 15mA，8v	8GHz	0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
IRF8313PBF	-	RFQ	6927	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8313			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						30V	9.7a		15.5MOHM @ 9.7A，10V	2.35V @ 25µA	90NC @ 4.5V		760pf @ 15V	逻辑级别门
PTFA220081MV4S500XUMA1	-	RFQ	9006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-			-	-			-	下载		3（168））	到达不受影响	SP000838882	Ear99	8541.29.0095	500	-		-		-	-											-
IGB10N60TATMA1	1.6700	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IGB10	标准			110 w		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，10a，23ohm，15V															NPT，沟渠场停止	600 v	20 a	30 a	2.05V @ 15V，10A	430µJ	62 NC	12NS/215NS
IPP084N06L3GXK	-	RFQ	1516年	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 50a，10v	2.2V @ 34µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	4900 PF @ 30 V	-	79W（TC）
IPS60R650Ceakma1	-	RFQ	9236	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R650			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					600 v	9.9a（TJ）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	82W（TC）
IRF1407	-	RFQ	9780	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1407S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF7749L1TRPBF	5.0300	RFQ	5158	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8	IRF7749			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					60 V	33A（TA），200a （TC）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IPU50R2K0CEBKMA1	-	RFQ	4861	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU50R			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					500 v	2.4A（TC）	13V	2ohm @ 600mA，13v	3.5V @ 50µA	6 NC @ 10 V	±20V	124 pf @ 100 V	-	22W（TC）
irfu4105pbf	-	RFQ	7738	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					55 v	27a（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
SPP21N50C3HKSA1	-	RFQ	2699	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP21N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					560 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
IRF7807VPBF	-	RFQ	6961	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551538	Ear99	8541.29.0095	95		n通道					30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
IRL7833S	-	RFQ	1890年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL7833S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 38a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	4170 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IPB80N06S3-05	-	RFQ	2642	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000102222	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	80A（TC）	10V	5.1MOHM @ 63A，10V	4V @ 110µA	240 NC @ 10 V	±20V	10760 pf @ 25 V	-	165W（TC）
IRF3805L-7PPBF	-	RFQ	7787	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576702	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRG7T 300CH12B	-	RFQ	2870	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t				1600 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单身的																		-	1200 v	570 a		2.2V @ 15V，300A				4 mA	不	42.4 NF @ 25 V
BFN38E6327	0.1200	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1.5 w		PG-SOT223-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000																				300 v	200 ma						100NA（ICBO）				500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	70MHz
IPU09N03LA g	-	RFQ	1988	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU09N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
IRG4PC40KDPBF	-	RFQ	2633	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC40	标准			160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				480V，25a，10ohm，15V														42 ns	-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	950µJ（在）上，760µJ降低）	120 NC	53NS/110NS
ISS06P010LXTSA1	-	RFQ	6713	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				ISS06P							-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001728022	过时的	0000.00.0000	3,000
IRF7452TRPBF	-	RFQ	6881	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²