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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	噪声图（ db typ @ f）
BCX53E6327	0.0900	RFQ	264	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					80 V	1 a							100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	125MHz
IMW120R020M1HXKSA1	35.6200	RFQ	298	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				sicfet （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1200 v	98A（TC）	15V，18V	26.9mohm @ 41a，18v	5.2V @ 17.6mA	83 NC @ 18 V	+20V，-5V	3460 NF @ 25 V	-	375W（TC）
BFR 183W E6327	-	RFQ	4042	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR 183				450MW		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							18.5db														12V	65mA										NPN		70 @ 15mA，8v	8GHz		0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
FS450R12OE4BOSA1	826.7500	RFQ	6160	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS450R12				2250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	660 a		2.1V @ 15V，450a					3 ma	是的	28 NF @ 25 V
SPD30P06P	-	RFQ	5316	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD30P			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						60 V	30A（TC）	10V	75MOHM @ 21.5A，10V	4V @ 1.7mA	48 NC @ 10 V	±20V	1535 PF @ 25 V	-	125W（TC）
BC857CWH6327XTSA1	0.0558	RFQ	2228	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857				250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BFN38H6327XTSA1	0.2440	RFQ	7214	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					300 v	200 ma							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
IRF7468pbf	-	RFQ	9898	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559918	Ear99	8541.29.0095	95		n通道						40 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 9.4a，10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
BSZ0602LSATMA1	1.7000	RFQ	9607	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0602			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	（13a）（ta），40a （TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	18 nc @ 4.5 V	±20V	2340 pf @ 40 V	-	69W（TC）
IRF1010Z	-	RFQ	7100	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1010Z	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	75A（TC）	10V	7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IQE022N06LM5ATMA1	2.5900	RFQ	1977年	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE022			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				5,000		n通道						60 V	24A（24A），151a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 48µA	53 NC @ 10 V	±20V	4420 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
IRF6618TRPBF	-	RFQ	7765	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT	IRF6618			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道						30 V	（30a）（TA），170A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
irlu2703pbf	-	RFQ	8324	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	23A（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IPA65R600C6XKSA1	-	RFQ	8252	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
IRF3706STRL	-	RFQ	9948	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						20 v	77A（TC）	2.8V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IPC90N04S53R6ATMA1	1.3100	RFQ	7065	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPC90N04			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						40 V	90A（TC）	7V，10V	3.6mohm @ 45a，10v	3.4V @ 23µA	32.6 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	63W（TC）
BSZ0994NSATMA1	0.9800	RFQ	2189	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0994			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	7 NC @ 4.5 V	±20V	890 pf @ 15 V	-	2.1W（TA）
BFR193WH6327	-	RFQ	1154	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					580MW		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000							16dB														12V	80mA										NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz		1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
BCR 519 E6327	-	RFQ	6541	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 519				330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	500 MA							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	120 @ 50mA，5V	100 MHz	4.7科姆斯
PTFA080551F V1	-	RFQ	6803	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA080551		960MHz	ldmos			H-37265-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80			10µA		600 MA	55W	18.5db											-										28 V
IRF9410TR	-	RFQ	2574	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	7a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPI052NE7N3 g	-	RFQ	6482	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI052N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						75 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
IRGI4060DPBF	-	RFQ	6288	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			37 W		TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，7.5A，47OHM，15V															73 ns	沟	600 v	14 a	23 a	1.72V @ 15V，7.5a	（47µJ）（在），141µJ（（（（）	19 nc	29NS/101NS
IRLR8113TRLPBF	-	RFQ	8422	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001578796	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	94A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2920 PF @ 15 V	-	89W（TC）
IMT65R030M1HXUMA1	20.6300	RFQ	7590	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-Powersfn				sicfet （碳化硅）			PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		-						650 v	-	18V	-	-		-		-	-
SPS03N60C3	-	RFQ	5584	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	SPS03N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000235877	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IPD90N06S4L03ATMA1	-	RFQ	2628	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 90µA	170 NC @ 10 V	±16V	13000 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRFHM831TRPBF	-	RFQ	5705	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PQFN（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						30 V	14a（14A），40A （TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
IPI037N08N3GHKSA1	-	RFQ	1247	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI037N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						80 V	100A（TC）	6V，10V	3.75MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 155µA	117 NC @ 10 V	±20V	8110 PF @ 40 V	-	214W（TC）
BCR 189L3 E6327	-	RFQ	2637	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 189				250兆		PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²