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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRF1010ESTRLPBF	2.1300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1010		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				60 V	84A（TC）	10V	12mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IPP60R099C7XKSA1	6.2800	RFQ	5288	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R099		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				600 v	22a（TC）	10V	99mohm @ 9.7a，10v	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 PF @ 400 V	-	110W（TC）
IPC302N15N3X1SA1	3.6657	RFQ	5035	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-	表面安装	死	IPC302N		MOSFET （金属 o化物）		锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				150 v	1A（TJ）	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 270µA		-		-	-
IRL3103L	-	RFQ	5856	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
BSC0909NSATMA1	0.6700	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0909		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				34 v	（12A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	9.2Mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 15 V	-	2.5W（27W），27W（TC）
IRFR2407TRR	-	RFQ	5975	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR2407		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
PXFC192207SHV1R250XTMA1	-	RFQ	5702	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	28 V			H-37248G-4/2	PXFC192207	1.805GHZ〜1.99GHz	ldmos		H-37288G-4/2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001282070	Ear99	8541.29.0095	250	双重的		10µA	50W	20dB											-
BSC100N10NSFGATMA1	2.3900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC100		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				100 v	11.4a（ta），90a （TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 110µA	44 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 50 V	-	156W（TC）
BC848AE6327HTSA1	0.0418	RFQ	2025	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848			330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	250MHz
BCP5316H6433XTMA1	0.2533	RFQ	2224	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP53			2 w	PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																	80 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IRFR4620TRLPBF	1.8100	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4620		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRFR1205	-	RFQ	9911	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRFH8324TRPBF	0.9000	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8324		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道				30 V	23A（23A），90A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 50µA	31 NC @ 10 V	±20V	2380 pf @ 10 V	-	3.6W（ta），54W（tc）
BCV28H6327XTSA1	0.2875	RFQ	9596	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCV28			1 w	PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	30 V	500 MA	100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	200MHz
BSZ0506NSATMA1	1.1200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ0506		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				30 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 15 V	-	2.1W（27W），27W tc）
IRF7425pbf	-	RFQ	7255	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563588	Ear99	8541.29.0095	95		P通道				20 v	15A（TA）	2.5V，4.5V	8.2MOHM @ 15A，4.5V	1.2V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±12V	7980 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFH5106TR2PBF	-	RFQ	7478	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道				60 V	21a（21A），100A （TC）		5.6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V		3090 pf @ 25 V	-
BCR198SE6327BTSA1	-	RFQ	9016	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR198			250MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA	-	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	190MHz	47kohms	47kohms
IRFL014NTRPBF	0.9400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				55 v	1.9a（ta）	10V	160MOHM @ 1.9A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BTS282ZE3180ANTMA1	-	RFQ	1246	Infineon技术	tempfet®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				49 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.5mohm @ 36a，10v	2V @ 240µA	232 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF7102	-	RFQ	4981	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF71		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）					50V	2a		300MOHM @ 1.5A，10V	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V		120pf @ 25V	-
IRF7341QTRPBF	-	RFQ	8867	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）					55V	5.1a		50MOHM @ 5.1A，10V	1V @ 250µA（250µA）	44NC @ 10V		780pf @ 25V	逻辑级别门
BUZ73AE3046XK	-	RFQ	9304	Infineon技术	Sipmos®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buz73		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				200 v	5.5A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRLR3110ZTRPBF	1.9700	RFQ	19	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3110		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道				100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BSC0500NSIATMA1	2.2100	RFQ	6311	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0500		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				30 V	35A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
IPI084N06L3GXKSA1	-	RFQ	5765	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI084N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				60 V	50A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 50a，10v	2.2V @ 34µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	4900 PF @ 30 V	-	79W（TC）
IRLS4030pbf	-	RFQ	5280	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568730	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
AUIRFS4410ZTRL-INF	-	RFQ	8524	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道				100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 1.037mA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IPI120N08S403AKSA1	-	RFQ	5708	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				80 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 223µA	167 NC @ 10 V	±20V	11550 PF @ 25 V	-	278W（TC）
SPP70N10L	-	RFQ	3616	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP70N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	70A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 50a，10v	2V @ 2mA	240 NC @ 10 V	±20V	4540 pf @ 25 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²