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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRF2907ZLPBF	-	RFQ	1633年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576784	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	160a（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IAUC60N04S6N050HATMA1	1.6000	RFQ	4254	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IAUC60	MOSFET （金属 o化物）	52W（TC）		PG-TDSON-8-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（半桥）		40V	60a（TJ）		5mohm @ 30a，10v	3V @ 13µA	17NC @ 10V		1027pf @ 25V	-
IPP040N08NF2SAKMA1	2.4800	RFQ	848	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP040N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	22a（22A），115a （TC）	6V，10V	4mohm @ 80a，10v	3.8V @ 85µA	81 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 40 V	-	3.8W（ta），150W（TC）
IRL3705Z	-	RFQ	5661	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3705Z	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRLR3715ZPBF	-	RFQ	6457	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576978	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IPB108N15N3GATMA1	5.1900	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB108	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	150 v	83A（TC）	8V，10V	10.8mohm @ 83a，10v	4V @ 160µA	55 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 75 V	-	214W（TC）
BSO203PH	0.6100	RFQ	2	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO203	MOSFET （金属 o化物）	1.6W（TA）		PG-DSO-8	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）		20V	7a（ta）		21mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 50µA	39nc @ 4.5V		3750pf @ 15V	逻辑级别门
BSC060P03NS3EGATMA1	1.2500	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC060	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	17.7a（ta），100a（tc）	6V，10V	6mohm @ 50a，10v	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6020 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
BCR 133L3 E6327	-	RFQ	9894	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 133		250兆		PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000														50 V	100 ma		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
PZTA14E6327HTSA1	-	RFQ	1239	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZTA14		1.5 w		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														30 V	300 MA		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BSM100GD60DLCBDLA1	-	RFQ	2405	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM100		430 w	标准	模块	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥												-	600 v	130 a	2.45V @ 15V，100A	500 µA	不	4.3 NF @ 25 V
FP35R12KT4B11BPSA1	121.5700	RFQ	4470	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12		210 w	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器												沟渠场停止	1200 v	35 a	2.15V @ 15V，35a	1 MA	是的	2 NF @ 25 V
IPC60R190E6X7SA1	-	RFQ	2587	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC60R					-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001418024	过时的	0000.00.0000	1				-
IPP60R520C6XKSA1	-	RFQ	7656	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp60r	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	66W（TC）
IPL65R210CFDAUMA1	1.9840	RFQ	3066	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R210	MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	16.6a（TC）	10V	210MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
IPF023N08NF2SATMA1	3.6100	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IPF023N	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO263-7-14	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	209a（TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 139µA	133 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 40 V	-	214W（TC）
BCR 196F E6327	-	RFQ	9938	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 196		250兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	70 MA		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5V	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
ipd60r400ceatma1	-	RFQ	2286	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	10.3A（TC）	10V	400MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 300µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IRL3705ZPBF	1.7800	RFQ	388	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL3705	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IPP60R170CFD7XKSA1	3.6600	RFQ	8934	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R170	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	14A（TC）	10V	170mohm @ 6a，10v	4.5V @ 300µA	28 NC @ 10 V	±20V	1199 PF @ 400 V	-	75W（TC）
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IPN70R2K0P7SATMA1	0.6100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN70R2	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	700 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 30µA	3.8 NC @ 10 V	±16V	130 pf @ 400 V	-	6W（TC）
SPD15P10PG	1.0000	RFQ	3487	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道	100 v	15A（TC）	10V	240mohm @ 10.6a，10V	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	128W（TC）
IPA60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	7736	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R280	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 190µA	18 nc @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 V	-	24W（TC）
BC857BWE6327	0.0200	RFQ	333	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857		250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IRF3007STRLPBF	2.9700	RFQ	530	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF3007	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	62A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	120W（TC）
ICA32V21X1SA1	-	RFQ	7244	Infineon技术	*	大部分	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001113922	过时的	0000.00.0000	1
IRF7324pbf	-	RFQ	1111	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,800	2（p 通道（双）		20V	9a		18mohm @ 9a，4.5V	1V @ 250µA	63nc @ 5V		2940pf @ 15V	逻辑级别门
IPA60R060C7XKSA1	6.1961	RFQ	7355	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R060	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	16A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2850 PF @ 400 V	-	34W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²