晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BCX69-16E6327	-	询价	7863	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					3W		PG-SOT89-4-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					20V	1A							100nA（ICBO）		500mV@100mA，1A	100@500mA，1V	100兆赫兹
IRGS4045DTRRPBF	-	询价	4316	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			77 W		D²PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800				400V，6A，47欧姆，15V															74纳秒	-	600伏	12A	18A	2V@15V，6A	56μJ（开），122μJ（关）	19.5nC	27纳秒/75纳秒
BSO203SPNT	0.5500	询价	900	英飞凌科技	OptiMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道						20V	9A（塔）	2.5V、4.5V	21毫欧@9A，4.5V	1.2V@50μA	50.4nC@4.5V	±12V	15V时为2265pF	-	2.35W（塔）
IGW40N60TP	1.2800	询价	360	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			246 W		PG-TO247-3	下载					EAR99	8542.39.0001	1				400V，40A，10.1欧姆，15V																沟渠场站	600伏	67A	120A	1.8V@15V，40A	1.06mJ（开），610μJ（关）	177 nC	18纳秒/222纳秒
BCR108E6433HTMA1	0.0495	询价	8761	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BCR108				200毫W		PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																					50V	100毫安							100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	70@5mA，5V	170兆赫	2.2欧姆	47欧姆
IPT063N15N5ATMA1	5.8100	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	IPT063N			MOSFET（金属O化物）			PG-HSOF-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IPT063N15N5ATMA1DKR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						150伏	16.2A（Ta）、122A（Tc）	8V、10V	6.3毫欧@50A，10V	4.6V@153μA	59nC@10V	±20V	4550pF@75V	-	3.8W（Ta）、214W（Tc）
IPW60R250CPFKSA1	-	询价	7675	英飞凌科技	*	大部分	的积极												下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
SPP02N60C3HKSA1	-	询价	7773	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP02N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						650伏	1.8A（温度）	10V	3欧姆@1.1A，10V	3.9V@80μA	12.5nC@10V	±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
IRFBA90N20DPBF	-	询价	8927	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-273AA				MOSFET（金属O化物）			SUPER-220™ (TO-273AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						200V	98A（TC）	10V	23毫欧@59A，10V	5V@250μA	240nC@10V	±30V	6080pF@25V	-	650W（温度）
IRG4PC20U	-	询价	8321	英飞凌科技	-	包	过时的		-	通孔	TO-247-3	IRG4PC20	标准			60W		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4PC20U	EAR99	8541.29.0095	25				480V，6.5A，50欧姆，15V																-	600伏	13A	52A	2.1V@15V，6.5A	100μJ（开），120μJ（关）	27nC	21纳秒/86纳秒
IPD60R170CFD7ATMA1	3.2500	询价	6174	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						600伏	14A（温度）	10V	170mOhm@6A，10V	4.5V@300μA	28nC@10V	±20V	1199 pF @ 400 V	-	76W（温度）
IPP114N03LG	0.4300	询价	12	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						30V	30A（温度）	4.5V、10V	11.4毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	14nC@10V	±20V	1500pF@15V	-	38W（温度）
DF600R12N2E4PB11BPSA1	203.2280	询价	5851	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-	-	-	DF600					-	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	10	-																			-				-
AUIRFR6215	-	询价	5334	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR6215			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		P沟道						150伏	13A（温度）	10V	295毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	66nC@10V	±20V	860pF@25V	-	110W（温度）
IPN70R750P7SATMA1	0.8700	询价	13	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IPN70R750			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						700伏	6.5A（温度）	10V	750毫欧@1.4A，10V	3.5V@70μA	10V时为8.3nC	±16V	306 pF @ 400 V	-	6.7W（温度）
BSP125L6327	0.3100	询价	4868	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4-21	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	325		N沟道						600伏	120mA（塔）	4.5V、10V	45欧姆@120mA，10V	2.3V@94μA	6.6nC@10V	±20V	150pF@25V	-	1.8W（塔）
IRFH5406TRPBF	-	询价	6841	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	IRFH5406			MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						60V	11A（Ta）、40A（Tc）	10V	14.4毫欧@24A，10V	4V@50μA	35nC@10V	±20V	1256pF@25V	-	3.6W（Ta）、46W（Tc）
AUIRGP4063D	-	询价	1609	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AUIRGP4063	标准			330W		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400				400V，48A，10欧姆，15V															115纳秒	沟	600伏	100A	144 一个	1.9V@15V，48A	625μJ（开），1.28mJ（关）	140℃	60纳秒/145纳秒
BF999E6812HTSA1	-	询价	6494	英飞凌科技	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	最后一次购买	20V		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			300兆赫	场效应管			PG-SOT23	-			REACH 不出行				3,000	N沟道		16毫安		10毫安	-	27分贝											2.1分贝										10V
AUIRFR120Z	-	询价	9248	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						100伏	8.7A（温度）	10V	190毫欧@5.2A，10V	4V@25μA	10nC@10V	±20V	310pF@25V	-	35W（温度）
IPB020N08N5ATMA1	5.3800	询价	6	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB020			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						80V	120A（温度）	6V、10V	2mOhm@100A，10V	3.8V@208μA	166nC@10V	±20V	12100pF@40V	-	300W（温度）
IPB010N06NATMA1	7.9800	询价	1428	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB010			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	45A（Ta）、180A（Tc）	6V、10V	1mOhm@100A，10V	4V@280μA	208nC@10V	±20V	15000pF@30V	-	300W（温度）
AUIRFU1010Z	-	询价	5339	英飞凌科技	-	管子	过时的		-	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				-			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001516086	EAR99	8541.29.0095	75		-							42A（温度）		-	-				-	-
BSO203P	0.5500	询价	5102	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	BSO203			MOSFET（金属O化物）	2W		PG-DSO-8	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第421章	2 个 P 沟道（双）							20V	8.2A		21毫欧@8.2A，4.5V	1.2V@100μA	48.6nC@4.5V		2242pF@15V	逻辑电平门
IRGR4607DTRRPBF	-	询价	5809	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准			58W		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001549726	EAR99	8541.29.0095	3,000				400V、4A、100欧姆、15V															48纳秒	-	600伏	11A	12A	2.05V@15V，4A	140μJ（开），62μJ（关）	9纳克	27纳秒/120纳秒
BSS223PWL6327	-	询价	4062	英飞凌科技	OptiMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT323-3-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道						20V	390mA（塔）	2.5V、4.5V	1.2欧姆@390mA，4.5V	1.2V@1.5μA	0.62nC@4.5V	±12V	56pF@15V	-	250毫W（塔）
IPB19DP10NMATMA1	2.2400	询价	第975章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB19D			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道						100伏	2.9A（Ta）、13.8A（Tc）	10V	185毫欧@12A，10V	4V@1.04mA	45nC@10V	±20V	2000pF@50V	-	3.8W（Ta）、83W（Tc）
IPP65R600C6	0.6500	询价	1	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						650伏	7.3A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@210μA	23nC@10V	±20V	100V时为440pF	-	63W（温度）
IRFB52N15DPBF	3.4500	询价	41	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRFB52			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						150伏	51A（温度）	10V	32毫欧@36A，10V	5V@250μA	89nC@10V	±30V	2770pF@25V	-	3.8W（Ta）、230W（Tc）
IRFH7932TR2PBF	-	询价	4762	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN				MOSFET（金属O化物）			PQFN (5x6) 单芯片	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		N沟道						30V	24A（Ta）、104A（Tc）		3.3毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	51nC@4.5V		4270pF@15V	-	3.4W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²