RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPP80R900P7XKSA1	1.7200	RFQ	5174	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80R900		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 2.2a，10V	3.5V @ 110µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 500 V	-	45W（TC）
1D2209NK005U7742	-	RFQ	2372	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	12
IPB120N06S402ATMA1	-	RFQ	9217	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IRL3303S	-	RFQ	8194	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3303S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRFR3103Trl	-	RFQ	4564	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			400 v	1.7A（TA）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
BC 848C B6327	-	RFQ	3126	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 848			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRF2204pbf	2.9800	RFQ	4179	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF2204		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	210a（TC）	10V	3.6mohm @ 130a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	5890 pf @ 25 V	-	330W（TC）
BCR583E6327	0.0700	RFQ	839	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR583			330兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,418																50 V	500 MA						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	150 MHz	10 kohms	10 kohms
IRF9520NSTRR	-	RFQ	4393	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道			100 v	6.8A（TC）	10V	480MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRLZ24NLPBF	-	RFQ	2759	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ24NLPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IPI80CN10N g	-	RFQ	1983	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			100 v	13A（TC）	10V	80Mohm @ 13A，10V	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
IMW65R057M1HXKSA1	13.8000	RFQ	182	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R		sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			650 v	35A（TC）	18V	74mohm @ 16.7a，18v	5.7V @ 5mA	28 NC @ 18 V	+20V，-2V	930 PF @ 400 V	-	133W（TC）
2PS24017E3CE32778NWSA1	-	RFQ	4962	Infineon技术	-	大部分	过时的										-			到达不受影响	448-2PS24017EE3CE32778NWSA1	Ear99	8541.29.0095	1
IPP60R160C6XKSA1	4.5000	RFQ	2861	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R160		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 11.3A，10V	3.5V @ 750µA	75 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 100 V	-	176W（TC）
BFS17PE6327HTSA1	0.0578	RFQ	2342	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFS17			280MW		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				-												15V	25mA									NPN		40 @ 2mA，1V	1.4GHz			3.5db〜5dB @ 800MHz
IMZ120R220M1HXKSA1	11.0300	RFQ	443	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMZ120		sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1200 v	13A（TC）	15V，18V	220MOHM @ 4A，18V	5.7V @ 1.6mA	8.5 NC @ 18 V	+23V，-7V	289 PF @ 800 V	-	75W（TC）
IGW25T120FKSA1	5.9300	RFQ	4	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW25T120	标准		190 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，25a，22ohm，15V												NPT，沟渠场停止	1200 v	50 a	75 a	2.2V @ 15V，25a	4.2MJ	155 NC	50NS/560NS
BSB028NNN06NN3GXUMA1	2.9400	RFQ	1276	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSB028		MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			60 V	22a（22A），90a （TC）	10V	2.8mohm @ 30a，10v	4V @ 102µA	143 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 30 V	-	2.2W（ta），78w（tc）
BC 818K-25 E6327	-	RFQ	7385	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 818			500兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																25 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
FZ1400R33HE4BPSA1	1.0000	RFQ	5934	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1400				单相桥梁整流器	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立														沟渠场停止	3300 v	1400 a		2.3V @ 15V，1400a ty（typ）				5 ma	不	187 NF @ 25 V
IRLR7821TRRPBF	-	RFQ	3992	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRFSL4010PBF	3.9800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL4010		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	180a（TC）	10V	4.7MOHM @ 106A，10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	9575 PF @ 50 V	-	375W（TC）
IRFZ44VZSPBF	1.1439	RFQ	5081	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BFR193E6327HTSA1	0.4000	RFQ	5590	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR193			580MW		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				10db〜15dB												12V	80mA									NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
BCX5416H6327XTSA1	0.1920	RFQ	4134	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX5416			2 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																45 v	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
IAUC60N04S6N050HATMA1	1.6000	RFQ	4254	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IAUC60		MOSFET （金属 o化物）	52W（TC）		PG-TDSON-8-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（半桥）				40V	60a（TJ）		5mohm @ 30a，10v	3V @ 13µA	17NC @ 10V		1027pf @ 25V	-
AIKW50N65RF5XKSA1	12.0100	RFQ	6493	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		250 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，12ohm，15V												沟渠场停止	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	310µJ（在）上，120µJ（120µJ）	109 NC	20NS/156NS
IPD029N04NF2SATMA1	1.0800	RFQ	2	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD029		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPD029N04NF2SATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			40 V	（24A）（TA），131A （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 70A，10V	3.4V @ 53µA	68 NC @ 10 V	±20V	3200 pf @ 20 V	-	（3W）（TA），107W（107W）（TC）
IGLD60R190D1AUMA1	-	RFQ	9890	Infineon技术	Coolgan™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-ldfn暴露垫	IGLD60		MOSFET （金属 o化物）			PG-LSON-8-1	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			600 v	10A（TC）	-	-	1.6V @ 960µA		-10V	157 PF @ 400 V	-	62.5W（TC）
AUXHMF7321D2	-	RFQ	2222	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道			30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	62MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²