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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRG5U100HF12A	-	RFQ	7253	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块				620 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537382	Ear99	8541.29.0095	20	半桥														-	1200 v	200 a		3.5V @ 15V，100a				1 MA	不	12.3 NF @ 25 V
IPB034N06N3GATMA2	0.7692	RFQ	7579	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
FS150R17N3E4BOSA1	267.1300	RFQ	4276	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS150R17			835 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器														沟渠场停止	1700 v	150 a		2.3V @ 15V，150a				1 MA	是的	13.5 nf @ 25 V
SPB73N03S2L08T	-	RFQ	9390	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB73N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000016257	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	73A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 36a，10v	2V @ 55µA	46.2 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	107W（TC）
BC846UPNE6327HTSA1	0.1260	RFQ	2055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	BC846			250MW		PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																65V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPL60R650P6SATMA1	1.6500	RFQ	1925年	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPL60R650		MOSFET （金属 o化物）			8-thinpak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		600 v	6.7A（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	56.8W（TC）
IRF3000pbf	-	RFQ	3125	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3000pbf	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		300 v	1.6a（ta）	10V	400MOHM @ 960mA，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	730 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
DF1000R17IE4PBPSA1	739.2000	RFQ	7699	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF1000			1000000 w	标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	单菜器														沟渠场停止	1700 v	1000 a		2.45V @ 15V，1000a				5 ma	是的	81 NF @ 25 V
BCR192E6327HTSA1	0.0517	RFQ	9466	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR192			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
IRGP4262D-EPBF	-	RFQ	2908	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549768	Ear99	8541.29.0095	25			400V，24a，10ohm，15V											170 ns	-	650 v	60 a	96 a	2.1V @ 15V，24a	（520µJ）（在），240µJ（240µJ）中	70 NC	24ns/73ns
IPT65R195G7XTMA1	3.9400	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT65R195		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		650 v	14A（TC）	10V	195MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	97W（TC）
IRFSL4620PBF	-	RFQ	2956	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001567964	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
BSM200GA120DLCSHOSA1	167.3260	RFQ	1874年	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM200			1450 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200 v	370 a		2.6V @ 15V，200a				5 ma	不	13 nf @ 25 V
IRFR18N15DTRPBF	-	RFQ	4234	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		150 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF7468pbf	-	RFQ	9898	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559918	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		40 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 9.4a，10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
IRLR8729TRPBF	-	RFQ	1393	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8729		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
BFN18E6327HTSA1	-	RFQ	5377	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BFN18			1 w		PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																300 v	200 ma						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
IRFC3206EB	-	RFQ	4994	Infineon技术	-	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001563978	过时的	0000.00.0000	1					-
FF1800R23IE7PBPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3+ b	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					标准	PrimePack™3+	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	3	2独立														-	2300 v	1800 a		2.26V @ 15V，1.8KA				30 ma	不	420 NF @ 25 V
FS50R12W2T7BPSA1	69.9200	RFQ	7	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS50R12			20兆	标准	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	50 a		-				7.9 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
IRF7821TRPBFXTMA1	1.1400	RFQ	4314	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8-902	-	rohs3符合条件						4,000		n通道		30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPP45P03P4L11AKSA1	-	RFQ	9041	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp45p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道		30 V	45A（TC）	4.5V，10V	11.1mohm @ 45a，10v	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V，-16V	3770 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IRL8113STRL	-	RFQ	4570	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
IRF540ZLPBF	1.6000	RFQ	863	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF540		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
BCW68FE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1208	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
BSZ010NE2LS5ATMA1	2.7900	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ010		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		25 v	32A（ta），40a tc）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±16V	3900 PF @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
FZ1500R33HE3B60BPSA1	2.0000	RFQ	5659	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1500			2400000 w	标准	AG-IHVB190	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														沟渠场停止	3300 v	1500 a		3.1V @ 15V，1.5KA				5 ma	不	280 NF @ 25 V
IRFB4215pbf	-	RFQ	4684	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	115A（TC）	10V	9mohm @ 54a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	270W（TC）
IRF5210LPBF	-	RFQ	9327	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF5210		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564364	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		100 v	38A（TC）	10V	60mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），170W（tc）
IRLR4132TRPBF	1.0700	RFQ	9454	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IRLR4132						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²