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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRLS3034pbf	-	RFQ	3303	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 195a，10V	2.5V @ 250µA	162 NC @ 4.5 V	±20V	10315 PF @ 25 V	-	375W（TC）
BC817K-40WE6327	-	RFQ	9069	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		500兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 MA		100NA（ICBO）				700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IPP120N06S402AKSA2	-	RFQ	3814	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IAUS200N08S5N023ATMA1	4.8300	RFQ	652	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IAUS200	MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		80 V	200a（TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 130µA	110 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	200W（TC）
BC858AE6327HTSA1	0.0489	RFQ	4305	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
AUIRFZ48NXKMA1	-	RFQ	9397	Infineon技术	-	大部分	过时的				Auirfz48n					-					过时的		1
BSZ070N08LS5ATMA1	1.6400	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ070	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	40a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	5 NC @ 4.5 V	±20V	2340 pf @ 40 V	标准	69W（TC）
IRLR8503TRR	-	RFQ	4754	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	44A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	62W（TC）
BSS83PL6327HTSA1	-	RFQ	8332	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS83	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		60 V	330ma（ta）	4.5V，10V	2ohm @ 330mA，10v	2V @ 80µA	3.57 NC @ 10 V	±20V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
BSF035NE2LQXUMA1	-	RFQ	4306	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSF035	MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001034234	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		25 v	22a（22A），69a （TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 12 V	-	2.2W（28），28W（tc）
IRLHS6276TR2PBF	-	RFQ	8157	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	6-Powervdfn	IRLHS6276	MOSFET （金属 o化物）	1.5W		6-PQFN 双重（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	2 n 通道（双）			20V	4.5a		45mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 10µA	3.1nc @ 4.5V		310pf @ 10V	逻辑级别门
FZ1500R33HL3NPSA1	1.0000	RFQ	40	Infineon技术	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FZ1500R33HL3NPSA1-448			1
BCP 55-16 E6327	-	RFQ	3269	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP 55		2 w		PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															60 V	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
FF1200R17IP5BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1200		20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥													沟渠场停止	1700 v	1200 a	2.3V @ 15V，1200A	5 ma	是的	68 NF @ 25 V
BC 847BT E6327	-	RFQ	2507	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416			330兆		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
SPA11N80C3XKSA1	3.3200	RFQ	7	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N80	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	85 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 100 V	-	34W（TC）
IRF1405ZSPBF	-	RFQ	9202	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564248	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IPA60R600CPXKSA1	-	RFQ	4185	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	28W（TC）
BCR183SE6433BTMA1	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR183		250MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000															50V	100mA		-			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
IPP65R110CFDXKSA1	4.4517	RFQ	3842	Infineon技术	coolmos™	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R110	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		700 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
IPP093N06N3GHKSA1	-	RFQ	4446	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP093N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000398048	Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	50A（TC）	10V	9.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 34µA	36 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 30 V	-	71W（TC）
BFR181WH6327XTSA1	0.4100	RFQ	104	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFR181		175MW		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			19db												12V	20mA					NPN		70 @ 5mA，8v	8GHz			0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
BSC010N04LSCATMA1	3.0800	RFQ	6570	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	-	-	BSC010	MOSFET （金属 o化物）			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	282a（TC）	4.5V，10V	1.05MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	9500 PF @ 20 V	-	139W（TC）
SPI100N03S2L-03	-	RFQ	2648	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI100N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q1620887	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRG5W50HF06A	-	RFQ	6556	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®34模块	IRG5W50		260 w	标准	Powir®34	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥													-	600 v	75 a	2.7V @ 15V，50a	1 MA	不	2.6 nf @ 25 V
BCR 519 E6327	-	RFQ	6541	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 519		330兆		PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	500 MA		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	120 @ 50mA，5V	100 MHz	4.7科姆斯
BGB 540 E6327	-	RFQ	9729	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343			120MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			16db〜17.5dB												3.5V	30mA					NPN		-	-			1.3db〜2dB @ 900MHz〜1.8GHz
IRLH5036TR2PBF	-	RFQ	1099	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		60 V	20A（20A），100a tc（TC）		4.4mohm @ 50a，10v	2.5V @ 150µA	90 NC @ 10 V		5360 pf @ 25 V	-
IPL65R160CFD7AUMA1	4.4700	RFQ	1931年	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		650 v	17a（TC）	10V	160MOHM @ 6.4a，10V	4.5V @ 320µA	28 NC @ 10 V	±20V	1283 PF @ 400 V	-	98W（TC）
BFP640FE6327	-	RFQ	1886年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP640		200MW		4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			23dB												4.5V	50mA					NPN		110 @ 30mA，3v	40GHz			0.65db〜1.2db @ 1.8GHz〜6GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²