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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRLL2703TRPBF	-	RFQ	3246	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
ISZ080N10NM6ATMA1	1.7300	RFQ	5852	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ080N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	13a（13A），75a（tc）	8V，10V	8.04mohm @ 20a，10v	3.3V @ 36µA	24 NC @ 10 V	±20V	1800 PF @ 50 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
IRLR8103VTRLPBF	-	RFQ	3821	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001558542	Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道			30 V	91A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	115W（TC）
DF200R12W1H3FB11BOMA1	-	RFQ	9317	Infineon技术	EasyPack™	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF200R12			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器															沟渠场停止	1200 v	30 a		1.45V @ 15V，30a				1 MA	是的	6.15 NF @ 25 V
irfr3711ztr	-	RFQ	4620	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571586	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			20 v	93A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2160 pf @ 10 V	-	79W（TC）
IPI06N03LA	-	RFQ	9726	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI06N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			25 v	50A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 40µA	22 NC @ 5 V	±20V	2653 PF @ 15 V	-	83W（TC）
IRF7493TRPBF	1.6900	RFQ	6197	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7493		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			80 V	9.3A（TC）	10V	15mohm @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	2.5W（TC）
DF450R12N2E4PB11BPSA1	169.0850	RFQ	4719	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-	-	-	DF450				-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001664370		0000.00.0000	10	-															-				-
BSP316PE6327	-	RFQ	3865	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			100 v	680mA（ta）	4.5V，10V	1.8OHM @ 680mA，10V	2V @ 170µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	146 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
ISZ24DP10LMATMA1	1.0300	RFQ	8294	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-25	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISZ24DP10LMATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道			100 v	9.7a	-	-	-		-		-	-
ISC0803NLSATMA1	1.2800	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0803N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			100 v	8.8a（ta），37A（tc）	4.5V，10V	16.9mohm @ 20a，10v	2.3V @ 18µA	15 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），43W（tc）
IPP65R225C7XKSA1	3.0200	RFQ	47	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R225		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
IPB80P04P407ATMA2	2.8000	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			40 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 150µA	89 NC @ 10 V	±20V	6085 pf @ 25 V	-	88W（TC）
IRG4PSH71UDPBF	-	RFQ	4618	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，70A，5OHM，15V												110 ns	-	1200 v	99 a	200 a	2.7V @ 15V，70a	8.8mj（在）（9.4MJ）上）	380 NC	46NS/250NS
SGW10N60AFKSA1	-	RFQ	5466	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW10N	标准		92 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，10a，25ohm，15V													npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
IRFI520N	-	RFQ	7202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI520N	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	7.6A（TC）	10V	200mohm @ 4.3a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SPD06N60C3BTMA1	-	RFQ	4377	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD06N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			650 v	6.2A（TC）	10V	750MOHM @ 3.9A，10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF9Z24NS	-	RFQ	9808	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z24NS	Ear99	8541.29.0095	50		P通道			55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRF7379Tr	-	RFQ	8800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF737		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道				30V	5.8a，4.3a		45MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	-
IPD250N06N3GBTMA1	-	RFQ	8402	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD250N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	28a（TC）	10V	25mohm @ 28a，10v	4V @ 11µA	15 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	36W（TC）
BSZ025N04LSATMA1	1.6300	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ025		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道			40 V	22a（22a），40a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IRL3714Z	-	RFQ	3485	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3714Z	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
IPB100N08S2L07ATMA1	-	RFQ	8598	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			75 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	246 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BFR193WH6327	-	RFQ	1154	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				580MW		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000				16dB													12V	80mA									NPN	70 @ 30mA，8v	8GHz	1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
DF160R12W2H3FB11BPSA1	125.8700	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF160R12			20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器															沟渠场停止	1200 v	40 a		1.7V @ 15V，20A				1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
IRFR3706	-	RFQ	1890年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR3706	Ear99	8541.29.0095	75		n通道			20 v	75A（TC）	2.8V，10V	9mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IRF7604Tr	-	RFQ	8032	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道			20 v	3.6a（ta）		90MOHM @ 2.4a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V		590 pf @ 15 V	-
SIGC18T60NCX1SA4	-	RFQ	1718年	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			300V，20a，13ohm，15V													npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
IRF3305pbf	-	RFQ	5819	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3650 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IPP052NE7N3GHKSA1	-	RFQ	4867	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP052M		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000846650	Ear99	8541.29.0095	500		n通道			75 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²