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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
F423MR12W1M1PB11BPSA1	158.1500	RFQ	8	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F423MR12		MOSFET （金属 o化物）			Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	4 n通道			1200V	50a		22.5mohm @ 50a，15v	5.5V @ 20mA	124nc @ 15V		3.68nf @ 800V	-
IPG20N06S415ATMA1	-	RFQ	8826	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	50W		PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）			60V	20a		15.5mohm @ 17a，10v	4V @ 20µA	29nc @ 10V		2260pf @ 25V	-
IRF6626TR1PBF	-	RFQ	1227	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™st	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		30 V	16a（16a），72a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 16a，10v	2.35V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2380 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IPP026N10NF2SAKMA1	5.7700	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP026N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	27a（27a），184a （TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 169µA	154 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
SI4435DY	-	RFQ	2560	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*SI4435DY	Ear99	8541.29.0095	95		P通道		30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLI2910	-	RFQ	3768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLI2910	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	31a（TC）	4V，10V	26mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	63W（TC）
IRF3709L	-	RFQ	7948	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3709L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IPI037N06L3GHKSA1	-	RFQ	9773	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI037N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	90A（TC）	10V	3.7MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 93µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
IRF6674TR1PBF	-	RFQ	1678年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MZ	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	13.4A（TA），67A （TC）	10V	11mohm @ 13.4a，10v	4.9V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），89W（tc）
64-4092pbf	-	RFQ	8564	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU2705		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		55 v	28a（TC）	4V，10V	40mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	68W（TC）
BCR 162F E6327	-	RFQ	6346	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 162			200兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
BSD840N L6327	-	RFQ	3728	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BSD840		MOSFET （金属 o化物）	500MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	880mA		400MOHM @ 880mA，2.5V	750mv @ 1.6µA	0.26NC @ 2.5V		78pf @ 10V	逻辑级别门
SMBT3906SH6327XTSA1	0.0835	RFQ	2293	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	SMBT 3906			330MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40V	200mA						50NA（iCBO）			2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
ICA22V14X1SA1	-	RFQ	6564	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001174086	过时的	0000.00.0000	1
BSP135L6433HTMA1	-	RFQ	8359	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		600 v	120mA（ta）	0V，10V	45ohm @ 120mA，10v	1V @ 94µA	4.9 NC @ 5 V	±20V	146 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
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FF450R33T3E3B5P2BPSA1	1.0000	RFQ	5778	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R33			1000000 w	标准	AG-XHP100-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立														沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a				5 ma	不	84 NF @ 25 V
IGW40N120H3FKSA1	7.1300	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW40N120	标准		483 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，12ohm，15V												沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	3.16MJ	185 NC	30NS/290NS
IPP129N10NF2SAKMA1	1.7100	RFQ	31	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP129N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	12a（12a），52a（tc（TC）	6V，10V	12.9mohm @ 30a，10v	3.8V @ 30µA	28 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
BSP300L6327HUSA1	-	RFQ	1980	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		800 v	（190ma ta）	10V	20ohm @ 190mA，10v	4V @ 1mA		±20V	230 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF7854pbf	-	RFQ	6395	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001551588	Ear99	8541.29.0095	95		n通道		80 V	10a（10a）	10V	13.4mohm @ 10a，10v	4.9V @ 100µA	41 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
SPP06N80C3XKSA1	2.4000	RFQ	8	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP06N80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 3.8A，10V	3.9V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
AUIRFR4105Z	-	RFQ	1493	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520528	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	20A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
DD800S17K6CB2NOSA1	1.0000	RFQ	16	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-DD800S17K6CB2NOSA1-448			1
IRFS3107Trl7pp	5.0200	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS3107		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRLR7807ZTR	-	RFQ	7312	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558476	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRFR120NTRRPBF	-	RFQ	8080	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571004	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	9.4A（TC）	10V	210MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	48W（TC）
BCR 112T E6327	-	RFQ	6843	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 112			250兆		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
BC847SH6730XTMA1	-	RFQ	5463	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC847			250MW		PG-SOT363-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001008360	Ear99	8541.21.0075	3,000																45V	100mA						15NA（icbo）			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BSC059N04LS6ATMA1	1.1900	RFQ	27	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC059		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	（17a）（49A（tc），59a （TC（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 50a，10V	2.3V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 20 V	-	3W（3W），38W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²