晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
BSZ160N10NS3GATMA1	1.6400	询价	18	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ160	MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100伏	8A（Ta）、40A（Tc）	6V、10V	16毫欧@20A，10V	3.5V@12μA	25nC@10V	±20V	1700pF@50V	-	2.1W（Ta）、63W（Tc）
IKW75N60TXK	1.0000	询价	7047	英飞凌科技	-	大部分	的积极									下载					EAR99	8542.39.0001	1
BSM100GB120DN2HOSA1	185.3680	询价	9504	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买	150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM100		800W	标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥													-	1200伏	150A	3V@15V，100A	2毫安	不	6.5nF@25V
SPB02N60C3	0.5100	询价	11	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	1.8A（温度）	10V	3欧姆@1.1A，10V	3.9V@80μA	12.5nC@10V	±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
BFP520FE6327	0.1600	询价	15	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，写入			100毫W		4-TSFP	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000			22.5分贝												3.5V	40毫安					NPN	70@20mA，2V	45GHz	0.95dB@1.8GHz
BFS481H6327	1.0000	询价	8924	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363			175毫W		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1			20分贝												12V	20毫安					2 NPN（双）	70@5mA，8V	8GHz	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
AUIRF3004WL	-	询价	2789	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-262-3 宽引线	AUIRF3004	MOSFET（金属O化物）			TO-262-3 宽幅	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001517752	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	240A（温度）	10V	1.4毫欧@195A，10V	4V@250μA	210nC@10V	±20V	9450pF@32V	-	375W（温度）
IPD50R950CEBTMA1	-	询价	5820	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD50R	MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		500V	4.3A（温度）	13V	950毫欧@1.2A，13V	3.5V@100μA	10V时为10.5nC	±20V	100V时为231pF	-	34W（温度）
IPDQ60R020CFD7XTMA1	22.3400	询价	第1593章	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	22-PowerBSOP模块		MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	750		N沟道		600伏	112A（温度）	10V	20毫欧@42.4A，10V	4.5V@2.12mA	186nC@10V	±20V	7395 pF @ 400 V	-	543W（温度）
IRG7CH20K10EF	-	询价	3425	英飞凌科技	-	大部分	过时的				IRG7CH					下载		不适用	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
IRF8252TRPBF-1	-	询价	6705	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001563862	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		25V	25A（塔）	4.5V、10V	2.7毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	53nC@4.5V	±20V	5305pF@13V	-	2.5W（塔）
IRF540NSTRRPBF	-	询价	4941	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF540	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	33A（温度）	10V	44毫欧@16A，10V	4V@250μA	71nC@10V	±20V	1960pF@25V	-	130W（温度）
BSM25GD120DN2E3224BPSA1	119.6547	询价	3836	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买	150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM25G		200W	标准	AG-ECONO2B	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	全桥													-	1200伏	35A	3V@15V，25A	800微安	不	1.65nF@25V
BSC350N20NSFDATMA1	3.5900	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC350	MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		200V	35A（温度）	10V	35毫欧@35A，10V	4V@90μA	30nC@10V	±20V	100V时为2410pF	-	150W（温度）
IRFU4105	-	询价	1937年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFU4105	EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		55V	27A（温度）	10V	45毫欧@16A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±20V	700pF@25V	-	68W（温度）
IPP041N12N3GXKSA1	6.3900	询价	16	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP041	MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		120V	120A（温度）	10V	4.1毫欧@100A，10V	4V@270μA	211nC@10V	±20V	13800pF@60V	-	300W（温度）
AUIRLR3410TRL	2.4800	询价	2728	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、HEXFET®	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRLR3410	MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	17A（温度）	4V、10V	105毫欧@10A、10V	2V@250μA	34nC@5V	±16V	800pF@25V	-	79W（温度）
BSC0904NSIATMA1	0.9100	询价	30	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC0904	MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	20A（Ta）、78A（Tc）	4.5V、10V	3.7毫欧@30A，10V	2V@250μA	17nC@10V	±20V	1100pF@15V	-	2.5W（Ta）、37W（Tc）
IRF6623TR1PBF	-	询价	9338	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 ST		MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ ST	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		20V	16A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	5.7毫欧@15A，10V	2.2V@250μA	17nC@4.5V	±20V	1360pF@10V	-	1.4W（Ta）、42W（Tc）
94-2310	-	询价	6206	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	94-2310	MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	17A（温度）	4V、10V	100mOhm@9A，10V	2V@250μA	34nC@5V	±20V	800pF@25V	-	3.8W（Ta）、79W（Tc）
IRF1010NSTRL	-	询价	6633	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		55V	85A（温度）	10V	11毫欧@43A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	3210pF@25V	-	180W（温度）
IRL3302PBF	-	询价	8123	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		20V	39A（温度）	4.5V、7V	20毫欧@23A，7V	700mV @ 250μA（极低）	31nC@4.5V	±10V	1300pF@15V	-	57W（温度）
IRLR7843CPBF	-	询价	8336	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		30V	161A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@15A，10V	2.3V@250μA	50nC@4.5V	±20V	4380pF@15V	-	140W（温度）
IRFR024NPBF	-	询价	2213	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		55V	17A（温度）	10V	75毫欧@10A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	370pF@25V	-	45W（温度）
IRF7807D1	-	询价	1194	英飞凌科技	FETKY™	管子	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		30V	8.3A（塔）	4.5V	25毫欧@7A，4.5V	1V@250μA	17nC@5V	±12V		肖特基分散（隔离）	2.5W（温度）
IRFHM830TRPBF	0.9300	询价	4	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	IRFHM830	MOSFET（金属O化物）			8-PQFN-双 (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		30V	21A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@20A，10V	2.35V@50μA	31nC@10V	±20V	2155pF@25V	-	2.7W（Ta）、37W（Tc）
BSS138N-E6327	-	询价	8873	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	230mA（塔）	4.5V、10V	3.5欧姆@230mA，10V	1.4V@250μA	1.4nC@10V	±20V	41pF@25V	-	360毫W（塔）
BSC010N04LSTATMA1	2.8100	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC010	MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	39A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	1mOhm@50A，10V	2V@250μA	133nC@10V	±20V	9520pF@20V	-	3W（Ta）、167W（Tc）
BTS121ANKSA1	-	询价	9095	英飞凌科技	TEMPFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		100伏	22A（温度）	4.5V	100毫欧@9.5A，4.5V	2.5V@1mA		±10V	1500pF@25V	-	95W（温度）
IRFH4209DTRPBF	-	询价	9720	英飞凌科技	FASTIRFET™、HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）			PQFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001554690	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		25V	44A（Ta）、260A（Tc）	4.5V、10V	1.1毫欧@50A，10V	2.1V@100μA	74nC@10V	±20V	4620pF@13V	-	3.5W（Ta）、125W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²