晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
IPD034N06N3GATMA1	1.8300	询价	6	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD034			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						60V	100A（温度）	10V	3.4毫欧@100A，10V	4V@93μA	130nC@10V	±20V	11000pF@30V	-	167W（温度）
ISC750P10LMATMA1	2.6600	询价	5	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	8-PowerTDFN	ISC750			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-7	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道						100伏	27.3A	-	-	-		-		-	-
IKW30N65NL5XKSA1	-	询价	8266	英飞凌科技	TrenchStop™ 5	管子	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW30N	标准			227 W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240				400V，30A，23欧姆，15V															59纳秒	-	650伏	85A	120A	1.35V@15V，30A	560μJ（开），1.35mJ（关）	168nC	59纳秒/283纳秒
IPI60R165CPAKSA1	2.5626	询价	6503	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI60R165			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						650伏	21A（温度）	10V	165毫欧@12A，10V	3.5V@790μA	52nC@10V	±20V	2000 pF @ 100 V	-	192W（温度）
IRF3707ZCSTRLP	-	询价	1242	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						30V	59A（TC）	4.5V、10V	9.5毫欧@21A，10V	2.25V@25μA	15nC@4.5V	±20V	1210pF@15V	-	57W（温度）
IRG4BC30KD-SPBF	-	询价	4087	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRG4BC30KD-SPBF	标准			100W		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				480V，16A，23欧姆，15V															42纳秒	-	600伏	28A	56A	2.7V@15V，16A	600μJ（开），580μJ（关）	67 纳克	60纳秒/160纳秒
BSC021N08NS5ATMA1	4.0900	询价	5214	英飞凌科技	OptiMOS™、StrongIRFET™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC021			MOSFET（金属O化物）			PG-TSON-8-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						80V	100A（温度）	6V、10V	2.1毫欧@50A，10V	3.8V@146μA	29nC@10V	±20V	8600pF@40V	标准	214W（温度）
SN7002WL6327	-	询价	3648	英飞凌科技	SIPMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				MOSFET（金属O化物）			PG-SOT323-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	6,000		N沟道						60V	230mA（塔）	4.5V、10V	5欧姆@230mA，10V	1.8V@26μA	1.5nC@10V	±20V	45pF@25V	-	500毫W（塔）
SPW32N50C3FKSA1	9.8800	询价	第438章	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SPW32N50			MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道						560伏	32A（温度）	10V	110毫欧@20A，10V	3.9V@1.8mA	170nC@10V	±20V	4200pF@25V	-	284W（温度）
IRGS4620DTRRPBF	-	询价	3764	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			140W		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001535912	EAR99	8541.29.0095	800				400V，12A，22欧姆，15V															68纳秒	-	600伏	32A	36A	1.85V@15V，12A	75μJ（开），225μJ（关）	25nC	31纳秒/83纳秒
IPB22N03S4L-15ATMA1	-	询价	6832	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						30V	22A（温度）	4.5V、10V	14.6毫欧@22A，10V	2.2V@10μA	14nC@10V	±16V	980pF@25V	-	31W（温度）
IPB020N10N5LFATMA1	8.4300	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™-5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB020			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	120A（温度）	10V	2mOhm@100A，10V	4.1V@270μA	195nC@10V	±20V	840pF@50V	-	313W（温度）
IPB80N06S407ATMA2	1.7700	询价	1	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB80N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	80A（温度）	10V		4V@40μA	56nC@10V	±20V	4500pF@25V	-	79W（温度）
BCR112WH6327XTSA1	0.0553	询价	5839	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买			表面贴装	SC-70、SOT-323	BCR112				250毫W		PG-SOT323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安							100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	20@5mA，5V	140兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
IRLU120NPBF	1.0000	询价	4	英飞凌科技	HEXFET®	管子	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRLU120			MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						100伏	10A（温度）	4V、10V	185mOhm@6A，10V	2V@250μA	20nC@5V	±16V	440pF@25V	-	48W（温度）
FS200R07N3E4RBOSA1	261.7600	询价	17号	英飞凌科技	经济包装™3	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FS200R07				600W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	650伏	200A		1.95V@15V，200A					1毫安	是的	13nF@25V
IRLR8743PBF	-	询价	7033	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						30V	160A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	59nC@4.5V	±20V	4880pF@15V	-	135W（温度）
SPD30N03S2L07GBTMA1	-	询价	2449	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	防雷器30N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						30V	30A（温度）	4.5V、10V	6.7毫欧@30A，10V	2V@85μA	68nC@10V	±20V	25V时为2530pF	-	136W（温度）
IRF135S203	3.0000	询价	第524章	英飞凌科技	HEXFET®、StrongIRFET™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF135			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						135V	129A（温度）	10V	8.4毫欧@77A，10V	4V@250μA	270nC@10V	±20V	9700pF@50V	-	441W（温度）
FF300R07ME4BOSA1	169.5600	询价	4	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF300R07				20毫W	标准	AG-ECONOD-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立																			沟渠场站	650伏	300A		1.95V@15V，300A					1毫安	是的	18.5nF@25V
IRF7341GTRPBF	2.2500	询价	20	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF734			MOSFET（金属O化物）	2.4W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）							55V	5.1A		50mOhm@5.1A，10V	1V@250μA（最低）	44nC@10V		780pF @ 25V	-
IPS050N03LGBKMA1	-	询价	4516	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak				MOSFET（金属O化物）			PG-TO251-3-11	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000264170	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						30V	50A（温度）	4.5V、10V	5毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	31nC@10V		3200pF@15V	-	68W（温度）
FP15R06KL4BOMA1	-	询价	2077	英飞凌科技	-	托盘	过时的												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	20
SIGC08T60EX1SA1	-	询价	1822年	英飞凌科技	TrenchStop™	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	死	SIGC08	标准					死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	1				-																沟渠场站	600伏	15A	45A	1.9V@15V，15A	-		-
PTFA081501F V1	-	询价	9511	英飞凌科技	金茂®	托盘	SIC停产	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部			900兆赫	LDMOS			H-31248-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			10微安		950毫安	150W	18分贝											-										28V
SPP42N03S2L13	-	询价	7493	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SPP42N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						30V	42A（温度）	4.5V、10V	12.9毫欧@21A，10V	2V@37μA	10V时为30.5nC	±20V	1130pF@25V	-	83W（温度）
IRF6797MTR1PBF	-	询价	7190	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX				MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						25V	36A（Ta）、210A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@38A，10V	2.35V@150μA	68nC@4.5V	±20V	5790pF@13V	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
SGI02N120XKSA1	-	询价	1818	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SGI02N	标准			62W		PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500				800V，2A，91欧姆，15V																不扩散条约	1200伏	6.2A	9.6安	3.6V@15V，2A	220μJ	11nC	23纳秒/260纳秒
IPD25CN10NGATMA1	1.4700	询价	1718	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD25CN10			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						100伏	35A（温度）	10V	25毫欧@35A，10V	4V@39μA	31nC@10V	±20V	2070pF@50V	-	71W（温度）
IRFH4251DTRPBF	-	询价	3738	英飞凌科技	快速场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	IRFH4251			MOSFET（金属O化物）	31W、63W		PG-TISON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 N 沟道（双），肖特基							25V	64A、188A		3.2毫欧@30A，10V	2.1V@35μA	15nC@4.5V		1314pF@13V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²