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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BSM50GB120DLCHOSA1	-	RFQ	1688年	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G				460 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																			-	1200 v	115 a		2.6V @ 15V，50a					5 ma	不	3.3 NF @ 25 V
BUZ103SL	-	RFQ	6772	Infineon技术	-	大部分	积极的												下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPD65R950CFDATMA1	0.6380	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R950			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
BSP320SL6433	0.2000	RFQ	7	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						60 V	2.9a（TJ）	10V	120MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 20µA	12 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPB200N15N3GATMA1	3.1500	RFQ	109	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB200			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
BC857CWH6327	0.0500	RFQ	336	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857				250兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,053																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IPP05CN10NGXKSA1	2.2352	RFQ	1488	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP05CN10			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						100 v	100A（TC）	10V	5.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	181 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IPD60R360PFD7SAUMA1	1.4100	RFQ	9676	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-344	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IRGB4B60KD1PBF	-	RFQ	7395	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRGB4B	标准			63 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，4A，100OHM，15V															93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
AIKW50N60CTXKSA1	10.2500	RFQ	9147	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准			333 w		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，7ohm，15V																沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
IPP200N15N3GHKSA1	-	RFQ	9922	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP200N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000414714	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
IRF150P220AKMA1	12.0300	RFQ	103	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						150 v	203A（TC）	10V	2.7MOHM @ 100A，10V	4.6V @ 265µA	200 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），556W（TC）
irlr8103tr	-	RFQ	2710	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						30 V	89a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	50 NC @ 5 V	±20V		-	89W（TC）
IRF9956	-	RFQ	5985	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9956	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）							30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IQDH29NE2LM5CGATMA1	3.8200	RFQ	1519年	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-POWERTDFN	IQDH29			MOSFET （金属 o化物）			PG-TTFN-9-U02	-	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	5,000		n通道						25 v	75a（75A），789a （TC）	4.5V，10V	0.29MOHM @ 50a，10V	2V @ 1.448mA	254 NC @ 10 V	±16V	17000 PF @ 12 V	-	2.5W（278W）（278W）TC）
AUIRF2804L-313Trl	-	RFQ	6833	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						40 V	195a（TC）	10V	2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
F3L300R12MT4B22BOSA1	284.5850	RFQ	9611	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L300				1550 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																			沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，300A					1 MA	是的	19 nf @ 25 V
IPW65R060CFD7XKSA1	9.2300	RFQ	2692	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R060			MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	36a（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 860µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）
PTFA070601FV4R250XTMA1	-	RFQ	8978	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA070601		760MHz	ldmos			H-37265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-		600 MA	60W	19.5db											-										28 V
FP35R12N2T7B11BPSA2	123.6900	RFQ	9217	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																			沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a					7 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
SPB100N08S2L-07	-	RFQ	7594	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB100N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						75 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 68A，10V	2V @ 250µA	246 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPN80R4K5P7ATMA1	0.8300	RFQ	8745	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN80R4			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						800 v	1.5A（TC）	10V	4.5Ohm @ 400mA，10v	3.5V @ 20µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 500 V	-	6W（TC）
auirfz24ns	-	RFQ	7214	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Auirfz24			MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
BSC027N04LSGATMA1	1.5800	RFQ	51	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						40 V	（24A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 49µA	85 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
IRF6216PBF	-	RFQ	2909	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF6216			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道						150 v	2.2A（ta）	10V	240MOHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
F575R06KE3B5BOSA1	-	RFQ	7495	Infineon技术	Econopack™3	托盘	过时的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F575R06				250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																			沟渠场停止	600 v	75 a		1.9V @ 15V，75a					1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
DF1000R17IE4BOSA1	710.6400	RFQ	1196	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF1000				6250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的																			-	1700 v			2.45V @ 15V，1000a					5 ma	是的	81 NF @ 25 V
SIGC28T60EX1SA4	-	RFQ	3188	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC28	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1				-																沟渠场停止	600 v	50 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	-		-
FS75R12W2T4PBPSA1	80.8150	RFQ	8078	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12				375 w	标准	Ag-Easy2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	完整的桥梁逆变器																			沟渠场停止	1200 v	107 a		2.15V @ 15V，75a					1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
AUIRGP66524D0	-	RFQ	4191	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP66524	标准			214 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				400V，24a，10ohm，15V															176 ns	-	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	80 NC	30ns/75ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²