晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
SI4410DYPBF	-	询价	1930年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		N沟道						30V	10A（塔）	4.5V、10V	13.5毫欧@10A、10V	1V@250μA	45nC@10V	±20V	15V时为1585pF	-	2.5W（塔）
ICA32V23X1SA1	-	询价	9178	英飞凌科技	*	大部分	过时的												下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001113928	过时的	0000.00.0000	1
IRFU3910	-	询价	9925	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA				MOSFET（金属O化物）			IPAK (TO-251AA)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道						100伏	16A（温度）	10V	115毫欧@10A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	640pF@25V	-	79W（温度）
BSP62E6327HTSA1	-	询价	7905	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP62				1.5W		PG-SOT223-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																				80V	1A						10微安			PNP-达林顿	1.8V@1mA、1A	2000@500mA，10V	200兆赫
BSC076N06NS3GATMA1	1.5700	询价	4	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC076			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						60V	50A（温度）	10V	7.6毫欧@50A，10V	4V@35μA	50nC@10V	±20V	4000pF@30V	-	2.5W（Ta）、69W（Tc）
IRF7700TRPBF	-	询价	2913	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道						20V	8.6A（温度）	2.5V、4.5V	15毫欧@8.6A，4.5V	1.2V@250μA	89nC@5V	±12V	4300pF@15V	-	1.5W（温度）
PTF080101M V1	-	询价	第1174章	英飞凌科技	金茂®	卷带式 (TR)	SIC停产	65V		表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）			960兆赫	LDMOS			PG-RFP-10	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500			1微安		180毫安	10W	16分贝											-								28V
IRF1407L	-	询价	6962	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF1407L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						75V	100A（温度）	10V	7.8毫欧@78A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	5600pF@25V	-	3.8W（Ta）、200W（Tc）
IPU10N03LA	-	询价	2304	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPU10N			MOSFET（金属O化物）			P-TO251-3-1	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP000014984	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道						25V	30A（温度）	4.5V、10V	10.4毫欧@30A，10V	2V@20μA	11nC@5V	±20V	1358pF@15V	-	52W（温度）
IPP034NE7N3GXKSA1	3.7800	询价	1	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP034			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						75V	100A（温度）	10V	3.4毫欧@100A，10V	3.8V@155μA	117nC@10V	±20V	8130pF@37.5V	-	214W（温度）
FF300R12ME4BOSA1	205.3600	询价	5367	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FF300R12				1600W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立																		沟渠场站	1200伏	450A		2.1V@15V，300A				3毫安	是的	18.5nF@25V
IRFHM8329TRPBF	-	询价	9501	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）			PQFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						30V	16A（Ta）、57A（Tc）	4.5V、10V	6.1毫欧@20A，10V	2.2V@25μA	26nC@10V	±20V	1710pF@10V	-	2.6W（Ta）、33W（Tc）
SIGC81T60SNCX1SA1	-	询价	2072	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死	SIGC81T60	标准					死	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1				400V，100A，3.3欧姆，15V															不扩散条约	600伏	100A	300A	2.5V@15V，100A	-	65纳秒/450纳秒
ISK036N03LM5AUSA1	0.4339	询价	3873	英飞凌科技	OptiMOS™5	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6电源VDFN				MOSFET（金属O化物）			PG-VSON-6-1	下载	符合ROHS3标准			448-ISK036N03LM5AUSA1TR			3,000		N沟道						30V	16.5A（Ta）、81A（Tc）	4.5V、10V	3.6毫欧@20A，10V	2V@250μA	10V时为21.5nC	±16V	1400pF@15V	-	2.1W（Ta）、39W（Tc）
BSC029N025S G	-	询价	5987	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						25V	24A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	2.9毫欧@50A，10V	2V@80μA	41nC@5V	±20V	5090pF@15V	-	2.8W（Ta）、78W（Tc）
SPP06N60C3XKSA1	-	询价	5420	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SPP06N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000681028	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						600伏	6.2A（温度）	10V	750毫欧@3.9A，10V	3.9V@260μA	31nC@10V	±20V	620pF@25V	-	74W（温度）
IPA126N10NM3SXKSA1	1.8500	询价	500	英飞凌科技	OptiMOS™3	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	异丙醇126			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						100伏	39A（温度）	6V、10V	12.6毫欧@39A，10V	3.5V@46μA	35nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	33W（温度）
FF450R07ME4B11BPSA1	209.5800	询价	10	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF450R07				1450W	标准	农业经济	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立																		沟渠场站	650伏	560A		1.95V@15V，450A				1毫安	是的	27.5nF@25V
IRFS3806TRLPBF	1.4100	询价	21	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRFS3806			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道						60V	43A（温度）	10V	15.8毫欧@25A，10V	4V@50μA	30nC@10V	±20V	1150pF@50V	-	71W（温度）
IRLR3715ZTR	-	询价	3478	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	SP001558456	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道						20V	49A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@15A，10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V	±20V	10V时为810pF	-	40W（温度）
BSP129H6906XTSA1	1.2000年	询价	4	英飞凌科技	SIPMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP129			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						240伏	350mA（塔）	0V、10V	6欧姆@350mA，10V	1V@108μA	5.7nC@5V	±20V	108pF@25V	成熟模式	1.8W（塔）
IRL530NSPBF	-	询价	4644	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						100伏	17A（温度）	4V、10V	100mOhm@9A，10V	2V@250μA	34nC@5V	±20V	800pF@25V	-	3.8W（Ta）、79W（Tc）
IRF9540NPBF	1.6300	询价	8	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF9540			MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		P沟道						100伏	23A（温度）	10V	117毫欧@11A，10V	4V@250μA	97nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	140W（温度）
AUIRF1405ZS	-	询价	3176	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						55V	150A（温度）	10V	4.9毫欧@75A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	4780pF@25V	-	230W（温度）
FS75R17KE3BOSA1	229.9300	询价	5105	英飞凌科技	-	托盘	的积极		-40℃～125℃	安装结构	模块	FS75R17				465W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	全桥																		-	1700伏	130A		2.45V@15V，75A				5毫安	是的	6.8nF@25V
IRF7490TRPBF	1.3000	询价	13	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7490			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						100伏	5.4A（塔）	10V	39毫欧@3.2A，10V	4V@250μA	56nC@10V	±20V	1720pF@25V	-	2.5W（塔）
IPB240N04S4R9ATMA1	6.7200	询价	2915	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB240			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						40V	240A（温度）	10V	0.87毫欧@100A，10V	4V@230μA	290nC@10V	±20V	23000pF@25V	-	300W（温度）
SN7002W E6433	-	询价	3147	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SN7002W			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT323	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道						60V	230mA（塔）	4.5V、10V	5欧姆@230mA，10V	1.8V@26μA	1.5nC@10V	±20V	45pF@25V	-	500毫W（塔）
FF300R17KE3HDLA1	333.1650	询价	3207	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-40°C ~ 125°C（太焦）	安装结构	模块	FF300R17				1450W	标准	AG-62MMHB	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	32	单开关																		沟渠场站	1700伏	404A		2.45V@15V，300A				3毫安	不	27nF@25V
FZ1800R45HL4S7BPSA1	4.0000	询价	1	英飞凌科技	IHM-B	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FZ1800				4000000W	标准	AG-IHVB190	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	-																		沟渠场站	4500伏	1800A		2.6V@25V，1800A				5毫安	不	297nF@25V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²