晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
IGC99T120T8RQX7SA1	-	询价	7802	英飞凌科技	TrenchStop™	大部分	的积极				IGC99T120	标准					下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	IGC99T120T8RQ	EAR99	8541.29.0095	1			-												沟渠场站	1200伏		300A	2.42V@15V，100A	-		-
IRFH8316TRPBF	-	询价	8446	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）			8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		30V	27A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	2.95毫欧@20A，10V	2.2V@50μA	59nC@10V	±20V	10V时为3610pF	-	3.6W（Ta）、59W（Tc）
FS600R07A2E3BOSA1	-	询价	1330	英飞凌科技	HybridPACK™ 2	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FS600R07			1250W	标准	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1	土耳其														沟渠场站	650伏	530A		1.6V@15V，400A				5毫安	是的	39nF@25V
IRG4RC10SDTRRP	-	询价	9599	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRG4RC10	标准		38W		D-帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001540522	EAR99	8541.29.0095	3,000			480V，8A，100欧姆，15V											28纳秒	-	600伏	14A	18A	1.8V@15V，8A	310μJ（开），3.28mJ（关）	15纳克	76纳秒/815纳秒
IPP80N04S303AKSA1	-	询价	1922年	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP80N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		40V	80A（温度）	10V	3.5毫欧@80A，10V	4V@120μA	110nC@10V	±20V	7300pF@25V	-	188W（温度）
IRG4BC40KPBF	-	询价	5341	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160W		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			480V，25A，10欧姆，15V												-	600伏	42A	84A	2.6V@15V，25A	620μJ（开），330μJ（关）	120℃	30纳秒/140纳秒
IPW95R060PFD7XKSA1	14.9500	询价	194	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO247-3-41	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		950伏	74.7A（温度）	10V	60毫欧@57A，10V	3.5V@2.85mA	315nC@10V	±20V	9378 pF @ 400 V	-	446W（温度）
IHW20N120R5	1.0000	询价	2974	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		288 W		PG-TO247-3-41	下载					EAR99	8541.29.0095	1			600V，20A，10欧姆，15V												沟渠场站	1200伏	40A	60A	1.75V@15V，20A	-, 750μJ（关闭）	170℃	-/260纳秒
FZ1200R12KF4NOSA1	-	询价	7347	英飞凌科技	IHM-B	托盘	过时的	150°C（太焦）	安装结构	模块				7800W	标准	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2	单开关														-	1200伏	1200A		3.2V@15V，1.2kA				16毫安	不	90nF@25V
BCP49	0.1300	询价	31	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA				1.5W		PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	2,308																60V	500毫安						100nA（ICBO）			NPN-达林顿	1V@100μA，100mA	10000@100mA，5V	200兆赫
IRG4IBC20KDPBF	-	询价	9661	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IRG4IBC	标准		34W		TO-220AB全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000			480V，9A，50欧姆，15V											37纳秒	-	600伏	11.5安	23A	2.8V@15V，9A	340μJ（开），300μJ（关）	34nC	54纳秒/180纳秒
IKA15N60TXKSA1	2.7100	询价	6354	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IKA15N60	标准		35.7W		PG-TO220-3-31	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50			400V，15A，15欧姆，15V											34纳秒	沟渠场站	600伏	14.7A	45A	2.05V@15V，15A	570μJ	87 纳克	17纳秒/188纳秒
IRL3714LPBF	-	询价	7430	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		20V	36A（温度）	4.5V、10V	20毫欧@18A，10V	3V@250μA	9.7nC@4.5V	±20V	670pF@10V	-	47W（温度）
BSS119N H7796	0.0400	询价	10	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23-3-5	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	7,493		N沟道		100伏	190毫安（塔）	4.5V、10V	6欧姆@190mA，10V	2.3V@13μA	10V时为0.6nC	±20V	20.9pF@25V	-	500毫W（塔）
SPI11N60S5BKSA1	-	询价	4453	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI11N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	5.5V@500μA	54nC@10V	±20V	1460pF@25V	-	125W（温度）
AUIRF9952QTR	-	询价	6192	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AUIRF9952		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001517940	EAR99	8541.29.0095	4,000	N 和 P 沟道			30V	3.5A、2.3A		100毫欧@2.2A，10V	3V@250μA	14nC@10V		190pF@15V	逻辑电平门
BSO080P03SNTMA1	-	询价	1978年	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	12.6A（塔）	10V	8毫欧@14.9A，10V	2.2V@250μA	136nC@10V	±25V	5890pF@25V	-	1.79W（塔）
IRF7450PBF	-	询价	8051	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001559868	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道		200V	2.5A（塔）	10V	170毫欧@1.5A，10V	5.5V@250μA	39nC@10V	±30V	940pF@25V	-	2.5W（塔）
BSZ520N15NS3GATMA1	1.6900	询价	8	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSZ520		MOSFET（金属O化物）			PG-TSDSON-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		150伏	21A（温度）	8V、10V	52毫欧@18A，10V	4V@35μA	12nC@10V	±20V	890 pF @ 75 V	-	57W（温度）
BSO130N03味精	-	询价	9412	英飞凌科技	OptiMOS™3	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			PG-DSO-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	99		N沟道		30V	9A（塔）	4.5V、10V	13毫欧@11.1A，10V	2V@250μA	17nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	1.56W（塔）
IKD15N60RFAATMA1	1.4998	询价	6682	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、TrenchStop™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IKD15N60	标准		240W		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001205248	EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，15A，15欧姆，15V											74纳秒	沟	600伏	30A	45A	2.5V@15V，15A	270μJ（开），250μJ（关）	90℃	13纳秒/160纳秒
BSS119E6327	-	询价	8245	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		100伏	170毫安（塔）	4.5V、10V	6欧姆@170mA，10V	2.3V@50μA	10V时为2.5nC	±20V	78pF@25V	-	360毫W（塔）
IPP65R110CFD7XKSA1	5.7700	询价	107	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IPP65R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	22A（温度）	10V	110毫欧@9.7A，10V	4.5V@480μA	41nC@10V	±20V	1942 pF @ 400 V	-	114W（温度）
IGLR60R190D1E8238XUMA1	-	询价	第1791章	英飞凌科技	CoolGaN™	卷带式 (TR)	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN			GaNFET（N化镓）			PG-TSON-8-6	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		600伏	12.8A（温度）	-	-	1.6V@960μA		-10V	157 pF @ 400 V	-	55.5W（温度）
IRG4PH50S-EPBF	-	询价	5446	英飞凌科技	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG4PH50	标准		200W		TO-247AD	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25			960V，33A，5欧姆，15V												-	1200伏	57一个	114 一个	1.7V@15V，33A	1.8mJ（开）、19.6mJ（关）	167 纳克	32纳秒/845纳秒
IGC10T65U8QX1SA1	-	询价	8806	英飞凌科技	-	大部分	的积极	-	-	-	IGC10	-				-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	1			-												-				-	-		-
IPP048N06L G	-	询价	1360	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP048N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	100A（温度）	4.5V、10V	4.7毫欧@100A，10V	2V@270μA	225nC@10V	±20V	7600pF@30V	-	300W（温度）
IRLR3103TRR	-	询价	3181	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	55A（温度）	4.5V、10V	19毫欧@33A，10V	1V@250μA	50nC@4.5V	±16V	1600pF@25V	-	107W（温度）
BSS84P E6433	-	询价	6667	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道		60V	170毫安（塔）	4.5V、10V	8欧姆@170mA，10V	2V@20μA	1.5nC@10V	±20V	19pF@25V	-	360毫W（塔）
IRF6638TRPBF	-	询价	4606	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,800		N沟道		30V	25A（Ta）、140A（Tc）	4.5V、10V	2.9毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	45nC@4.5V	±20V	15V时为3770pF	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²