晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
BFR193FH6327	0.0800	询价	99	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723					580毫W		PG-TSFP-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000							19分贝														12V	80毫安										NPN	70@30mA，8V	8GHz	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPP65R125C7	1.0000	询价	2962	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道						650伏	18A（温度）	10V	125毫欧@8.9A，10V	4V@440μA	35nC@10V	±20V	1670 pF @ 400 V	-	101W（温度）
PTFA211801E V4	-	询价	2716	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		安装结构	H-36260-2	PTFA211801		2.14GHz	LDMOS			H-36260-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	35			10微安		1.2A	35W	15.5分贝											-										28V
IPAN70R750P7SXKSA1	1.1600	询价	148	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAN70			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						700伏	6.5A（温度）	10V	750毫欧@1.4A，10V	3.5V@70μA	10V时为8.3nC	±16V	306 pF @ 400 V	-	20.8W（温度）
IRF7501TR	-	询价	7557	英飞凌科技	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	IRF7501			MOSFET（金属O化物）	1.25W		微8™	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）							20V	2.4A		135毫欧@1.7A，4.5V	700mV@250μA	8nC@4.5V		260pF@15V	逻辑电平门
IRGBC20U	-	询价	2661	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准			60W		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50																				-	600伏	13A		3V@15V，6.5A
IPA60R450E6XKSA1	-	询价	2039	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						600伏	9.2A（温度）	10V	450毫欧@3.4A，10V	3.5V@280μA	28nC@10V	±20V	620 pF @ 100 V	-	30W（温度）
BSC024NE2LSATMA1	1.1600	询价	11	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC024			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						25V	25A（Ta）、110A（Tc）	4.5V、10V	2.4毫欧@30A，10V	2V@250μA	23nC@10V	±20V	1700pF@12V	-	2.5W（Ta）、48W（Tc）
IPP100N06S3L-04	-	询价	5531	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP100N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						55V	100A（温度）	5V、10V	3.8毫欧@80A，10V	2.2V@150μA	362nC@10V	±16V	17270pF@25V	-	214W（温度）
IRFCZ44VB	-	询价	9434	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	过时的		-	表面贴装	死				MOSFET（金属O化物）			死	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	448-IRFCZ44VB	过时的		1		-						60V	55A	10V	16.5毫欧@55A，10V	-		-		-	-
BFP193E6327HTSA1	0.4500	询价	6	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BFP193				580毫W		PG-SOT-143-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000							12分贝～18分贝														12V	80毫安										NPN	70@30mA，8V	8GHz	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IKD10N60RAATMA2	-	询价	3514	英飞凌科技	TrenchStop®	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	10N 平盾	标准			150W		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人				400V，10A，23欧姆，15V															62纳秒	沟	600伏	20A	30A	2.1V@15V，10A	-	64nC	14纳秒/192纳秒
BSC026NE2LS5ATMA1	1.4900	询价	18	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	BSC026			MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						25V	24A（Ta）、82A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@30A，10V	2V@250μA	16nC@10V	±16V	1100pF@12V	-	2.5W（Ta）、29W（Tc）
IPB030N08N3GATMA1	4.1700	询价	第752章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB030			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						80V	160A（温度）	6V、10V	3mOhm@100A，10V	3.5V@155μA	117nC@10V	±20V	8110pF@40V	-	214W（温度）
FP35R12KT4B16BOSA1	-	询价	1048	英飞凌科技	EconoPIM™2	托盘	SIC停产		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP35R12				210W	东部桥式调整器	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	1200伏	70A		2.25V@15V，35A					1毫安	是的	2nF@25V
IRG4BC20FD-SPBF	-	询价	2778	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			60W		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4BC20FD-SPBF	EAR99	8541.29.0095	50				480V，9A，50欧姆，15V															37纳秒	-	600伏	16A	64A	2V@15V，9A	250μJ（开），640μJ（关）	27nC	43纳秒/240纳秒
IRF9540NL	-	询价	3630	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF9540NL	EAR99	8541.29.0095	50		P沟道						100伏	23A（温度）	10V	117毫欧@11A，10V	4V@250μA	97nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	3.8W（Ta）、140W（Tc）
SPI16N50C3HKSA1	-	询价	5671	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	SPI16N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						560伏	16A（温度）	10V	280毫欧@10A，10V	3.9V@675μA	66nC@10V	±20V	1600pF@25V	-	160W（温度）
FF2000XTR17IE5BPSA1	1.0000	询价	2	英飞凌科技	-	托盘	的积极												-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2
AUIRFR2905ZTRL	1.0061	询价	7027	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR2905			MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001520228	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道						55V	42A（温度）	10V	14.5毫欧@36A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	1380pF@25V	-	110W（温度）
IPI051N15N5AKSA1	5.2101	询价	4677	英飞凌科技	OptiMOS™5	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI051			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						150伏	120A（温度）	8V、10V	5.1毫欧@60A，10V	4.6V@264μA	100nC@10V	±20V	7800pF@75V	-	300W（温度）
FF200R12MT4	1.0000	询价	4445	英飞凌科技	EconoDUAL™2	大部分	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块					1050W	标准	AG-ECONOD-2-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	半桥																			沟渠场站	1200伏	第295章		2.15V@15V，200A					1毫安	是的	14nF@25V
IRGS4615DTRLPBF	-	询价	4338	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			99 W		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001534008	EAR99	8541.29.0095	800				400V，8A，47欧姆，15V															60纳秒	-	600伏	23A	24A	1.85V@15V，8A	70μJ（开），145μJ（关）	19nC	30纳秒/95纳秒
BSC106N025S G	-	询价	6782	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN				MOSFET（金属O化物）			PG-TDSON-8-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						25V	13A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	10.6毫欧@30A，10V	2V@20μA	11nC@5V	±20V	1370pF@15V	-	2.8W（Ta）、43W（Tc）
IRF7410PBF	-	询价	2335	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		P沟道						12V	16A（塔）	1.8V、4.5V	7毫欧@16A，4.5V	900mV@250μA	91nC@4.5V	±8V	10V时为8676pF	-	2.5W（塔）
IRF3706S	-	询价	1990年	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3706S	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						20V	77A（温度）	2.8V、10V	8.5毫欧@15A，10V	2V@250μA	35nC@4.5V	±12V	10V时为2410pF	-	88W（温度）
F3L300R12MT4B22BOSA1	284.5850	询价	9611	英飞凌科技	EconoDUAL™ 3	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	F3L300				1550W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																			沟渠场站	1200伏	450A		2.1V@15V，300A					1毫安	是的	19nF@25V
IPDQ60R045CFD7XTMA1	12.3400	询价	3013	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	22-PowerBSOP模块	IPDQ60R			MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22-1	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	750		-						600伏	-	-	-	-		-		-	-
IKW30N60DTPXKSA1	3.0500	询价	第740章	英飞凌科技	TrenchStop™	管子	不适合新设计		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IKW30N60	标准			200W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				400V，30A，10.5欧姆，15V															76纳秒	沟渠场站	600伏	53A	90A	1.8V@15V，30A	710μJ（开），420μJ（关）	130 纳克	15纳秒/179纳秒
IRFHE4250DTRPBF	-	询价	6342	英飞凌科技	快速场效应晶体管™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	32-PowerWFQFN	IRFHE4250			MOSFET（金属O化物）	156W		32-PQFN (6x6)	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）							25V	86A、303A		2.75毫欧@27A，10V	2.1V@35μA	20nC@4.5V		1735pF@13V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²