晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
IPB144N12N3GATMA1	2.0500	询价	3	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB144		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			120V	56A（塔）	10V	14.4毫欧@56A，10V	4V@61μA	49nC@10V	±20V	3220pF@60V	-	107W（温度）
BSP322PH6327XTSA1	0.9800	询价	6577	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BSP322		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT223-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道			100伏	1A（温度）	4.5V、10V	800毫欧@1A，10V	1V@380μA	16.5nC@10V	±20V	372pF@25V	-	1.8W（塔）
IPP65R065C7	-	询价	4034	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载						0000.00.0000	1		N沟道			650伏	33A（温度）	10V	65毫欧@17.1A，10V	4V@850μA	64nC@10V	±20V	3020 pF @ 400 V	-	171W（温度）
BSS138WH6433XTMA1	0.3900	询价	9788	英飞凌科技	SIPMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BSS138		MOSFET（金属O化物）			PG-SOT323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道			60V	280mA（塔）	4.5V、10V	3.5欧姆@200mA，10V	1.4V@26μA	1.5nC@10V	±20V	43pF@25V	-	500毫W（塔）
SPD15P10PLGBTMA1	2.2600	询价	9	英飞凌科技	SIPMOS®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	SPD15P10		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道			100伏	15A（温度）	4.5V、10V	200毫欧@11.3A，10V	2V@1.54mA	62nC@10V	±20V	1490pF@25V	-	128W（温度）
IRL3715STRRPBF	-	询价	9892	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			20V	54A（温度）	4.5V、10V	14毫欧@26A，10V	3V@250μA	17nC@4.5V	±20V	10V时为1060pF	-	3.8W（Ta）、71W（Tc）
IRF8910GTRPBF	-	询价	3321	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF89		MOSFET（金属O化物）	2W		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）				20V	10A		13.4毫欧@10A、10V	2.55V@250μA	11nC@4.5V		960pF@10V	逻辑电平门
IGW50N60H3FKSA1	6.5000	询价	225	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IGW50N60	标准		333 W		PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			400V，50A，7欧姆，15V												沟渠场站	600伏	100A	200A	2.3V@15V，50A	2.36毫焦耳	315nC	23纳秒/235纳秒
AUIRFR5305TR	2.8500	询价	2	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AUIRFR5305		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道			55V	31A（温度）		65毫欧@16A，10V	4V@250μA	63nC@10V		1200pF@25V	-
IRLR3636TRLPBF	1.9600	询价	1	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRLR3636		MOSFET（金属O化物）			D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			60V	50A（温度）	4.5V、10V	6.8毫欧@50A，10V	2.5V@100μA	49nC@4.5V	±16V	50V时为3779pF	-	143W（温度）
IRF9333TRPBF	-	询价	8220	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF9333		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道			30V	9.2A（塔）	4.5V、10V	19.4毫欧@9.2A，10V	2.4V@25μA	38nC@10V	±20V	1110pF@25V	-	2.5W（塔）
IRF7469PBF	-	询价	5388	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001565446	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			40V	9A（塔）	4.5V、10V	17毫欧@9A，10V	3V@250μA	23nC@4.5V	±20V	2000pF@20V	-	2.5W（塔）
IRF7822PBF	-	询价	5853	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7822		MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001572268	EAR99	8541.29.0095	95		N沟道			30V	18A（塔）	4.5V	6.5毫欧@15A，4.5V	1V@250μA	60nC@5V	±12V	5500pF@16V	-	3.1W（塔）
IPB120N08S404ATMA1	4.1300	询价	2492	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB120		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			80V	120A（温度）	10V	4.1毫欧@100A，10V	4V@120μA	95nC@10V	±20V	6450pF@25V	-	179W（温度）
IRF8010STRRPBF	-	询价	8704	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道			100伏	80A（温度）	10V	15毫欧@45A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	3830pF@25V	-	260W（温度）
F3L200R12N2H3B47BPSA2	344.5900	询价	4029	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	F3L200			20毫W	标准	AG-ECONO2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	三层平面遮阳板														-	1200伏	150A		2.15V@15V，150A				1毫安	是的	11.5nF@25V
IPA60R280CFD7XKSA1	2.9000	询价	9	英飞凌科技	CoolMOS™ CFD7	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA60R280		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	6A（温度）	10V	280毫欧@3.6A，10V	4.5V@180μA	18nC@10V	±20V	807 pF @ 400 V	-	24W（温度）
IPD60R180P7SAUMA1	1.8000	询价	48	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R		MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			600伏	18A（温度）	10V	180毫欧@5.6A，10V	4V@280μA	25nC@10V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W（温度）
IPP100P03P3L-04	-	询价	7083	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP100P		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000311114	EAR99	8541.29.0095	500		P沟道			30V	100A（温度）	4.5V、10V	4.3毫欧@80A，10V	2.1V@475μA	200nC@10V	+5V，-16V	9300pF@25V	-	200W（温度）
IPP039N04LGHKSA1	-	询价	第1279章	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP039N		MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000391494	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道			40V	80A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@80A，10V	2V@45μA	78nC@10V	±20V	6100pF@25V	-	94W（温度）
IPB180P04P4L02AUMA2	-	询价	9477	英飞凌科技	OptiMOS®-P2	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB180		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7-3	-					过时的		1		P沟道			40V	180A（温度）	4.5V、10V	2.4毫欧@100A，10V	2.2V@410μA	286nC@10V	+5V，-16V	18700pF@25V	-	150W（温度）
IPI65R280C6	1.0700	询价	500	英飞凌科技	CoolMOS C6™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			650伏	13.8A（温度）	10V	280毫欧@4.4A，10V	3.5V@440μA	45nC@10V	±20V	950pF@100V	-	104W（温度）
IRF6638TR1PBF	-	询价	第1555章	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	DirectFET™ 等距 MX			MOSFET（金属O化物）			DIRECTFET™ MX	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			30V	25A（Ta）、140A（Tc）	4.5V、10V	2.9毫欧@25A，10V	2.35V@100μA	45nC@4.5V	±20V	15V时为3770pF	-	2.8W（Ta）、89W（Tc）
AUIRFC8407TR	0.5200	询价	2	英飞凌科技	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0040	1
BFP193E6327HTSA1	0.4500	询价	6	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BFP193			580毫W		PG-SOT-143-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000				12分贝～18分贝												12V	80毫安									NPN	70@30mA，8V	8GHz	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
FS100R12KT4GPB11BPSA1	-	询价	5228	英飞凌科技	经济包装™2	托盘	过时的				FS100R12						-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	6
FF200R12KT3HOSA1	168.1200	询价	10	英飞凌科技	C	托盘	不适合新设计	-40℃～125℃	安装结构	模块	FF200R12			1050W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	2 独立														沟渠场站	1200伏			2.15V@15V，200A				5毫安	不	14nF@25V
AIMZA75R140M1HXKSA1	6.4037	询价	7396	英飞凌科技	*	管子	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-AIMZA75R140M1HXKSA1			240
IPB030N08N3GATMA1	4.1700	询价	第752章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB030		MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道			80V	160A（温度）	6V、10V	3mOhm@100A，10V	3.5V@155μA	117nC@10V	±20V	8110pF@40V	-	214W（温度）
IPP80R900P7	-	询价	2125	英飞凌科技	-	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²